SiO薄膜的光致发光研究

通过对ＳｉＯ２薄膜经退火后的室温光致发光研究，发现ＳｉＯ薄膜的发光谱中存在绿光和红光两个发光带，绿光带是起源于与氧有关的缺陷发光，而红光带则是纳米尺寸的微晶Ｓｉ的量子限制效应引起的发光。     

SiO2薄膜热应力模拟计算

摘要:薄膜内应力严重影响薄膜在实际中的应用.本文采用有限元模型对SiO2薄膜热应力进行模拟计算,验证了模型的准确性.同时计算了薄膜热应力的大小和分布,分别分析了不同镀膜温度、不同膜厚和不同基底厚度生长环境下热应力的大小,得到了相应的变化趋势图, 对薄膜现实生长具有一定的指导意义.     

多孔SiO2及SiO2＋MO催化剂载体的烧结行为研究

运用表面积测定，孔径分布，晶相检测等仪器分析方法对作为催化剂载体的多孔ＳｉＯ２的烧结行为进行了考察．发现非晶ＳｉＯ２微细颗粒在６００℃～７００℃间即开始烧结；在恒定温度下，烧结过程并非匀速，而是分成不同的快速烧结阶段．烧结后比表面积减小，但平均孔径增大．加入碱土金属氢化物ＭＯ后，原ＳｉＯ２的表面积减小，烧结后表面积的损失更大；相比而言，加入ＭｇＯ对比表面积影响较小，而加入ＢａＯ则影响较大．对第一快速烧结阶段建立了速率方程；运用分型几何模型理论较好地解释了不同快速烧结阶段问题以及与之相应的不同半径微孔收缩封堵的关系．对于烧结过程中的伴随现象亦进行了探讨．     

SiO2体系的分子动力学研究

基于多体项展式理论方法导出的SiO2分子基态(～X1Α1 )的分析势能函数,用准经典的 Monte-Carlo轨线法对Si (3Pg) + OO′ (～X3Σ -g) 和O (1Dg) + SiO′(～X1Σ + )体系的分子反应动力学过程进行了计算.结果表明Si (3Pg) + OO′ (～X3Σ-g)体系生成络合物是一个阈能比较小的反应,而生成离解产物则是一个有比较大的阈能反应,其阈能值约为200 kJ·mol-1, 说明主要以生成络合物为主;O (1Dg) + SiO′ (AX～U1Σ + )体系没有络合物生成,生成离解产物O (1Dg)+ SiO′ (AX～U1Σ + )→O + O′ + Si的反应截面比非反应碰撞产物O (1Dg) + SiO′ (AX～U1Σ + )→Si + OO′的反应截面要大约两个数量级,在低能区是有阈能的反应,其阈能值约为120 kJ·mol-1.     

胶束法制备SiO2超细粉

高纯超细ＳｉＯ２广泛用于集成电路的基板，密封剂的填料，高档漆的消光剂，透明橡胶的填料，催化剂及催化剂载体，以及高科技中的光学玻璃，绝热绝缘材料等［１～３］．目前报道的制备超细ＳｉＯ２粉末多用气相法，正硅酸四乙酯水解法等［４］，以试剂硅酸钠为原料用沉淀...     

SiO2的开发应用现状

系统介绍并分析了SiO2在工业领域的利用现状。目前，国内的SiO2开发应用逐步由粗加工向深加工发展，尤其是纳米技术的渗入以及硅电子光学产品的开发，加速了SiO2产品的发展。现阶段SiO2开发应用产品主要有：纳米陶瓷等超细纳米化产品、氮氧化硅粉末、分子筛、耐高温硅酸钙保温材料、新型精铸用石英粉涂料等。此外，指出了该领域研究目前存在的问题及今后的对策。     

SiO2纳米管的研究进展

对SiO2纳米管的制备方法、形貌特征、晶体结构、理论研究方面作了综合评述,概述了其研究现状及应用进展,简述了其在各个领域的潜在应用价值。     

沉淀法测定SiO2的探讨

SiO2的测定是硅酸盐矿石、耐火材料、铁矿石、水泥分析中常规的分析项目。K2SiFs容量法置到．广量的应用，在国家标准GB／T176—1996被列入代用法。但是该法由于采用熔融分解试样，试样的处理比较复杂，且K2SiF6的溶解度受温度的影响较大。氟硅酸钡容量法测定SiO2较好地克服了上述缺点。     

球形SiO2的制备研究

以硅酸钠为原料,乙酸乙酯为酸化剂,采用化学沉淀法制备了单分散球形SiO2颗粒。以粒径和球形度为考察对象,讨论了工艺因素对产品性能的影响,结果表明,最佳工艺条件为：反应温度40℃,硅酸钠浓度2％,搅拌速度400r／min,乙醇浓度7％,NaCl浓度1．0％。在此条件下制得的产物经TEM、XRD表征表明：SiO2颗粒基本为单分散、球形,平均粒径为120nm,且为无定形结构。     

