ZnO薄膜的椭圆偏振光谱研究

采用椭圆偏振光谱法,在1.50～4.50eV光谱范围内,研究了在蓝宝石衬底上使用分子束外延方法制备的纤锌矿结构ZnO薄膜的光学性质.对椭圆偏振光谱拟合结果表明,坦吉扩展(Tanguy extend)色散公式能更准确、方便地描述ZnO薄膜带边附近的折射率和消光系数的色散关系.提供了ZnO薄膜在1.50～4.50eV光谱范围内的寻常光(o光)和非常光(e光)折射率和消光系数色散关系,为定量分析ZnO薄膜带边附近各向异性的光学性质提供了依据.     

GaN薄膜光学常数的椭圆偏振光谱研究

采用椭圆偏振光谱法,在1.5~6.5 eV光谱范围研究了纤锌矿结构GaN外延薄膜.通过物理模型建立和光谱拟合得到了GaN外延薄膜的厚度和光学常数.所得厚度值与扫描电子显微镜测量的结果相差仅为0.4%.表明所采用的模型和Cauchy吸收色散表式适用于GaN薄膜.进一步采用四相逐点拟合算法得到更全面更准确的GaN薄膜光学常数.     

用椭圆偏振光谱法研究GaxIn1—xP的光学性质（Ⅱ）

用椭偏光谱法对用ＭＯＣＶＤ方法在ＧａＡｓ衬底上生长的ＧａｘＩｎ１－ｘＰ掺Ｓｉ及掺Ｚｎ样品在室温下,可见光区得到的光学常数求其介电函数三级微商谱。将用于分析调制反射谱的三点比例法推广,并用来分析介电函数的三级微商谱。精确地得到样品的带隙Ｅｇ,Ｅｇ＋△ｏ以及Ｅｇ以上成对结构跃迁的能量位置及其隔离。计算了Ｅｇ以及费米能级的相对位置。将实验值与计算值比较,分析其差异的原因,发现样品存在有序结构。     

用椭圆偏振光谱法研究GaxIn1—xP的光学性质（Ⅰ）

用变入射角椭圆偏振技术测量了用金属有机气相沉积（ＭＯＣＶＤ）方法在ＧａＡｓ衬底上生长的ＧａｘＩｎ１－ｘＰ以及掺Ｓｉ和掺Ｚｎ样品在可见光区室温下的光学常数。对其结果进行了讨论,给出了带隙Ｅｇ和跃迁Ｅｇ＋Δ０的能量值,Δ０的实验值与计算值符合的很好。     

利用椭圆偏振光谱法研究硅片上DNA分子杂交

将单晶硅片硅烷化后，用戊二醛做醛基修饰，将5′端氨基修饰寡核苷酸探针片段通过醛－氨共价键结合在硅片上，然后用椭圆偏振光谱法对探针和不同序列样品的杂交反应进行了研究。结果表明该方法能在不对样品进行荧光标记的情况下直接研究杂交反应的效率，从而得知样品的序列信息。     

AlN和AlSiN薄膜的制备工艺及其光学特性

研究了反应溅射ＡｌＮ和ＡｌＳｉＮ薄膜的制备工艺，讨论了它们的光学性能与溅射工艺参数的关系，实验结果表明，在优化制备工艺基础上能制备出具有优良光学性能（高折射率、低消光系数、高透射率）的ＡｌＮ及ＡｌＳｉＮ薄膜。     

用椭圆偏振光谱法研究取代基对酞菁薄膜光学常数的影响

利用M-2000UI型宽光谱可变入射角椭偏仪研究十六氟铜酞菁(F16CuPc)和铜酞菁(CuPc)薄膜的光学性质. 在248～1 650 nm使用逐点拟合的方法对测得椭偏光谱进行分析, 获得两种薄膜的折射率、消光系数、复介电常数和吸收系数. 讨论了外环氟取代基对酞菁光学性质的影响, 结果表明, 共轭酞菁大环上的外围取代基对薄膜的响应波长和非正常色散影响较大. 分析了两种酞菁的电子结构及吸收谱成因, 并由吸收边外推得到两种材料的光学禁带宽度(Eg).     

椭圆偏振光谱方法的发展现状

介绍了现有几种椭圆偏振光谱分析方法的现状,分别对其优缺点进行了评述。着重介绍了作者提出的V_(op) -λ谱图表示的方法,其优点是只需直接测得光学参量及其变化规律,而无需对被测对象作出模型假定,光谱图中谱峰能表征表面状态和结构的变化。     

用分光光度法测量薄膜的光学常数

本文给出了由分光光度法测量不同状态下薄膜光学常数的理论分析，并结合实例阐述了该方法的应用及应予以注意的问题。     

幂指数方程拟合物种多度分布模型的研究

物种多度分布是物种多样性研究的重要方法之一,首次提出用幂指数方程来拟合物种多度分布模型,实例拟合结果表明,幂指函数应用于物种多度分布研究是理想的,从而丰富了物种多度分布模型理论。     

磁控溅射生长AlN钝化层的研究

测得AlN和Si3N4介质钝化后的AlGaN/GaN异质结的高频C-V（电容-电压）曲线,由此计算钝化层与AlGaN势垒层界面电荷面密度,发现AlN钝化层与势垒层界面的电荷面密度较Si3N4更大,同时AlN钝化层薄膜含有的可移动离子数目更多.根据I-V（电流-电压）曲线讨论了用磁控溅射技术生长的AlN钝化薄膜质量,发现AlN薄膜绝缘性不够好,可能是在室温磁控溅射生长过程中从靶材溅射出的Al原子未能与N2充分反应,导致沉积的AlN薄膜不够致密,含有的电子隧穿通道多.因此可改善反应条件以提高AlN薄膜质量.     

