负载纳米银的聚氨酯胶束的抗菌性及生物相容性的研究

研究了三类聚乙二醇接枝位置不同且表面负载纳米银的聚氨酯胶束的抗菌性及生物相容性.通过DLS表征了聚氨酯在负载纳米银前后的粒径和电位变化,紫外分光光度法检测聚氨酯负载的纳米银的含量.MIC表征了三类聚合物的抗菌性能,细胞活性实验和溶血实验表征了其复合材料的生物相容性.复合材料的内核PCL在脂肪酶作用下降解并释放小尺寸纳米银从而提高抗菌性.实验数据表明负载纳米银的PEG-g-PU胶束的抗菌性能和生物相容性都优于其他两种结构的胶束(PEG-c-PU、PEG-b-PU).并针对负载纳米银的PEG-g-PU胶束研究其对成熟生物膜的影响.     

负载纳米银的聚氨酯胶束的抗菌性及细胞毒性的研究

本文研究了三类聚乙二醇接枝位置不同且表面负载纳米银的聚氨酯胶束的抗菌性能及生物相容性。通过DLS表征了聚氨酯在负载纳米银后的粒径和电位变化,紫外分光光度法检测聚氨酯负载的纳米银的含量。MIC表征了三类聚合物的抗菌性能,细胞活性实验和溶血实验表征了其复合材料的生物相容性。复合材料的内核PCL在脂肪酶作用下降解释放小尺寸纳米银从而提高抗菌性。实验数据表明负载纳米银的PEG-g-PU胶束的抗菌性能和生物相容性都优于其他两种结构的胶束(PEG-c-PU、PEG-b-PU)。并针对负载纳米银的PEG-g-PU胶束研究其对成熟生物膜的影响。     

海南产沼蛙皮肤temporin家族抗菌肽抗菌活性及稳定性研究

用化学合成法合成了4种抗菌肽,并测定了其抗菌活性及温度、热处理时间和p H值等不同因素对抑菌活性的影响,结果表明:temporin-GHa~GHd对革兰氏阳性菌:金黄色葡萄球菌(Staphylococcus aureus)、耐甲氧西林金黄色葡萄球菌(methicillin-resistant S.aureus,MRSA);革兰氏阴性菌:大肠杆菌(Escherichia coli,D 31);真菌:白色念珠菌(Monilia albican)均具有抗菌活性.对金黄色葡萄球菌的最小抑菌浓度最低,分别为6.8,6.8,12.9和12.7μmol·L-1.除temporin-GHb对温度稍敏感外,temporin-GHa,temporin-GHc和temporin-GHd在25~100℃范围内,均具有较强的热稳定性,即使在80℃加热80 min,100℃加热20 min,其抗菌活性仍基本保持不变.4种抗菌肽在p H 2~10范围内稳定,即使在极端p H条件下(p H 2~3或9~10),其抗菌活性仍变化不大.     

水合碱金属离子Na＋（H2O）n和K＋（H2O）n（n=1～6）体系电荷分布的理论研究

应用量子化学方法和原子-键电负性均衡方法(ABEEM)对Na+(H2O)n和K+(H2O)n(n=1～6)体系进行研究.采用MP2/6-31++G(d,p)方法进行几何构型的优化及频率的计算,在MP2/6-311++G(2d,2p)方法下计算了能量.以HF/STO-3G所计算的体系电荷为基准,拟合确定了Na+和K+的ABEEM参数,应用其计算所得的Na+(H2O)n和K+(H2O)n(n=1～6)的电荷分布,与从头计算的结果一致.     

季铵盐胶束的制备及其抗菌性能研究

为了研究季铵盐胶束是以胶束的形式抗菌还是以胶束解体后的单体形式与细胞膜结合达到抗菌效果,制备了一种季铵盐表面活性剂,该表面活性剂可以自组装成非交联胶束,还可以通过含有酯键的交联剂获得表面交联胶束.交联胶束在脂肪酶的作用下能解交联形成解交联胶束.利用核磁共振氢谱和动态光散射对合成的表面活性剂进行了分析,通过最低抑菌浓度和透射电子显微镜探讨了胶束的抗菌性能.     

