混晶GaAs_（1－x）P_x：N中等电子杂质束缚激子的发光

在７７Ｋ流体静压和低激发功率密度两种不同实验条件下，对组分ｘ＝０．８８混晶材料ＧａＡｓ＿（１－ｘ）Ｐ＿ｘ：Ｎ的光致发光进行了研究。在发光谱中分别明显地出现ＮＮ＿ｉ（ｉ＝１，３）对束缚激子的发光峰。观察到压力下Ｎ＿ｘ带发光猝灭及谱带窄化。低温下，降低激发功率密度，Ｎ＿ｘ谱带移向低能量位置并且半宽变窄。实验结果表明发生Ｎ＿ｘ束缚激子从孤立Ｎ＿ｘ中心到ＮＮ＿ｉ中心的热激活转移。分析结果说明，在加压和低激发密度下，发生这种转移现象的主导机制分别是多重陷入和变程跳跃．     

混晶半导体材料GaAs1—xPx：N（x=0.4）光致发光谱研究

采用变激发功率密度下的光致发光，变温下的光致发光等手段，研究了混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ（ｘ＝０．４）样品中各发光带的发光特性，比较了不同激发条件下Ｎｒ与Ｎｘ发光带的不同行为，求得在出不同的温度区间内，Ｎｒ及Ｎｘ不同的激活能，结果表明Ｎｒ与Ｎｘ分属不同的杂质发光中心有着不同的束缚激子的机制。     

混晶半导体材料GaAs_（1－x）P_x：N（x＝0．4）光致发光谱研究

采用变激发功率密度下的光致发光，变温下的光致发光等手段，研究了混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ（ｘ＝０．４）样品中各发光带的发光特性，比较了不同激发条件下Ｎｒ与Ｎｘ发光带的不同行为，求得在不同的温度区间内，Ｎг及Ｎｘ不同的激活能，结果表明Ｎг与Ｎｘ分属不同的杂质发光中心，有着不同的束缚激子的机制．     

混晶GaAs_(1-x)P_x∶N(x=0.88)中NN_1对束缚激子发光的声子伴线

采用选择激发的实验手段，在混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ（ｘ＝０．８８）的光致发光谱中观察到ＮＮ１对束缚激子发光的声子伴线．通过荧光谱线窄化效应，在发光谱中得到与ＧａＰ∶Ｎ低温光致发光谱中Ａ线相似的ＮＮ１线的声子伴线精细结构，其中包括ＴＡ，ＬＡ，ＬＯ等声子伴线．这个结果在实验上有力地证实了在混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ中的确存在着ＮＮ１发光中心．     

混晶GaAs1—xPx：N（x=0.88）中NN1对束缚激子发光的声子伴线

采用选择激发的实验手段，在混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ；Ｎ的光致发光谱中观察２到ＮＮ１对束缚激子发光的声子伴线。通过荧光谱线窄化效应，在发光谱中得到了ＧａＰ：Ｎ低温光致发光谱中Ａ线相似的ＮＮ１线的声子伴线精细结构，其中包括ＴＡ，ＬＡ，ＬＯ等声子伴线。     

GaP1-χNχ混晶（χ-0．24％～3．1％）发光复合机制的研究

利用变温光致发光(PL)谱研究了一系列GaP1-χNχ混晶的发光复合机制．GaP1-χNχ混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激子及其声子伴线到高组分杂质带发光的特征，表现出明显的带隙降低的趋势．测量结果显示，在组分χ≥0．24％的样品的发光谱中NN1能量之下已经开始出现几个新的束缚态，在低组分的混晶中，只存在一种激活能，仍然保持有束缚激子的特征；而在高组分样品(χ≥0．81％)中存在两种激活能．高组分样品一方面仍保留有束缚激子的特征．另一方面也表现出新的发光机制．     

混晶GaAs1—xPx：N中Nx带的发光瞬态过程研究

采用皮称量级的超快速光谱技术，分析了混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ材料发光瞬态过程，结果证实了材料随组份变化，从间接带到直接带转变的带增强效应，对Ｎｘ发光带不同能量位置的发光衰退测量还表明Ｎｘ带同时存在着快速的带内隧道转移和较慢的发光衰退过程。     

GaP1-xNx混晶(x=O.2 4%～3.1%)发光复合机制的研究

利用变温光致发光(PL)谱研究了一系列GaP1-xNx混晶的发光复合机制.GaP1-xNx混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激子及其声子伴线到高组分杂质带发光的特征,表现出明显的带隙降低的趋势.测量结果显示,在组分x≥0.24%的样品的发光谱中NN1能量之下已经开始出现几个新的束缚态,在低组分的混晶中,只存在一种激活能,仍然保持有束缚激子的特征;而在高组分样品(x≥0.81%)中存在两种激活能.高组分样品一方面仍保留有束缚激子的特征,另一方面也表现出新的发光机制.     

