脉冲激光沉积法制备氧化铋薄膜及其电化学性质研究

首次采用355nm脉冲激光沉积在不锈钢基片上制备了氧化铋薄膜，X—射线衍射(XRD)测试表明在基片温度为300℃，沉积时间为0．5h制备得到的Bi2O3薄膜具有四方结构，SEM和Raman光谱测定对该Bi2O3薄膜的表面形貌和锂化前后的结构进行了表征，结果表明薄膜由小于100nm针状晶粒组成，锂化后的产物可能是LixBi2O3。此外，由电位阶跃法测定了上述Bi2O3薄膜电极的锂离子扩散系数。电化学测定表明，上述Bi2O3薄膜具有充放电循环性能,在电压范围为0．70～3．5V，该氧化铋薄膜在充放电速率为2C时的比容量大约为100mAh／g，并且保持经100次以上充放电循环而没有明显的衰减。     

电沉积Ni—Fe合金的穆斯堡尔效应

对电沉积Ｎｉ－Ｆｅ合金的穆斯堡尔谱分析表明γ相Ｎｉ－Ｆｅ合金的同质异能移（Ｉ．Ｓ．）为－０．０６－０．０２ｍｍ／ｓ；ａ相的Ｉ．Ｓ．为－＋０．０５ｍｍ／ｓ，与冶冻Ｎｉ－Ｆｅ合金的Ｉ．Ｓ．（冶冻Ｎｉ－Ｆｅ合金的γ相Ｉ．Ｓ．为－０．１９－－０．０２ｍｍ／ｓ；ａ相Ｉ．Ｓ．Ｓ为－０．０７－０．１０ｍｍ／ｓ）相比，向正值方向偏移，γ相平均偏移０．１８ｍｍ／ｓ，ａ相约０．１３ｍｍ／ｓ，电沉积Ｎｉ－Ｆｅ合金的磁超     

应用化学溶液沉积法制备薄膜

本文介绍应用化学溶液沉积法制备超导薄膜的方法．原则上应用这种方法可以广泛制备诸如氧化物铁电薄膜、氧化物介质薄膜、半导体薄膜、金属化合物薄膜等各类薄膜，广泛应用于科研和生产中．其方法成本低廉、工艺简单、制备周期短、且可在较低温度下成相，是一种制备薄膜的好方法．这里从理论与实践的结合上给以论述．     

Nd（Ⅲ）对Ni—Fe合金电沉积及镀层结构影响的研究

应用合金电沉积分极化曲线的测定,以及Ｘ－射线衍射法研究了Ｎｄ对Ｎｉ－Ｆｅ合金共沉积过程的影响。实验结果表明,Ｎｄ对Ｎｉ的沉积起阻化作用,而对Ｆｅ的沉积起催化作用,因而加剧了Ｎｉ－Ｆｅ合金共沉积的异常行为。     

Fe—Ni—P非晶合金的电沉积

研究了电沉积法制备FeNiP非晶合金的工艺条件。以抗坏血酸作为络合剂,选择了合适的电镀液,研究溶液的pH、温度和电流密度对电镀层的影响。     

电沉积银铟硒薄膜的光电化学特性研究

在钛片上用电沉积方法制得银铟硒薄膜,测试了银铟硒薄膜在多硫、多碘等氧化还原偶介电质中与铂电极（或石墨电极）构成的ＰＥＣ电池的开路光电压和短路光电流,研究了化学修饰对其光电效应的影响。     

离子束辅助沉积制备氮化钽薄膜

利用离子束辅助沉积（ＩＢＡＤ）技术制备ＴａＮ薄膜；掠入谢的Ｘ射线衍射和透射电镜观察结果显示，薄膜晶粒细小、结构致密，是面心立方结构。     

脉冲激光沉积制备薄膜的研究动态

综述了脉冲激光沉积制备薄膜的原理、特点,国内外对脉冲激光沉积的研究应用情况及目前的最新研究方向。着重分析了脉冲激光沉积过程中各主要沉积条件,如激光能量密度、靶－基体距、真空室气压及基体温度等对薄膜质量的影响。     

脉冲激光沉积制备薄膜的研究动态

综述了脉冲激光沉积制备薄膜的原理、特点,国内外对脉冲激光沉积的研究应用情况及目前的最新研究方向．着重分析了脉冲激光沉积过程中各主要沉积条件,如激光能量密度、靶－基体距、真空室气压及基体温度等对薄膜质量的影响．     

电沉积和硒化制备CuInSe2薄膜

以石墨为阳极、钛片为阴极,采用恒电流法制备Cu-In预制膜,然后硒化处理得到CuInSe2薄膜.分析了预制膜和CuInSe2薄膜的相组成及其影响因素.结果表明:采用不同的电沉积工艺,可以得到不同相组成的Cu-In预制膜.在保证Cu/In小于1的条件下,降低InCl3浓度和H3Cit/CuCl2浓度比,选择较高电流,可以获得具有CuIn相和Cu2In相的Cu-In预制膜.含有CuIn相和Cu2In相的Cu-In预制膜,经硒化得到的CuInSe2薄膜具有单一CuInSe2相组成,并且符合化学剂量比要求;而只含有CuIn相的预制膜硒化后除了有CuInSe2相外还出现了CuSe相.     

