预氧化在SiC基陶瓷材料烧结中的作用

对添加Y2O3／Al2O3烧结助剂的SiC材料进行了不同的烧成工艺试验，结果表明，在烧成前先进行预氧化处理的SiC材料，其表面氧化生成的SiO2促进了低温液相的形成，有助于降低该材料的气孔率。同时发现，合适的预氧化温度和保温时间能更有效地降低烧结体气孔率，促进烧结。     

温度对复合材料红外性能的影响

利用硬脂酸凝胶法制备了SiO2-Y2O3-TiO2复合材料.通过差热-热重分析、X-射线粉末衍射以及傅立叶变换红外光谱等表征手段对所得前驱体及烧结产物的性质进行了研究.结果表明该材料在中、远红外区具有较强吸收,在近红外有很好的反射,可以起到显著的隔热降温效果.     

氧化铝基纳米复相陶瓷型芯制备与性能研究

在刚玉粉料中添加纳米二氧化硅,利用原位合成方法制备了氧化铝基复合陶瓷型芯,讨论了纳米二氧化硅含量以及烧结制度对氧化铝基复合陶瓷型芯烧结温度、室温强度、高温蠕变等性能的影响.结果表明:SiO2纳米粉的加入,使陶芯材料致密度增加,从而使陶芯烧结温度降低,陶芯室温强度大幅度提高;随着SiO2含量加大,线收缩率和相对密度增加,...     

一种高性能烧结摩擦材料摩擦剂的选择

合理选择摩擦组元对改善高性能金属基烧结摩擦材料的性能至关重要.采用粉末冶金工艺制备了以SiO2,SiC,B4C等为摩擦剂的金属基烧结摩擦材料,研究了该摩擦组元对材料的机械性能特别是摩擦磨损性能的影响,探讨了其作用机理.研究结果表明同时添加SiO2,SiC,B4C作摩擦剂的材料比单独添加SiO2,SiC或SiO2+SiC的材料综合性能优异得多.这是由于除了SiO2,SiC作为摩擦组元具有一些优良性能外,B4C与铁在烧结温度下反应生成了一种高硬度的金属间化合物Fe2B,其综合作用结果使该材料的摩擦因数比其他3种材料高出30%～40%,摩擦因数稳定度高出20%～60%,且磨损小,是一种理想的、可广泛应用于各种高能重载工况下工作的高性能摩擦材料.     

Yb~(3+)/Er~(3+)/Tm~(3+)三掺YF_3上转换发光性质的研究

以氟化钇(YF_3)为基质材料,采用共沉淀法合成了YF_3:Yb~(3+)/Er~(3+)/Tm~(3+)上转换发光材料。采用X射线衍射仪(XRD)、热重差热分析仪(DTA)和荧光光谱分析对材料的物相结构、烧结温度和发光性质进行了研究。结果表明,掺入稀土离子没有改变YF3晶体结构,在980nm近红外波长激发下,出现了多个波段的发光现象,Yb~(3+)、Er~(3+)、Tm~(3+)不同的掺杂量分别对应于材料不同的发光规律。本文还探讨了上转换发光机制,确定了该体系荧光粉的最佳烧结温度。     

P2O5-SiO2-Na2O-Al2O3玻璃系统的热力学性质

采用差式扫描量热法(DSC)和热机械分析(TMA)方法研究了P2O5-SiO2-Na2O-Al2O3玻璃系统的热力学性质,探讨了磷酸盐玻璃中不同二氧化硅含量对其特征温度、热膨胀系数的影响、研究表明,随着SiO2的增加,玻璃转变温度Tg及玻璃软化温度Tf逐渐升高,热膨胀系数逐渐降低。     

无定形疏松多孔Fe2O3/SiO2的制备及表征

通过两步简单方法制备海胆状Fe2O3/SiO2,利用X射线粉末衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),透射电子显微镜(TEM),选区电子衍射(SAED)等手段对产物进行表征,结果表明,这种形貌的纳米材料能防止Fe2O3纳米颗粒的团聚,避免SiO2在高温条件下烧结,并有效提高了材料的热稳定性。     

烧结工艺对合成莫来石晶相结构的影响

讨论不同烧结温度和保温时间对利用铝厂工业污泥与硅石为原料合成的莫来石材料晶相结构的影响.采用XRD和SEM表征各试样的晶相组成和显微结构.实验结果表明:污泥和硅石经高温煅烧各试样最多存在3Al2O3.2SiO2,Al2O3.SiO2和α-Al2O33种晶相,分析结果确定最佳烧成温度为1 480℃,保温时间为5 h,该条件的合成料中3Al2O3.2SiO2的含量达86.8%.     

