相对论电磁力矩密度矢量

导出了相对论电磁力密度矢量，由此可以在任何惯性系中计算电磁场中匀速运动的电磁极化介质的电磁力矩密度，结果发现：在垂直介质运动方向上，有电场强度对磁化强度、磁感应强度对电极化强度的交叉耦合力矩密度存在；在平行介质运动方向上，电磁力矩密度有膨胀。     

稳恒电流电路中导线内部的电荷密度

本文通过对稳恒电流电路中导线内部的电荷密度的计算，解释了电流密度存在，而体电荷密度为零的现象。     

稳恒电流电路中导线内部的电荷密度

本文通过对稳恒电流电路中导线内部的电荷密度的计算，解释了电流密度存在，而体电荷密度为零的现象     

电流密度和电荷体密度的关系

本定量地导出了电流密度和电荷体密度之间的数学关系，并讨论二之间的区别和联系。     

关于均匀载流导体内的电荷分布

本文指出在载有稳恒电流的导体内，由于运动电荷受洛仑兹力的作用，使得均匀导体内有体电荷分布，且电荷体密度ρ正比于电流密度ｊ。     

体极化介质IP面电荷的计算及分布规律

本文以等效电阻率法为理论基础,导出了几种常见情况下,体极化介质表面上一次电流场和二次极化电流场以及总电流场的面电荷密度的表达公式,并分别对点电流源场中多层介质分界面上的面电荷密度及在均匀电流场中球状和水平圆柱状极化体表面上的面电荷密度进行了具体计算,得到了某些表征电荷分布规律的理论曲线。利用本文中给出的研究结果,可以简便地对一次电流场和二次极化电流场的异常电位及异常电流强度的分布特征,进行定性分析和定量研究。     

电荷密度和电流密度的δ函数表示法及其应用

本文简述了δ函数的基本性质及在直角坐标、球面坐标和柱面坐标中的表示法,论证了点电荷密度、线电荷密度、面电荷密度、电偶极子的电荷密度、线电流密度等的δ函数表示法,并举例说明这些表示法在电动力学习题解答中的应用.     

聚丙烯薄膜驻极体的研究

我们用厚度为15微米的双轴取向聚丙烯薄膜,在多种条件下制成热驻极体和电晕充电驻极体,测定了这些驻极体的表面电荷密度及其随时间的变化,以及它们的退极化电流随温度的变化。我们还研究了极化条件对表面电荷密度的影响,比较了热极化法与电晕放电法的利弊。     

电磁场边值关系的讨论

本文对电磁场边值关系进行了系统的分析和讨论。介质分界面上的自由面电荷和面电流分布导致电位移矢量的法向分量和磁场的切向分量不连续;类似的,面束缚电荷、面磁化电流导致了极化强度的法向分量和磁化强度的切向分量不连续,在恒定场情况下,电磁场的边值关系是相互独立的,而在时变场情况下,边值关系不完全独立,只需考虑电磁场的切向分量的边值关系。     

一种推导极化强度矢量■与磁化强度矢量■相对论变换式的新方法

运用普通物理方法推导了极化强度矢量P与磁化强度矢量M的相对论变换式，并对P、M构成的相对论不变量进行了讨论，从而加深了对P、M这两个物理量的理解。     

麦克斯韦方程组的相对论协变性

本文在推证麦克斯韦方程组的相对论协变性的过程中,进一步阐明电荷密度和电流密度的相对性意义。     

反绝热极限下MX链晶体中的量子晶格涨落效应:费米子自旋1/2态

相转变和对称破缺电荷密度波态的稳定性等物理特性决定于ＭＸ链系统的准一维、电子跃迁、电子－声子耦合和电子－电子相互作用。为讨论费米子自旋态ＭＸ 链系统的量子晶格涨落效应,从紧束缚Ｈａｍｉｌｔｏｎｉｓｎ模型出发,在反绝热极限条件下,采用Ｈａｒｔｒｅｅ－Ｆｏｃｋ近似,对ＭＸ链系统的电荷密度波序参量,绝缘相能隙,基态能量等进行了研究,并得到确定绝缘相能隙的自洽解方程。计算结果表明,在反绝热极限条件下,绝缘相能隙随电声子耦合强度的增大而增大,当电声子耦合强度达到临界值时,系统发生二聚化相变。     

