热壁外延生长ZnSe薄膜的质量研究

研究了热壁外延法（ＨＷＥ）在经两种不同处理方法的ＧａＡｓ衬底上生长的ＺｎＳｅ薄膜质量，俄歇电子能谱图（ＡＥＳ）分析表明，经Ｓ纯化的ＧａＡｓ表面大约由一层单原子层所覆盖，从而减少了ＺｎＡｓ／ＧａＡｓ界面态密度，用喇曼光谱的空间相干模型，对不同处理方法的ＧａＡｓ上生长的ＺｎＳｅ处延膜的一级ＬＯ声子喇谱形变化进行分析，定量判断出ＺｎＳｅ外延膜质量的优劣，分析认为，经Ｓ纯化ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ具有较好的质量     

MOVPE生长1.55μm InGaAsP材料和InGaAsP／InP量子阱

报导了ＬＰ－ＭＯＶＰＥ ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ体材料和量子阱的生长，生长的与ＩｎＰ匹配的１．５５μｍ波长的ＩｎＧａＡｓＰ材料，在７７Ｋ时光光半峰宽达１８．７ｍｅＶ，ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ量子阱的半峰宽为１８．０ｍｅｖ。     

AlGaAs／GaAs超晶格价带的自旋劈裂

对由ＡｌｙＧａ１－ｙＡｓ，ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ和ＧａＡｓ三种材料构成的超晶格价带的自旋劈裂进行了研究。通过改变材料组分和层厚，发现当超晶格单胞对其中心点是不对称结构时，对应的自旋向上和自旋向下的子带产生劈裂，而且劈裂主要发生在重空穴带和轻空穴带相互作用较强的地方。     

稀土软氮化工艺的研究

稀土研究了渗剂在份，共渗温度和时间对欠氮经渗层厚度，表面硬度及其分布的影响。结果表明，稀土的加入能明显加快共渗速度，缩短共渗时间；能提高渗层，特别是扩散层的硬度，使硬度梯度下降；渗层组织致密，过渡层中的碳化物和氮经物细小，弥散。     

在制备热障涂层过程中系统内残余应力场预测

在热障涂层系统制备工艺冷却过程中，各层材料参数不匹配（如弹性模量、泊松比、热膨胀系数、热传导参数等）将导致其体内各层材料冷却速率不一样，同时在各层界面上热障涂层系统为了保持应变协凋和位移连续，最终在冷却后热障涂层系统各层内均存在热残余应力．通过建立相应的理沦模型得到了热障涂层系统各层热残余应力的解析解表达式．通过计算分析，得到了冷却方式和陶瓷喷涂厚度对各层残余应力的影响．最终希望得到一组最优化工艺参数来指导热障涂层制备工艺和生产．     

连续外延双层（BiAl）YIG薄膜的铁磁共振研究

首先叙述了双层（ＢｉＡｌ）ＹＩＧ薄膜的生长及层间晶格失配情况，测量了与膜面法向成任意角度磁化的铁磁共振谱，铁磁共振场和线宽随磁化方向的变化与单层膜明显不同，用薄膜层间磁耦合解释了这种薄膜的铁磁共振线宽的非均匀增宽和共振波谱出现的异常现象，计算出的层间磁耦合系数与磁化方向有关。     

GexSi1—x／Si应变超晶格的质量鉴别

采用分子束外延方法生长了ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ应变超晶格，利用Ｘ射线双晶衍射，小角衍身宽角衍射方法测量了超晶格样品的实验衍射曲线，运用Ｘ射线运动学理论和动力学理论，分析，模拟了样品的实验曲线，得到了精确的定量结构参数数据，并根据实验曲线中衍射峰的位置和分布情况对应变超晶格的生长质量做了评价。     

InGaAs MSM—PD肖特基势垒增强层的研究

通过在ｎ型ＩｎＧａＡｓ光吸收层与金属接触间加入ｐ型ＩｎＧａＡｓ势垒增强层的方法，来提高势垒高度，使其暗电流大为下降，并对其进行了实验研究。     

强子多重数与质量的关系

本文运用统计方法研究了强子多重数与质量的关系，多重数倒易统计起伏ａＮ对质量有依赖关系，与发射源也存在依赖关系。     

镁合金表面脉冲电沉积Zn过渡层的研究

采用电沉积方法在镁合金表面制备了一种环境友好型Zn过渡层.利用SEM、XRD研究了直流和脉冲电沉积方式对Zn过渡层形貌及微观结构的影响,采用电化学方法研究了Zn过渡层的耐蚀性.结果表明,Zn过渡层在镁合金表面电沉积Sn-Ni合金过程中是必不可少的.在相同的厚度下,脉冲电沉积方式的应用更有利于制备平整致密、无孔且耐蚀性高的Zn过渡层.只有以脉冲Zn为过渡层才能获得良好的后续Sn-Ni合金镀层.     