GaP_(1-x)N_x混晶(x=0.24%～3.1%)发光复合机制的研究

利用变温光致发光(PL)谱研究了一系列GaP1-xNx混晶的发光复合机制.GaP1-xNx混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激子及其声子伴线到高组分杂质带发光的特征,表现出明显的带隙降低的趋势.测量结果显示,在组分x≥0.24%的样品的发光谱中NN1能量之下已经开始出现几个新的束缚态,在低组分的混晶中,只存在一种激活能,仍然保持有束缚激子的特征;而在高组分样品(x≥0.81%)中存在两种激活能.高组分样品一方面仍保留有束缚激子的特征,另一方面也表现出新的发光机制.     

二维双激子束缚能的研究

用简单的几何模型计算限双激子体系的束缚能，得到二维双激子与单激子的束缚能比率随σ＝ｍｅ＾＊／ｍｈ＾＊从０．３２４到０．２２８之间变化，与前人的实验和理论结果符合较好。     

混晶GaAs1—xPx：N中N等电子杂质诱发的共振喇曼散射

研究了混晶材料ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ（ｘ＝０．７６，０．６５）中的共振喇曼散射，在背散射配置的（１００）晶向观察到“禁戒”的ＴＯ声子散射模，这一实验现象解释为在共振激发Ｎｘ杂质带的条件下，由于晶体对称性的喇曼选择定则失效，ＴＯ模成为喇曼活性，根据热猝灭规律，还给出区分共振喇曼散射和热荧光的一个实用判据。     

类氢杂质对InxGa1-xN/GaN和GaN/AlxGa1-xN量子点中束缚激子态的影响

在考虑内建电场效应和量子点(QD)的三维约束效应的情况下,运用变分方法研究了类氢施主杂质的位置对Ⅲ族氮化物量子点中束缚激子态的影响.结果表明:当类氢施主杂质位于量子点中心,InxGa1-xN/GaN量子点的高度和In含量大于临界值时,约束在QD中激子的基态能降低,激子态的稳定性增强,在较高的温度下观察到半导体量子点吸收谱中的激子峰,发光波长增大.而类氢施主杂质总是使束缚在GaN/AlxGa1-xN量子点中激子的基态能降低,杂质可能使在更高温度下观察到GaN/AlxGa1-xN量子点中的激子,发光波长增大.研究发现类氢施主杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,系统最稳定;随着施主杂质下移,激子基态能增加,激子的解离温度下降,发光波长减小.     

类氢杂质对In_xGa_（1-x）N/GaN和GaN/Al_xGa_（1-x）N量子点中束缚激子态的影响

在考虑内建电场效应和量子点（QD）的三维约束效应的情况下,运用变分方法研究了类氢施主杂质的位置对Ⅲ族氮化物量子点中束缚激子态的影响.结果表明：当类氢施主杂质位于量子点中心,InxGa1-xN/GaN量子点的高度和In含量大于临界值时,约束在QD中激子的基态能降低,激子态的稳定性增强,在较高的温度下观察到半导体量子点吸收谱中的激子峰,发光波长增大.而类氢施主杂质总是使束缚在GaN/AlxGa1-xN量子点中激子的基态能降低,杂质可能使在更高温度下观察到GaN/AlxGa1-xN量子点中的激子,发光波长增大.研究发现类氢施主杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,系统最稳定;随着施主杂质下移,激子基态能增加,激子的解离温度下降,发光波长减小.     