铁镍锌离子对阴极铜沉积反应的影响

利用电导仪及电子能谱等仪器,并采用稳态法研究了铁、镍、锌离子对酸性硫酸铜电解液系统中阴极铜沉积反应的影响。研究结果表明：铁镍锌离子存在于电解液中,增大溶液电阻,减小溶液电导率,减小铜沉积反应的交换电流密度和极限电流密度,对铜沉积反应起极化作用。但铁、镍、锌离子几乎不影响电荷传递系数,不改变铜沉积反应机理。在２００Ａ·ｍ－２和１０００Ａ·ｍ－２电流密度下电解,铁、镍、锌不会在阴极沉积。在阴极铜沉积层中铜主要以金属铜和少量Ｃｕ２Ｏ形式存在。     

（C6Me6）2Fe.PCNP2类化合物的导电模型

用ＣＮＤＯ／２Ｍ方法计算了（Ｃ６Ｍｅ６）２Ｆｅ．ＰＣＮＰ２和（１，３，５－Ｍｅ３Ｃ６Ｈ３）２Ｆｅ．ＰＣＮＰ２有机导体分子的电荷密度、键级等量子化学参数。计算表明，（Ｃ６Ｍｅ６）２Ｆｅ．ＰＣＮＰ２分子中两个苯环骨架Ｃ原子和Ｆｅ所带的电荷密度分别大于（１，３，５－Ｍｅ３Ｃ６Ｈ３）２Ｆｅ．ＰＣＮＰ２分子的。     

卤代苯及其硝基衍生物的硝化活性理论判别——(Ⅰ)四种判据的应用和比

运用HMO法对卤化苯及其硝基衍生物的电子结构进行系统的校正计算和研究。应用π电荷密度、π轨道可极化率和前线电荷密度等电子结构参数,判别本系列多种化合物的硝化活性。提出简化的“离域作用能”判据,当用于判别本系列硝化活性时,与实验事实符合较好。     

Mo注入H13钢抗腐蚀结构的分析

Ｍｏ注入Ｈ１３钢明显地改善了钢表面的抗腐蚀特性，在腐蚀时间１００～２７０ｍｉｎ内，腐蚀电流密度峰值均为饱和值，极化电流密度ＪＤ是纯铁ＪＤ值的９．１％。用扫描电子显微镜观察发现，腐蚀后样品表面出现了密集的圆形和椭圆形的抗腐蚀体，其尺寸为０．５～３μｍ，这种结构具有稳定的抗腐蚀特性。随腐蚀深度的增加，这种抗腐蚀化合物暴露面积增大，因此使ＪＤ达到了饱和值。透射电子显微镜观察表明，Ｍｏ注入层中出现了Ｍｏ２Ｃ和ＦｅＭｏ弥散相，但尺寸为３～３３０ｎｍ，这比抗腐蚀体尺寸小得多，由此可见抗腐蚀体是由许多密集的ＦｅＭｏ和Ｍｏ２Ｃ结合而形成的。     

真空紫外光直接光化学气相沉积SiO2界面特性的研究

通过ＭＯＳ结构Ｃ－Ｖ特性曲线和Ｃ－Ｖ特性滞后曲线，对不同淀积条件下的ＳｉＯ２－Ｓｉ界面特性进行了研究，并与热氧化法和ＰＥＣＶＤ法生长的ＳｉＯ２膜界面进行了比较，结果表明，在不同工艺条件下，其界面电荷密度有所不同，与热氧生长膜的界面电荷密度相近，比ＰＥＣＶＤ膜的界面电荷密度稍低，且其界面基本上呈现负电荷中心，根据俄歇电子能谱的结果，对其界面负电荷的形成作了定性的解释。     

电磁规律的δ函数表示

讨论了δ函数的定义及特性，将电动力学中的点、线、面分布电荷、电偶极子的体电荷密度以及线电流和面电流的电流密度用δ函数表示出来，使这些抽象的电磁模型能够准确地量化表示．并运用δ函数的微分表示式证明有关电磁基本定理．     

电子在正弦色散声子场中的极化电势和感应电荷密度

本文计及纵光学声子的色散,在正弦近似下,计算了极性晶体中电子的极化电势和感应电荷密度。     

真空紫外光直接光化学汽相沉积SiO_2界面特性的研究

通过ＭＯＳ结构Ｃ－Ｖ特性曲线和Ｃ－Ｖ特性滞后曲线，对不同淀积条件下的ＳｉＯ２－Ｓｉ界面特性进行了研究，并与热氧化法和ＰＥＣＶＤ法生长的ＳｉＯ２腹界面进行了比较．结果表明：在不同工艺条件下，其界面电荷密度有所不同，与热氧化生长膜的界面电荷密度相近，比ＰＥＣＶＤ膜的界面电荷密度稍低，且其界面基本上呈现负电荷中心．根据俄联电子能谱的结果，对其界面负电荷的形成作了定性的解释．