CuO／SiO2和CuO—ZnO／SiO2催化剂的热分析性质

用差热分析（ＴＧ／ＤＴＡ）技术研究了ＣｕＯ／ＳｉＯ２和ＣｕＯ－ＺｎＯ／ＳｉＯ２催化剂于Ｈ２气下的还原行为和在Ｏ２气下的氧化行为及对其催化性能的影响。结果表明,ＺｎＯ的加入有利于催化剂的热稳定性,并对ＣｕＯ的还原有促进作用;在有氧化气氛存在时,ＺｎＯ的加入不利于保持Ｃｕ＾０的还原态。     

高速Zn—SiO2复合电镀

在实验室高速电镀装置上，研究了镀液中ＳｉＯ２加篱量、阴极电流密度对镀层中ＳｉＯ２含量及镀层表面形貌、组织结构的影响，确定了理想的ＳｉＯ２加入范围和阴极电流密度。     

SiO2气凝胶干燥技术现状

由于SiO_2气凝胶具有良好的性能被人们所广泛重视,SiO_2气凝胶制备技术的关键在于干燥技术的应用。本文总结了目前SiO_2气凝胶干燥技术的特点,指出了如果能够突破SiO_2气凝胶的低成本干燥,将会使SiO2气凝胶迅速商品化得到广泛的应用。     

SiO2纳米干凝胶的煅烧特性

通过比表面积（BET），孔径分布（PD），DTA－TGA，IR，XRD，TEM等测试手段对SiO2纳米干凝胶在煅烧过程中的性能变化进行了研究，结果表明，样品的最大比表面积为998m^2/g，最可几孔径为7nm，在600度以下煅烧时样品具有多孔网络结构，结构稳定，同时能够将杂质和表面活性剂除掉。     

纳米SiO2固体粒子的制备

目的研究固体纳米SiO2粒子合成的最佳实验条件,为其广泛应用提供廉价易得材料。方法采用Stober法以正硅酸乙酯、浓氨水和无水乙醇为原料,通过改变实验条件,探索制备固体纳米SiO2粒子的最佳条件。利用X射线衍射仪和场发射扫描电子显微镜对其制得产物进行表征,观察纳米SiO2固体粒子的形貌及粒径大小。结果实验结果表明:当正硅酸乙酯用量为3~4mL,浓氨水用量为6mL,反应温度为25℃左右,转速为720~760r/min时,制备出的SiO2固体粒子分散性较好,粒径分布均匀,粒子直径大小在780nm左右。结论固体纳米SiO2粒子是无毒无味的白色粉末状物质,应用范围广泛,本实验为其制备提供了较为理想的工艺条件。     

快速制备纳米SiO2的研究

采用溶胶-凝胶技术，利用正硅酸乙酯的水解和缩合反应，用NH4Cl作为阳离子表面活性剂，在短时间内制备了纳米SiO2粉末。研究了pH值、水与正硅酸乙酯的体积比、溶胶凝胶温度和焙烧温度对纳米二氧化硅制备时间及其粒径的影响，并用粒度分析仪对SiO2粉体颗粒进行了表征。结果表明，采用此方法制得的SiO2粉体颗粒平均粒径为67．5nm，较理想的反应条件为水与正硅酸乙酯的体积比为10，反应温度为60℃。     

纳米SiO2涂层复合材料评价研究

以纳米SiO2粉末涂层复合材料为研究对象,系统地研究了其涂层结合力、涂膜显微硬度及耐磨性能随粉末含量的变化,并与对应的微米SiO2粉末涂层复合材料及传统材料进行比较,结果表明,与对应的传统复合材料及微米SiO2粉末涂层复合材料相比,纳米SiO2粉末涂层复合材料的涂层结合力及涂膜显微硬度都有非常明显的增加,但对耐磨性影响不大;并提出,涂层结合力以及涂膜显微硬度可以用作检测和评价纳米SiO2粉末涂层复合材料的物理参量。     

PECVD淀积SiO2的应用

研究了PECVD腔内压力、淀积温度和淀积时间等工艺条件对SiO2薄膜的结构、淀积速率和抗腐蚀性等性能的影响。结果表明,利用剥离工艺,并采用AZ5214E光刻胶作为剥离掩模成功制作了约2μm厚的包裹在金属铝柱周围的SiO2隔热掩模。     

干涉法测量SiO2层厚度

本文从干涉原理出发,介绍干涉现象在半导体工艺上的应用。     

多孔SiO2表面水合技术研究

通过化学方法,微波照射以及空气等离子体处理多孔SiO2表面进行了激活,再将激活了的SiO2进行表面水合,用红外,热分析等测试方法研究了SiO2的表面羟基含量及经过微波,等离子体处理后表面羟基含量的变化以及亲和水能力的变化,结果表明,微波和等离子体对硅胶有激活作用,使多孔硅胶表面水合进行得更彻底,让硅胶表面有更多的极性基团羟基。