黄色荧光粉Sr_3SiO_5:Eu~(2+)相转变机理

高温固相法合成Sr3SiO5:Eu2+过程中,杂质相Sr2SiO4:Eu2+的存在会不同程度影响Sr3SiO5:Eu2+的光致发光性能及余辉性能。本文通过压片烧结和燃烧法两种方法制备Sr3SiO5:Eu2+,结合热重-差热分析和X射线衍射分析,研究了Sr3SiO5:Eu2+在合成过程中的相变化规律以及动力学过程。研究表明:原料与坩埚的接触处形成的界面以及原料在升温过程经过Sr2SiO4:Eu2+的合成温度区间是导致杂质相产生的主要原因。在升温过程中,当温度经过1 200℃左右的温度区间时,由于原料与坩埚接触处可以看作是两组不同物质的分界面,Sr2SiO4:Eu2+的合成首先在该分界面处合成,而更多的原料需要扩散通过生成物层才能进一步反应;但随着温度的升高,原料随后进入Sr3SiO5:Eu2+的合成过程,从而导致了Sr2SiO4:Eu2+杂质相的生成。     

黄色荧光粉Sr3SiO5:Eu2+相转变机理简

高温固相法合成Sr3 SiO5：Eu2＋过程中,杂质相Sr2 SiO4：Eu2＋的存在会不同程度影响Sr3 SiO5：Eu2＋的光致发光性能及余辉性能。本文通过压片烧结和燃烧法两种方法制备Sr3 SiO5：Eu2＋,结合热重-差热分析和X射线衍射分析,研究了Sr3 SiO5：Eu2＋在合成过程中的相变化规律以及动力学过程。研究表明：原料与坩埚的接触处形成的界面以及原料在升温过程经过Sr2 SiO4：Eu2＋的合成温度区间是导致杂质相产生的主要原因。在升温过程中,当温度经过1200℃左右的温度区间时,由于原料与坩埚接触处可以看作是两组不同物质的分界面,Sr2 SiO4：Eu2＋的合成首先在该分界面处合成,而更多的原料需要扩散通过生成物层才能进一步反应;但随着温度的升高,原料随后进入Sr3 SiO5：Eu2＋的合成过程,从而导致了Sr2 SiO4：Eu2＋杂质相的生成。     

CdS/SiO2介孔组装体系的光学性质

溶胶-凝胶法获得多孔SiO2载体,用氮气等温吸附对其结构进行了评估.经浸泡热合成得到复合量不同的CdS/SiO2块体介孔组装体系,并研究了其光学性质.结果表明:随复合量减小,吸收边以及荧光谱中峰位向短波方向移动;退火温度升高后,发光强度增大,450℃以后开始减慢,这归因于缺陷和跃迁几率的竞争.     

碳氮化钛基金属陶瓷的热等静压处理工艺探讨

采用真空烧结-热等静压处理工艺制备碳氮化钛基金属陶瓷,考察不同热等静压处理温度和时间对材料力学性能及结构的影响.结果表明:热等静压处理可有效消除材料内部孔洞,细化组织;合理的处理温度和时间为1 550℃,30 min;与真空烧结相比,材料的抗弯强度,硬度和致密度均分别提高了22.9%,1.0%和1.2%.     

压制压力对Si-Al电子封装材料性能的影响

采用粉末冶金液相烧结工艺制备Si-50Al电子封装材料,研究了压制压力对材料性能的影响.研究结果表明:增大压制压力可提高材料致密度,有效地促进界面的反应结合,使材料热导率提高;但当压制压力过大时,由于Si颗粒发生开裂甚至解理,界面热阻急剧上升,导致热导率下降;高压制压力导致Si-Al体系在945 ℃附近出现1个放热过程,这个放热过程对应于该温度下氧化铝薄膜的破裂以及随后Al与 Si颗粒表层SiO2的界面反应;诱发Al 和SiO2反应的是高压制压力所造成的界面处储能,这使体系润湿性大幅度提高,改善了材料的热导性能.     

