N型GaAs少子扩散长度的温度特性

根据 Sturge 和Hwang 的实验数据,通过计算机拟合、内插方法获得了所需能量范围内 13种温度的 GaAs 吸收谱。在此基础上,采用表面光伏方法在 21～320 K 温度范围内测试了不同掺杂浓度的 N型 GaAs样品的少子扩散长度。得到了一组反映少子扩散长度温度特性的实验曲线,并由实验曲线得到可用于计算不同温度下少子扩散长度Lp(T)的经验公式。     

半绝缘GaAs中的双极扩散长度

分析了半绝缘（ Ｓ Ｉ） Ｇａ Ａｓ 表面光伏的特点和公式．用表面光伏方法测量了不同砷压热处理 Ｓ Ｉ Ｇａ Ａｓ 单晶的双极扩散长度,用 １．１ μｍ 红外吸收法测量 Ｅ Ｌ２ 浓度,并对测量结果作了分析和讨论．指出双极扩散长度 Ｌａ 是反映 Ｓ Ｉ Ｇａ Ａｓ 质量的一个重要电学参数．     

半导体材料和器件的少子扩散长度随工艺跟踪测量

在同一设备上综合地应用表面光伏谱、结光伏谱和光电流谱三种方法对半导体材料和器件的少子扩散长度做随工艺的非破坏性跟踪测量．本方法具有设备简单、方法容易、不破坏样品等优点，可作为监测材料质量和器件工艺水平的重要手段．     

EBIC测定GaP的少子扩散长度和表面复合速度

应用扫描电子显微镜（SEM）对GaP半导体材料的p-n结进行线扫描,得出电子束感生电流（EBIC）的线扫描曲线,给出一简单模型,对GaP样品n区的EBIC线型进行计算,拟合实验曲线,得出少子扩散长度和表面复合速度。     

采用等效特征扩散长度计算微波击穿电场

为解决气压较低时,由扩散控制的击穿模型计算出的微波击穿电场误差较大,甚至与实验趋势不符的问题,提出了用等效特征扩散长度计算击穿电场的方法。该方法将实际特征扩散长度与电子平均自由程结合起来,使电子碰撞概率较高,以满足击穿模型在低气压下的使用要求。分析等效特征扩散长度与击穿阈值的关系,得出了等效特征扩散长度的表达式,并依此计算了平板系统中空气的微波击穿电场。用该方法所得的计算结果与实验结果相符,当频率为0.994GHz、电极间隙为1.98cm、气压为6.65Pa时,计算误差仅是采用实际特征扩散长度时误差的11%。计算与实验结果都表明:随着气压的下降,击穿电场将升高并趋于一个固定值。     

P-GaAs层少子扩散长度对AlGaAs/GaAs太阳电池效率的影响

为寻找提高AlGaAs/GaAs异质面太阳电池效率的方法,用He-Ne激光实测了一组结构相似电池的效率η和P-GaAs层少子扩散长度L的关系曲线。实验曲线的拟合分析和理论曲线的计算机模拟都表明:η随L的增加或P-GaAs层厚度的减少而增大,最终趋于饱和值η_(max)。若要进一步提高η值就必须改变P-GaAs层以外的参数。计算机分析表明,减少AlGaAs层厚度,减少反向电流密度和品质因子是进一步提高η的有效途径。巳用此方法研制出在AM1下η～20％的高效AlGaAs/GaAs电池。     

硒化物半导体纳米材料光学吸收谱的温度特征

目的研究半导体纳米薄膜材料的光学吸收谱由于温度效应产生的吸收边变化和能带移动。方法采用共沉淀法制备了硒化物半导体纳米薄膜材料CdSe,并测量材料在室温至低温下的紫外-可见吸收光谱,观察不同温度下谱带吸收边的变化。结果实验发现光学吸收边随温度降低而发生蓝移的情况,将(αhν)2～hν曲线直线部分外推,与横轴的截距即为材料带隙宽度Eg,数据模拟结果显示Eg随温度变化是非线性的,且能带随温度的变化较好地符合Fernandez公式。结论进而分析造成吸收谱温度效应的原因是温度变化对晶格参数及电子-声子相互作用的影响,引起能带边缘的相对移动,导致吸收边能量位置的漂移,并从理论公式上表达了带隙变化随温度的依赖关系。     

GaAs掺杂超晶格的PR谱研究

本文报道了 GaAs 掺杂超晶格的室温 PR 谱研究结果.在1.43eV～1.52eV 能区观测到了与量子化电子或空穴态有关的一系列 PR 谱结构,并分析了这些结构的跃迁机理.实验结果与理论计算符合很好.同时,在2.80eV～3.30eV 间测得的(?)_1和(?)_1+△_1,也显示了明显的量子尺寸效应(quantum size effect).     