在半导体硅上电沉积及激光诱导电沉积镍薄膜

利用激光诱导电沉积实验控制和数据采集系统考察了Ｎｉ在ｐ－Ｓｉ上沉积和阳极溶出过程。结果表明半导体表面自然氧化膜和阳极钝化膜导致阴极反应过电位大幅度增加,反应电流下降,且钝化膜导致暂态电流上升迟缓,Ｎｉ阳极溶出实验表明薄膜由活性不同的两种相结合组成,在电沉积初期可获得由平均尺寸３００～６００ｎｍ晶粒构成了光亮度层,晶粒尺寸随镀层加厚,迅速变大,薄膜表面失去光泽。     

电沉积法制备Co-Pt合金薄膜的结构及其磁性能

采用酒石酸铵为络合剂,碱性溶液作为电解液沉积体系,利用电化学共沉积法在铜基底上制备得到了Co-Pt合金薄膜,并对制备得到的合金薄膜进行了不同温度的退火热处理。电化学极化曲线研究表明,酒石酸铵络合剂的加入有效地使两种金属离子沉积电位接近。原子吸收光谱研究表明,合金薄膜中金属成分比率易受电解液中金属离子比率和沉积电流密度的影响。X射线衍射(XRD)研究表明,电沉积制备得到的不同组分Co-Pt合金薄膜均为无序排列面心立方(fcc)结构,经过450?℃退火热处理后部分转变为L1₀型超晶格结构。磁性研究表明,经过450?℃退火热处理后的合金薄膜具有较好的磁晶各向异性。     

非晶态Ni—Fe—P合金电沉积的研究

介绍了一种新的电沉积非晶态Ni—Fe—P合金的方法．用这种方法在室温下电沉积出的非晶态Ni－Fe—P合金镀层外观接近镜面,镀层厚度可达42μm．经X－ray衍射、扫描电子显微镜（SEM）及等离子光谱分析（ICP—AES）证实,所获得的Ni—Fe—P合金镀层为非晶态结构,镀层中主要成分Ni、Fe、P的含量分别为74％～83％、9％～24％和6％～10％,此外,还含有0．01％～0．14％B和C元素,这些元素的存在是导致非晶态Ni—Fe—P合金镀层产生的主要原因．文中对电沉积非晶态NI—Fe—P合金的工艺条件、添加剂HAT和光亮剂HAB1、HAB2的作用和影响进行了分析和探讨．图8,表1,参14     

Fe—P非晶合金电沉积镀层的制备及其腐蚀性能

本文以电化学方法研制Fe—P非晶合金的电沉积镀层。研究了各种电沉积条件对合金中磷含量的影响。测定了非晶合金的腐蚀性和极化曲线。实验结果指出,在开始阶段合金是活化腐蚀,合金中的磷加快了腐蚀过程,最后磷在表面的富集,使合金进入钝化状态。 对非晶合金电沉积镀层的晶化温度和硬度进行了测定。     

电沉积法制备不锈钢镀层

本文用电化学方法制备 Fe-Cr-Ni 合金镀层。讨论了电沉积条件对形成 304不锈钢锭层的影响。实验结果指出:在常温、低的pH值及适当的电流密度下,镀液中的Cr~(3+)和Ni~(2+)含量达到一定的比值,可以获得成分与不锈钢(18Cr/9Ni)相似的铁铬镍合金镀层。     

电沉积超薄膜生长的模拟研究

利用Monte Carlo模拟的方法对电沉积超薄膜的生长过程进行了研究，综合考虑了电解溶液中总粒子数n、粒子相遇时的反应概率Ps及粒子定向漂移概率Pd等因素，得到了一系列二维薄膜的分形生长图形，计算了相应的分形维数。结果表明，总粒子数n和反应概率Ps共同决定了沉积薄膜的形貌和相应的分形维数及聚集的粒子数N，而定向漂移概率Pd则对薄膜的形态及分形维数影响不大。     

酰胺低温熔盐中Y—Ni合金薄膜的电化学制备

用恒电流电解法在乙酰胺－尿素－溴化钠熔体中电沉积出Y的质量分数（w(Y))高达87．50％的Y－Ni合金，在铜片上获得附着力强的合金薄膜。实验结果显示电沉积出的Y－Ni合金中的w(Y)随着电流密度增大而增大，在低电流获得的是有金属光泽的银白色合金薄膜，在高电流密度获得的是黑色的合金薄膜。     

碲化铋热电薄膜的电沉积制备与形貌分析

采用电化学沉积法在不锈钢衬底上制备了碲化铋(Bi2Te3)化合物热电薄膜,并利用XRD(X线衍射分析)、SEM(扫描电镜)和AFM(原子力显微镜)对薄膜进行物相分析和形貌观察.首先通过循环伏安法分别对Bi3+和HTeO2+以及他们共存的HNO3溶液进行了测试,确定了Bi2Te3的电化学生长为互诱导二元共沉积过程.然后在-50 mV电位,20 rmA.cm-2电流密度进行电沉积得到Bi2Te3多晶薄膜,XRD分析显示薄膜沿着(110)晶向存在一定程度的择优取向生长.进一步改变沉积电流密度发现,提高沉积电流密度使薄膜晶粒尺寸变小.     

热处理对电沉积CdSe薄膜光电性能的影响

电沉积制备的CdSe薄膜经不同温度退火之后由光电化学测定和x射线衍射实验进行表征,发现随着退火温度的上升,CdSe电极的光电转换效率提高,半导体薄膜中掺杂浓度略有减小,而少子扩散长度明显增大、薄膜中的CdSe微晶呈一定择优取向的六方纤锌矿晶体桔构,且含少量六方晶型的Se,在440℃以下退火时CdSe晶型没有改变,但退火温度升高使其晶粒尺寸增大,同时Se的含量减少,讨论了薄膜光电性能与结晶学性质的关系。