GaP:N束缚激子发光动力学的研究

本文在带一带激发条件下,用发光动力学的方法,研究了15k—150k温区内GaP:N中束缚激子发光的能量转移过程,以及同束缚机制相关的发光热猝灭过程。分析结果表明,无辐射复合在转移和热猝灭过程中起重要作用。由于无辐射复合几率随温度升高而增大,发光热猝灭的表现激活能比发光中心本身热离化的激活能偏大,而且,能量转移越显著,所得的表观激活能越大。对于NN_1和NN_3中心,发光热猝灭规律的具体分析结果完全符合HTL模型。     

无序和有序GaInP2的光致发光谱

对无序和有序ＧａＩｎＰ２样品分别作了变温和变激发功率密度光致发光谱的测量．无序样品表现为与激发功率密度无关的单谱峰结构，在不同温度区有不同的激活能．有序样品则表现为双峰结构，其中高能端发光峰强度随温度升高先增强而后热猝灭．根据样品有序度及取向超晶格模型解释了实验现象     

量子点限制对束缚激子基态能和结合能的影响

用变分法计算了ＧａＡｓ／Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ材料中束缚激子的基态能和结合能，并对计算结果进行了讨论，得出当量子半径取适当数值时人们有可能在更高温度下观测到量子点中的激子的结论。     

半导体碳纳米管中的高能激子

利用单激发组态相互作用（ＳＣＩ）方法,对半导体性单壁碳纳米管的电子结构和光学吸收谱进行理论计算．结果表明,激发碳纳米管得到了由电子空穴对相互束缚而成的激子,除了实验上常观测到的低能激子态之外,在高能处,甚至在连续能带中还出现了激子．部分高能激子来源于类似表面态的激发．     

Ⅲ族氮化物量子点中类氢施主杂质位置对束缚激子结合能的影响

在有效质量近似下，运用变分方法，考虑内建电场效应和量子点（QD）的三维约束效应的情况下，研究了类氢施主杂质在量子点中的位置对Ⅲ族氮化物量子点中束缚激子结合能的影响。结果表明：当类氢施主杂质位于量子点中心时，对于InxGa1-xN／GaN量子点，量子点高度和In含量存在临界值，当参数大于临界值时，约束在QD中束缚激子的结合能升高，激子态的稳定性增强，提高了激子的离解温度，使人们能在较高的温度条件下观察到半导体量子点吸收谱中的激子峰。而类氢施主杂质总是使束缚在GaN／AlxGa1-xN量子点中激子的结合能升高，载流子被更强的约束在量子点中。说明对GaN／AlxGa1-xN量子点，杂质使人们能在更高温度下观察到量子点中的激子。类氢施主杂质位于量子点上界面时，束缚激子的结合能最大，系统最稳定；随着施主杂质下移，激子结合能减小，激子的离解温度下降。     

（CdSe）m（ZnSe）n／ZnSe短周期量子阱的荧光光谱

对用原子层外延法生长的｛（ＺｎＳｅ）＿（７０）（ＺｎＳｅ：Ｔｅ）＿（２０）（Ｚｎｓｅ）＿８＋［（ＣｄＳｅ）＿１（Ｚｎｓｅ）＿３］＿７＋（ＺｎＳｅ）＿８（ＺｎＳｅ：Ｔｅ）＿（２０）（ＺｎＳｅ）＿（７０）｝×１短周期超晶格量子阱样品，在７７Ｋ进行了稳态和瞬态荧光光谱研究。在本征激发下，观察到在不同激发强度时荧光光谱有显著的区别，随着泵浦密度提高，荧光谱表现为绿带（Ｓ＿２）、蓝带（Ｓ＿１）和蓝锐线依次占优。利用时间分辩光谱测量了上述谱带的荧光产生时间和寿命，讨论了样品中激子的捕获和复合过程。认为上述荧光光谱对激发强度的依赖性，可能是束缚在势垒中Ｔｅ＿ｎ（ｎ≥２）原子簇和单Ｔｅ原子周围的激子态随激发功率提高而依次饱和的现象。     

玻璃中CdSeS量子点的PLE谱研究

用光致发光激发光(PLE)谱与光吸收谱和光致发光(PL)谱相结合，对半导体CdSeS量子点的电子能级和电子跃迁发光的弛豫过程进行了深入分析．PLE谱表明带边激子发光的主要来源是1S3／2-1se和2S3/2-lse能态的电子弛豫，而缺陷态发光的来源除了1S3/2-lse和2S3／2-lse能态的电子弛豫外，还有更高能态的电子弛豫．