可膨胀石墨/硬质聚氨酯复合材料的制备与性能

针对聚氨酯材料的阻燃问题,以可膨胀石墨作为阻燃剂,改善硬质聚氨酯泡沫的性能。考察可膨胀石墨的p H对聚氨酯泡沫制备的影响,分别制备不同可膨胀石墨质量分数的复合材料,对复合材料阻燃性能和力学性能进行实验分析。结果显示:碱性的可膨胀石墨有利于聚氨酯的发泡。当聚氨酯中添加可膨胀石墨(EG)后,其压缩强度有所降低,当EG质量分数达到15%时,复合材料的阻燃性能得到显著提高,且聚氨酯泡孔结构较为完整,在提高阻燃性能的同时,最大限度保留了其力学性能。     

过渡元素V、Cr、Fe、Co在贮氢合金TiMnM中的作用机理

利用电荷自洽离散变分Xa(SCC-DV-Xa)方法计算了TiMn2、TiMnM(M=V、Cr、Fe、Co)及其氢化物的电子结构,给出了TiMn2、TiMnM(M=V、Cr、Fe、Co)氢化物电荷等密度分布及TiMn2、TiMnFeH吸氢前后H1s、Mn3p、Ti3p、Fe3p轨道的分波态密度,并从中分析了电子结构对吸氢性能的影响.结果表明 :加入Cr和V取代Mn之后,其与Mn的亲和力相差较大,TiMn2氢压平台曲线变陡加入Fe、Co取代Mn之后,其与Mn的亲和力较接近,其氢压平台曲线就较平,在TiMnCrH和TiMnVH中,H原子与Mn原子与的成键作用强于其与替代元素之间的相互作用;替代元素3p轨道成键峰的减弱是合金滞后效应减小的主要特征;加入V使合金晶胞体积增大,这是V的加入能降低贮氢合金的平台压力的原因.     

学习理论中的MLP方法

移动最小二乘(MLS)法是数据插值、数值分析和统计等学科领域的一种逼近方法.H.Y.Wang,D.H.Xiang,D.X.Zhou(J Approx Theory,2010,162:599-614.)用MLS方法研究了L2框架下学习理论中的回归问题,从而得到了样本误差、逼近误差的更优结果.但是很多函数类在L2框架下很难研究,于是本文用移动最小p乘(MLP)法将L2框架下学习理论中回归问题的一些理论推广到Lp(1≤p≤∞)框架下,从而为研究Lp框架下学习算法的泛化性能提供了理论基础.     

碳系材料对水中三氯生和萘普生的吸附性能

通过序批试验研究3种碳系材料对三氯生和萘普生的吸附性能,同时考察p H和离子强度对吸附效果的影响。研究结果表明:3种碳系材料的吸附能力从大至小的活性炭纤维、颗粒活性炭、多壁碳纳米管。拟二级动力学模型更适合描述3种碳基材料对三氯生和萘普生的吸附过程。Langmuir模型能够更准确地拟合三氯生和萘普生在3种碳系材料表面的吸附。3种碳系材料的吸附性能随着p H升高而降低。由于静电作用和盐析效应,活性炭纤维和颗粒活性炭的吸附量随着离子强度的增强而增大;而团聚作用则使多壁碳纳米管对三氯生的吸附量降低。     

酚醛树脂结构对树脂砂强度的影响

为提高树脂砂的强度 ,分别在 p H=14、p H=8和p H =3下 ,合成 3种碱性酚醛树脂 ,采用氢核磁谱图 (1 HNMR)和红外谱图 (IR)分析了树脂分子结构 ,并将所合成的树脂应用于 CO2 气硬冷芯盒中。结果表明 ,在 p H=14下合成的树脂分子中具有大量活性羟甲基且部分苯环以甲醚桥相连 ,其树脂砂具有较高的即时强度与终强度 ,其中最大初强度为 0 .6 4 MPa,终强度为 0 .80 MPa。在 p H=8下合成的树脂分子中虽存在大量活性羟甲基但苯环间基本上以亚甲基桥相连 ,其树脂砂抗拉强度较低。而在 p H=3下合成的树脂中基本没有活性羟甲基 ,其树脂砂即时强度最低     

OH-(H2O)n(n=1～8)团簇的量子化学研究

分别在B3LYP/6-31++G(d,p)、MP2/6-31++G(d,p)、MP2/aug-cc-pVDZ水平下,对OH-(H2O)n(n=1～8)团簇进行结构、二阶稳定化能、结合能等性质的研究,并进行电荷性质讨论,分析了上述稳定构象下的电荷分布和电荷转移.计算结果表明:对于氢氧根离子水团簇的结构、电荷转移、二阶稳定化能、结合能等性质,3种方法的计算结果多数比较接近,且氢氧根离子水团簇的结构、电荷转移、二阶稳定化能都与氢氧根离子的氧原子的配位数有关.OH-与第一壳层水分子形成的平均氢键长R-O…H,随着OH-氧的配位数的增加而增加.对于水分子数相同的团簇,第一壳层的平均角度θ-H…O…H、氢氧根离子总电荷与第一壳层水分子平均电荷的乘积qOH-×q-FW、氢氧根离子的电荷转移量的绝对值|ΔqOH-|以及第一壳层的平均二阶稳定化能E-ave(O…H)随配位数的增加而减小.     