飞机货舱烟雾扩散受烟源温度影响的研究

目前的事故统计数据表明飞机烟雾事件发生概率大于1/10 000,因此有必要关注烟雾探测系统的符合性及其适航审定过程。基于CFD软件,研究不同烟源温度对烟雾扩散规律的影响。由仿真结果得出不同烟源温度造成热羽流浮力与颗粒之间的作用力有很大差距,影响了飞机货舱内的烟雾扩散与烟雾探测时间。     

用电液相外延法制备透射式GaA光阴极的研究

采用电液相外延法在ｎ型ＧａＡｓ衬底上连续生长Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ（ｘ＝０．７５）过渡层及ｐ型ＧａＡｓ发射层，测试结果表明，电液相外延法适合于制备透射式ＧａＡｓ光电阴极。     

对流扩散问题的特征拟谱方法

对一类对流扩散方程的周期初值问题提出了一种新的数值求解方法—特征拟谱方法,此方法既有特征方法的优点,又有拟谱方法的优点.证明了该方法的收敛性,并给出了最优阶误差估计.     

高层建筑火灾时烟气温度扩散的数值模拟

分析了高层建筑火灾期间疏散通道内烟气温度场分布的变化规律.通过建立热平衡差分方程,分析烟气与建筑物墙体的传热过程;建立烟气与空气混合的数学模型,分析烟气在高层建筑横向通道内的扩散过程.通过算例分析了烟气温度与扩散时间和疏散通道长度的变化规律,在烟气扩散过程中烟气温度变化受火源烟气发生量的影响较大,而受建筑墙体与烟气热交换的影响较小.     

在长度测量和选择配合时如何考虑温度的影响

从热力学角度分析了温度变化对长度测量和配合选择的影响,指出了标准温度在工程中的含义,并从实用出发讨论了在实际测量中如何处理测量温度对测量结果的影响,以及在机械设计中如何考虑工作温度对配合性质的影响.     

基片温度对RF磁探溅射GaAs/SiO2纳米颗粒镶嵌薄膜光谱特 …

利用射频（ＲＦ）磁控共溅射技术,以光学石英玻璃为基片,在不同基片温度下制备了系列ＧａＡｓ／ＳｉＯ２半导体纳米颗粒镶嵌薄膜样品,采用岛津光谱仪,对薄膜在２００至２０００ｎｍ波段范围内透射光谱进行了测量。结果表明,与ＧａＡｓ夫体材料相比,薄膜样品吸收边发生明显的蓝移;且随着基片温度的降低,蓝移量增大,而当基片温度达到３００℃时,光谱中出现了明显的吸收峰,量子限域效应是导致结果的主要原因。     

建筑空间温度分布特性对交叉扩散水平的影响分析

基于不可逆热力学,分析了建筑室内热量、水蒸气组分和污染气体组分之间交叉扩散耦合特征,并给出了三者之间的交叉扩散传递关系以及温度分布对交叉扩散水平的影响关系,同时针对室内不同湿度和污染气体浓度水平,对温度分布影响下的交叉扩散特征与水平进行了具体讨论.结果表明,当温度梯度和热附加扩散系数正负相同时,交叉扩散作用所形成的水蒸气组分梯度和污染气体组分梯度小于零,反之则大于零;同时,在相同温度梯度和热附加扩散作用下,室内初始湿度和初始污染气体浓度水平越高,所形成的2种组分梯度的绝对值越大,并且初始湿度和初始污染气体浓度水平的影响都具有显著性.     

VGF结晶法中砷化镓表面平衡温度的计算

根据VGF结晶技术的特点,建立了结晶炉内的辐射换热模型。并利用有限差分法对变温条件下砷化镓晶体表面的辐射换热进行了数值求解,模拟结果得出了晶体表面平衡温度的变化规律。与设定值比较具有良好的一致性,所得结果确定了晶体生长过程数值模拟的热边界条件,并对实际的温度控制提供了重要的理论依据。