Weibull模型拟合细菌非线性失活曲线的应用研究

探讨Weibull模型在拟合细菌非线性失活曲线的可行性.不同试验条件下生孢梭菌孢子从1010 CFU·mL-1下降至105 CFU·mL-1的热失活曲线用Weibull频数模型进行了拟合(R2>0.90).基于Weibull模型的次级模型数学检验表明,标准预测误差和平方根误差较小,准确性因子和偏差因子在可接受范围内,该模型能较好的模拟不同试验条件对生孢梭菌孢子热失活的影响,对实际产品进行验证检验后,可以推广使用.     

离子型表面活性剂对血红蛋白谱学性质的影响

利用荧光光谱和吸收光谱技术研究表面活性剂对血红蛋白(Hb)存在形态及结构变化的影响，结果表明，离子表面活性剂的加入使蛋白质分子变性，十二烷基硫酸钠(SDS)使胁荧光增强较十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)明显；同步荧光光谱中随波长差(△λ)的增加，胁荧光峰位置发生约10nm的红移，荧光强度也随之发生变化；血红蛋白406nm处Soret带吸收峰加入表面活性剂后降低或升高、红移是由于血红蛋白的构象发生了变化，结论：在实验过程中，胁形成低聚物或单体，结构发生去折叠并伴随血红素基团的裸露，温度及pH值在溶液体系中也会影响胁变性。     

红外吸收光谱测量中的影响因素与拟合校正

分析了利用红外吸收光谱进行定量测量时用到的经典理论模型.结合理论模型特点,给出了应用系统中,存在一些影响模型线性关系的因素.这些因素实际中只能尽量减少,而不可避免.最后给出了解决此类问题的拟合算法,并通过具体实例,验证了算法的正确性.     

基于三步脉冲生长方法制备的高质量非极性a福AlN模板特性的研究

采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术及三步脉冲生长方法,在半极性r面■蓝宝石衬底上成功制备了非极性a面■氮化铝(AlN)模板,并对其结构和光学性质进行了系统研究。与采用传统单一固定温度及单步脉冲方法制备的非极性a面AlN模板相比,本方法制备的非极性a面AlN模板的晶体质量、光学性质和表面形貌均得到较大改善。实际上,通过可变温度及三步脉冲生长方法制备的非极性a面AlN模板,不仅其X射线摇摆曲线和A_1(TO)拉曼散射峰的半峰宽均显著减小,且在对应的紫外-可见吸收光谱中也观察到较强的相对透光率和陡峭的吸收边。在5×5μm~2的原子力显微镜检测区域内,相应的均方根值最小低至3.4 nm,且非极性a面AlN模板样品呈现优异的表面形貌和较少的表面形变。以上研究结果揭示了采用可变温度及三步脉冲生长方法能够有效地制备高质量的非极性a面■AlN模板,而该AlN模板在AlGaN基III族氮化物的外延生长中起着至关重要的作用。     

Al-Cl-N-H体系化学气相淀积AIN粉末的热力学研究

给出了Al-Cl-N-H体系的一组关联反应,探讨了化学气相淀积过程的关联反应热力学特性。根据Gibbs自由焓最小的原则,研究了Al-Cl-N-H体系的平衡组成。Al-Cl-N-H体系合成AlN超细粒子粉末的最佳温度为600～1200℃,AlN平衡得率和体系的初始组成有关,AlCl_2和AlCl的平衡得率随温度的升高而增大。     

化学气相合成AIN超细粒子过程模型研究

基于化学气相(CVD)合成超细粒子过程的反应、成核、生长和凝并,考虑CVD反应器中的轴向温度分布,建立了CVD反应器中描述超细粒子粒度及分布的一维过程模型。针对AlCl_3-NH_3-N_2体系化学气相合成AlN超细粒子的过程,研究了AlN粒子形成过程特征和操作参数对其粒度及分布的影响。CVD反应器中的轴向温度分布严重影响AlN粒子合成过程中的化学反应速率、成核速率和生长速率;AlN超细粒子的粒度随AlCl_3浓度的减小和总流量的增加而减小,其粒度分布宽度则随总流量的增加而增大。     

乙酰甲胺磷农药的ATR-FTIR定量分析方法研究

通过乙酰甲胺磷随时间变化的原位衰减全反射红外光谱考察,表明乙酰甲胺磷相对稳定,不易挥发.红外光谱定量分析乙酰甲胺磷的方法有两种,一是以1 697 cm-1、1 462 cm-1、1 216 cm-1和1 038 cm-1处特征吸收峰的峰高对浓度作标准曲线,其线性回归系数尺分别为0.996 4、0.996 3、0.996 6和0.996 7,平均值为0.996 5;二是以1 697 cm-1、1 462 cm-、1 216 cm-1和1 038 cm-1处吸收峰的峰面积对浓度作标准曲线,其线性回归系数R分别为0.992 2、0.990 5、0.990 2和0.992 9,平均值为0.991 5.结果表明,以峰高对浓度作图的标准曲线线性整体略好于以峰面积对浓度作图的标准曲线线性,乙酰甲胺磷在1.0～8.0 μg· mL-1内呈线性关系.