Zn1—xCdxSe／ZnSe应变层超晶格光学特性

分析了用分子束外延法生长在ＧａＡｓ（１００）衬底上的Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ应变层超晶格光学特性，对光致发光谱的温度地详细的研究，光致发光谱的峰位和线形温度效应的结果与理论分析相一致，从光致发光谱的发光强度得出了该样品的激活能     

聚乙烯醇与赤霉素混合处理对小麦生长,抗旱性和产量的影响

本研究了聚乙烯醇（ＰＶＡ）和赤霉素（ＧＡ）混合处理对小麦种子的萌发、幼苗的生长、抗旱性和产量的影响。结果表明ＰＶＡ和ＧＡ混合处理可以加快种子的萌发，提高发芽率，促进幼苗的生长，增强幼苗的抗旱能力，提高产量。     

热流计SiO_2热阻层离子束溅射制备及耐热性研究

薄膜热阻式热流计具有响应速度快、结构微型化以及量程广、输出大等优点,是当前使用最广泛的热流传感器.热阻层SiO_2膜层与基底材料的结合性能对于热流计的高可靠性来说十分重要,而膜层特性与溅射沉积参数、后期热处理技术之间密切相关.因此,该文围绕离子束溅射SiO_2薄膜作为热流计热阻层材料,对不同镀膜时间、热处理工艺之后膜层的表面成分、形貌以及与基底结合强度进行了研究分析.研究发现,550℃热处理能够有效改善膜层的结合力,离子束溅射制备的SiO_2薄膜热阻层在高温循环考核的环境下依然保持了较强的结合力.     

GREEN FUNCTION在轮箱故障诊断中的运用

为了找出齿轮箱故障的定量规律，通过对齿轮箱的振支轮训珠测试及分析，发现ＧＲＥＥＮＦＵＮＣＴＩＯＮ对齿轮箱故障的诊断行之有效，并且成功地找出了Ｇ１０、Ｇ１０等齿轮故障的定量诊断参数。     

渐近均匀化方法在粘弹性复合材料的应用

主要研究了由线弹性加强体和线粘弹性基体组成的多层复合材料，在已有的线弹性多层材料的渐过均匀化方法的基础上，应用弹性—粘弹性对应原理，通过Burgers模型表示线粘弹性基体材料，反演得到了多层材料的有效松弛模量和有效泊松比在时间域中的表达式，并且与实验结果进行了比较。     

最大熵方法的结构分析

以Ｓａｙｒｅ的一维模型和三维ＣａＧａＮ单晶的Ｘ射线衍射数据以及二维Ｈａｌｅｒｈｏｄｏｐｓｉｎ单晶电子衍射数据为例,进行了最大熵方法的结构分析．计算结果表明,最大熵方法可以补偿截尾效应提高结构分析的分辨率．在结构计算中利用对称性减小了计算量,提高了计算速度,同时也大幅度减小了计算程序所占计算机的内存,从而使最大熵方法的结构计算能在微机上进行．     

随机参数反对称层合板响应的统计特征

工程结构中的复合材料层合板的几何参数往往具有随机性质．如何研究随机参数层合板的统计特性，这对正确估计结构设计的可靠性有着非常重要的意义。本文用样条配点法，将复合材料层合板结构离散后，应用Lagrange方程，建立了复合材料层合板的力学模型，研究了随机参数反对称层合板响应的统计特性，推导出层合板位移，速度和加速度的标准差。     

砷化镓表面P2S5／NH4OH钝化研究

用Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）、先致发光（ＰＬ）和俄歇电子能量谱（ＡＥＳ）研究Ｐ＿２Ｓ＿５／ＮＨ＿４ＯＨ对ｎ型ＧａＡｓ（１００）晶面的钝化作用．测试结果表明，钝化后在砷化镓（１００）面上的自然氧化物已被除去，表面形成了一层性质稳定的硫原子层．硫原子与砷、镓原子分别有效地成键，阻止了砷化镓表面氧化物的组成，并消除了表面存在的悬挂键，从而大大优化了ＧａＡｓ（１００）面的特性．ＰＬ实验结果支持了上述结论．实验结果表明钝化后ＧａＡｓ表面复合速度下降，表面态密度降低．     

水分胁迫下Ca^2＋,PEG预处理对小麦幼苗硝酸还原酶活性的影响

本通过Ｃａ＾２＋、ＰＥＧ预处理研究水分胁迫下小麦幼苗硝酸还原酶（ＮＲ）活性的变化，结果表明，Ｃａ＾２＋、ＰＥＧ处理可明显提高水分胁迫下小麦幼苗的ＮＲ活性，增强吸水、保水的能力，对植株生长的抑制减轻。     

LPE法生长GaP／Si材料初探

用普通的液相外延（LPE）方法，在Si衬底上生长了厚约10um的GaP外延层，并对以Ga，In或Sn为生长熔体进行生长得到的结果做了比较，结果表明，Si在Ga中溶解度很大，Ga不适合做熔体；In为熔体时生长出InGaP合金，Si含量较高，而且出现化学计量比偏离现象，Sn为熔体生长的GaP层中Si含量小于In溶体，而且GaP符合化学计量，测得GaP外延层带隙波长为540nm。