甲烷在Ni(110)面吸附的密度泛函理论研究

采用广义梯度近似密度泛函理论方法(GGA/PW91),结合周期平板模型,研究了甲烷在Ni(110)面不同位置的吸附行为,找到最稳定的吸附方式,并对其稳定结构进行电荷和态密度分析.结果表明:甲烷在Ni(110)面24种吸附方式中,顶位T4的吸附能(4.59kJ/mol)最大,是最稳定的吸附方式,且为物理吸附;从C-H键长和CH4吸附前后的振动频率分析可知,C-H1或C-H4键易断裂;通过Mulliken电荷布居的分析可知,相对于吸附前,吸附后电子从被吸附物Ni的4s、4p轨道以及吸附物中C的2s、2p轨道转移给吸附物中H1或H4的1s轨道;能带结构和态密度分析表明,在-10~-5eV的能带区间出现了新峰,该能带由C的2p轨道、H的1s轨道以及Ni的4s、4p轨道构成,说明CH4在Ni(110)晶面吸附有相互作用.     

端羟基聚硅氧烷改性非离子型水性聚氨酯表面活性剂的合成

以蓖麻油、聚乙二醇-1000(PEG-1000)、异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)和端羟基聚二甲基硅氧烷(PDMS)等为反应原料,得到了PDMS改性非离子型水性聚氨酯表面活性剂(WPUS).采用傅立叶变换红外光谱(FT-IR)、核磁共振氢谱(1 H NMR)、凝胶渗透色谱(GPC)、粒径分布测试等对改性前后WPUS的结构进行了表征,并测定了改性前后WPUS的表面张力、临界胶束浓度(CMC)及浊点等性能.结果表明:改性WPUS水溶液的最低表面张力为28.05mN·m-1,浊点为94.0℃,临界胶束浓度为27.5g·L-1;中位粒径为193.48nm,数均分子量为2986,重均分子量为9677,分散系数为3.24.PDMS改性非离子型WPUS的综合性能优异.     

新型聚氨酯胶束的制备及表征

以聚乙二醇(PEG),聚己内酯二元醇(PCL)为软段,赖氨酸乙酯二异氰酸酯(LDI),胱胺二盐酸盐(Cystaminedihydrochloride),赖氨酸盐酸盐(Lysine hydrochloride)为硬段合成了聚氨酯(PU),采用透析的方法制备了聚氨酯胶束.采用凝胶渗透色谱(GPC)、核磁共振波谱(1H-NMR)、红外光谱(FTIR)表征了聚氨酯的结构,采用透射电镜仪TEM及激光纳米粒度仪DLS对胶束的物理化学性质进行了表征,DLS结果表明软段中PEG含量和扩链剂中胱胺含量不同对胶束的粒径有影响,另外DLS分析表明胶束对还原剂二硫苏糖醇DTT没有响应.     

Na~+和卤素修饰的Ag/MgO催化剂在丙烯环氧化反应中的催化性能

制备了一系列未经修饰和经Na+和卤素修饰的5%(质量分数)Ag/MgO催化剂.考察了富氧条件(p(C3H6)∶p(O2)=2.53∶98.8)下,Na+和卤素的修饰对Ag/MgO催化剂的丙烯环氧化反应性能的影响.研究发现,添加于催化剂中的Na+有助于环氧丙烷选择性的提高,而与Na+共存的Cl-和Br-则显著增加环氧丙烷的选择性.氧程序升温脱附(O2-TPD)表征显示,Ag/MgO催化剂中Na+和Cl-的添加提高了催化剂中次表面氧的含量和稳定性,从而促进了其在丙烯环氧化反应中的催化性能.     