Na2SO4/SiO2复合储能材料制备工艺和性能的研究

研究了Na2SO4/SiO2复合储能材料的工艺性能.进行了成型压力、烧成温度和保温时间3因素3水平L9(33)正交实验.分析了这些因素对储能材料的致密度与高温强度的影响,从中获得了致密度和高温强度最佳时的工艺参数.对储能材料的蓄热性能进行了初步研究,结果表明Na2SO4/SiO2复合储能材料的蓄热密度是显热陶瓷蓄热料的2.7倍.     

尖晶石型LiMn2O4的制备及结构研究

将LiNO3和以沉淀法制备的Mn3O4按一定比例混合制成样品，在空气气氛中分别以不同温度（300℃，400℃，500℃和700℃）进行烧结合成。利用差热－热重分析、X射线衍射、电子能谱及Raman光谱等测试手段对材料的结构及其随烧结温度变化情况进行了研究。首次观察到尖晶石型LiMn2O4的Raman特征峰。研究表明，低温烧结得到的样品为富氧的尖晶石型LiMn2O4；随着烧结温度的升高，结构中多余的氧逐渐放出，晶胞参数增大，晶体的结合能和晶格振动能增强。     

烧结温度对低压ZnO压敏陶瓷显微结构及性能的影响(2)

利用传统的电子陶瓷工艺,对ZnO—Bi_2O_3—TiO_2系低压压敏电阻材料,研究了不同烧结温度下材料的相结构,显微组织,电性能与烧结温度的关系。结果表明,在1150～1200℃温度范围内,可通过烧结温度,调整材料的压敏电压值,而材料的非线性系数α变化不大.     

复相α/β-Sialon的合成及其烧结研究

通过-αSialon原料中加入Si,Al,Al2O3,在流动N2气氛中烧结,生成复相α/-βSialon材料.运用X射线衍射仪、扫描电子显微镜分别对不同烧结温度试样的晶型、微观形貌进行了表征.主要探讨了不同的烧结温度对试样的耐压强度和体积密度的影响.结果表明:1 500℃材料烧结时,能制备出致密、耐压强度高的复相α/-βSialon材料.     

(Mg_xZn_(1-x))_2SiO_4系列微波介质陶瓷材料

通过Mg2+,Zn2+相互取代,制备出(MgxZn1-x)2SiO4系列微波介质陶瓷材料。实验结果表明:在(MgxZn1-x)2SiO4体系中,Mg2+,Zn2+相互取代降低了体系的烧结温度,随着x的增加,主晶相由具有硅锌矿结构的Zn2SiO4单一相,经历Zn2SiO4和Mg2SiO4相共存,逐渐转变成具有橄榄石结构的Mg2SiO4单一相。其中(Mg0.7Zn0.3)2SiO4样品的综合性能最佳,其烧结温度低(1 400℃),介电常数εγ=6.75,介电损耗tanσ=1.86×10-3。     

纳米SiO_2的制备与表征

以Na2SiO3·9H2O和H2SO4为原料,Na2SO4为分散剂,聚乙二醇(PEG)为表面活性剂,利用化学沉淀法制备纳米SiO2.讨论了溶液的pH值和灼烧温度等因素对纳米SiO2性质的影响.采用热重分析仪(TG)、X-射线粉末衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)及红外光谱仪(IR)等手段对制得的纳米SiO2进行了分析和表征.结果表明:在pH为7~8,灼烧温度为500℃时可得到平均粒径25nm的无定形SiO2颗粒.     

低温烧结氧化铝陶瓷

选用CaO—MgO—SiO2（CMS）和TiO2两种添加剂来降低氧化铝陶瓷的烧结温度。通过设计正交试验讨论烧结助剂和烧结温度对氧化铝陶瓷的相对密度的影响规律,并用扫描电子显微镜观察了不同配方氧化铝陶瓷的显微结构。结果发现：CMS质量分数为6％、TiO2质量分数为1％、烧结温度为1500℃时氧化铝陶瓷的相对密度98．71％。同时晶体发育比较均匀,没有出现晶体的异常长大和二次再结晶现象。