高介电常数HfAlO氧化物薄膜基电荷俘获型存储器件性能研究

利用原子层沉积方法制备了高介电常数材料(HfO2)0.8(Al2O3)0.2薄膜基电荷俘获型存储器件,并对器件的电荷存储性能做了系统研究.利用高分辨透射电子显微(HRTEM)技术表征了(HfO2)0.8(Al2O3)0.2薄膜的形貌、尺寸及器件结构.采用4200半导体分析仪测试了存储器件的电学性能.研究发现,存储器件在栅极电压为±8V时的存储窗口达到3.5V;25℃,85℃和150℃测试温度下,通过外推法得到,经过10年的数据保持时间,存储器件的存储窗口减小量分别为17%,32%和48%;(HfO2)0.8(Al2O3)0.2薄膜基电荷俘获型存储器件经过105次写入/擦除操作后的电荷损失量仅为4.5%.实验结果表明,利用高介电常数材料(HfO2)0.8(Al2O3)0.2薄膜作为存储层能够提高器件的电荷俘获性能,具有良好的应用前景.     

含手性基团苯并菲衍生物的电荷传输性质

使用密度泛函理论在B3LYP/6-31G**理论水平研究含2-甲基丁氧基手性(C2H5CH(CH3)CH2O)基团苯并菲分子的电荷传输性能.结果表明,通过引入手性基团调节电荷传输矩阵元来影响电荷传输性能.3种堆积方式中,甲基同向堆积方式的能量最低,空穴或电子传输速率最大,分别为4.47×10-2和1.58×10-2cm2·V-1·s-1.     

聚乙二醇接枝改性壳聚糖自组装纳米胶束的研究

利用聚乙二醇单甲醚（mPEG）对壳聚糖进行接枝改性,制得具有两亲性的接枝改性壳聚糖（mPEG-g-CS）衍生物,并通过自组装制得mPEG-g-CS纳米胶束.研究结果表明,在甲醛的作用下,mPEG与壳聚糖的-NH2发生了接枝反应获得取代度为27.4％的mPEG-g-CS样品,所得的mPEG-g-CS样品的结晶性与热稳定性均比壳聚糖弱.通过芘荧光探针分析发现,当mPEG-g-CS的浓度达到临界胶束浓度（CMC,0.014 mg/mL）,mPEG-g-CS分子自聚集成纳米胶束,且随着其浓度的增大,其自组装纳米胶束的粒径及其分布呈指数增加.     

HP β-CD-Triclosan抗菌医用棉纱布的制备及性能

以柠檬酸为交联剂将羟丙基β-环糊精(HPβ-CD)接枝到棉纱布上,利用HPβ-CD的包合性对三氯生(Triclosan)进行包合,制备抗菌棉纱布,并对棉纱布的性能进行了测试.结果表明:HPβ-CD接枝整理后棉纱布的拉伸断裂强力稍有降低,但仍符合医用纱布的强力要求;每千克抗菌棉纱布的Triclosan含量为(623.08±19.18)mg,在37℃的磷酸盐缓冲液(PBS)中能持续释放24h;对大肠杆菌和金黄色葡萄球菌的抑菌率分别为(99.09±0.44)%和(99.51±0.36)%,抗菌性能良好.     

叠层薄膜基电荷陷阱存储器的存储性能研究

随着半导体器件特征尺寸的不断减小,传统的浮栅型存储器件逐渐接近其物理和技术的极限,多晶硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)型电荷存储器件以其低电压、小尺寸及良好兼容性等特点成为近年来半导体行业研究的热点.但是,写入/擦除速度与数据保持性能之间的平衡问题一直制约着SONOS型存储器件的发展.为了解决这一问题,本文利用脉冲激光沉积系统制备了叠层薄膜基电荷陷阱存储器件,其中SiO_2作为隧穿层,叠层ZrO_2/Al_2O_3作为电荷存储层,Al_2O_3作为阻挡层,并对器件的电荷存储性能做了系统分析.利用透射电子显微镜(TEM)表征了器件的微观结构,采用4200半导体参数分析仪测试了器件的电学性能,包括存储窗口、写入/擦除速度及数据保持性能.研究结果表明,存储器件具有良好的电荷存储性能.当栅极扫描电压为±2V时,存储窗口仅为0.9V,随着电压增加到±6和±8V时,存储窗口分别达到3和4.4V;+8V,5×10~(-5) s的写入操作下,平带偏移量达到1V;室温,85和150℃测试温度下,经过1×10~5 s的数据保持时间,器件的存储窗口减小量分别为5%,10%和24%.优异的电学性能主要归功于ZrO_2和Al_2O_3之间的深能级界面陷阱及层间势垒.因此,采用ZrO_2/Al_2O_3叠层薄膜结构作为电荷存储层,具有良好的市场应用前景.