CVD方法制备Mo2C膜的化学反应机制和组分含量的热力学计算

报道了采用ＣＶＤ方法制备Ｍｏ２Ｃ膜的方法,在实验上证实了Ｍｏ２Ｃ膜的化学反应机制包括Ｍｏ（ＣＯ）６的分解和Ｍｏ的碳化两个过程,根据自由能极小原理对薄膜中各组分的含量与沉积温度的关系作了计算,计算值的变化趋势与测量值基本一致     

自然侵染白肋烟的黄瓜花叶病毒的鉴定

根据１９９５ ～１９９６ 田间调查表明,ＣＭＶ 是侵染白肋烟的主要病毒之一。采集到一种（ 命名为ＣＭＶ－ ＴＢ） 引起烟株花叶、植株矮化的样品,摩擦接种能侵染７ 科２９ 种植物。ＣＭＶ－ ＴＢ 引起苋色藜局部枯死斑。ＣＭＶ－ ＴＢ 体外稳定性状：体外保毒期２ 天;稀释限点１０ － １ ;致死温度５０ － ５５ ℃。电镜观察ＣＭＶ－ ＴＢ 为球状颗粒,直径３０ｎｍ 。ＳＤＳ聚丙酰胺电泳测其分子量２８ ８００Ｄ。ＣＭＶ－ ＴＢ 和ＣＭＶ－ ＣＡ（ 花生株系） 抗血清起强阳性反应,与同一病毒组的花生矮化病毒（ＰＳＶ） 抗血清起阴性反应。基于以上性质,ＣＭＶ－ ＴＢ 经鉴定属于黄瓜花叶病毒。本研究为侵染白肋烟的ＣＭＶ 国内首次详细报道。通过应用生物学（ 寄主反应和温度敏感性） 实验与ＣＭＶ－ Ｓ、ＣＭＶ－ Ｄ 对比,参试的分离物在３２ ℃下引起昆诺藜（ Ｃ．ｑｉｎｏａ） 、豇豆（Ｖ．ｓｉｅｓｉｓ） 产生局部枯斑并且与ＣＭＶ－ Ｄ 抗血清产生比ＣＭＶ－ Ｓ抗血清更强的特异性血清学反应。以上实验证明,ＣＭＶ－ ＴＢ 中国分离物与ＣＭＶ－ Ｄ 性质相同,属于ＣＭＶ 亚组Ｉ,而与ＣＭＶ 亚组ＩＩ有明显差异。依据在一组寄主植物上的反应,对参试的ＣＭＶ－ ＴＢ 进行了株系划分     

软质UHMWPVC／LMWPVC共混体系的力学性能和流变性能研究

采用增塑ＵＨＭＷＰＶＣ与ＬＭＷＰＶＣ共混的新方法，在ＵＨＭＷＰＶＣ树脂力学性能下降较少的前提下，大大改善其加工流动性能．同时，在ＵＨＭＷＰＶＣ中加入ＬＭＷＰＶＣ，又可减少增塑剂用量，降低制品成本．系统地研究了ＬＭＷＰＶＣ及增塑剂用量对ＵＨＭＷＰＶＣ／ＬＭＷＰＶＣ共混体系力学性能的影响规律，研究了剪切速率、温度、ＬＭＷＰＶＣ及增塑剂用量对体系流变性能的影响规律．发现了不少新现象，得出的一些结论具有一定理论和实用价值．     

侵染油菜的黄瓜花叶病毒的初步研究

ＣＭＶ是侵染油菜的主要病毒之一。１９９５年武昌采集到一种（命名为ＣＭＶ－ＢＷ）引起油菜花叶畸形的样品，引起苋色藜局部枯死斑。ＣＭＶ－ＢＷ和ＣＭＶ－ＣＡ（花生株系）抗血清起强阳性反应，与同一病毒性的花生矮化病毒（ＰＳＶ）抗血清起阴性反应。基于以上性质，ＣＭＶ－ＢＷ经鉴定属于黄瓜花叶病毒。通过应用生物学（寄主反应和温度敏感性）实验与ＣＭＶ－Ｓ、ＣＭＶ－Ｄ对比，参试的分离物在３２℃下引起昆诺藜（Ｃ．ｑｉ     

CPV McAbs对感染FK_(81)细胞的CPV的中和作用

本实验在ＦＫ８１细胞上研究了ＣＰＶＭｃＡｂｓ对ＣＰＶ的中和作用。酶标ＳＰＡ染色证实，在感染细胞的胞浆和胞核中均可见阳性反应物质，表明ＣＰＶＭｃＡｂｓ可穿过细胞膜，中和细胞内的ＣＰＶ。ＨＡ效价测定结果表明，加入ＣＰＶＭｃＡｂｓ的试验组，其ＨＡ效价全部＜１：１０，而未加ＣＰＶＭｃＡｂｓ的对照组，其ＨＡ效价随培养时间延长成倍增长。进一步证实了进入细胞内的ＣＰＶＭｃＡｂｓ可以完全中和细胞内的ＣＰＶ，初步解释了ＣＰＶＭｃＡｂｓ对自然发病的治疗机理     

现代MOCVD 技术的发展与展望

ＭＯＣＶＤ是一门制造化合物半导体器件的关键技术。本文综合分析了现代ＭＯＣＦＶＤ技术的基本原理,特点及实现这种技术的设备的现状及其发展,重点讨论了能实现衬底温度,衬底表面反应源流均匀性的立式高速涡轮转盘ＭＯＣＶＤ技术,并对ＭＯＣＶＤ技术的进一步改进和应用作了展望。     

CR/ CEVA/ MMA 三元接枝胶粘剂的研制

制备一系列不同ＣＥＶＡ含量的ＣＲ／ＣＥＶＡ－ＭＭＡ接枝共聚物,研究ＣＥＶＡ对ＣＲ／ＭＭＡ接枝共聚合的影响,以及ＣＥＶＡ加入量对产物性能的影响,利用红外,差热等现代分析手段对产物进行了表征,结果表明,在接枝体系中引入ＣＥＶＡ,不仅能提高胶粘剂对ＰＶＣ人造革的剥离强度,且由于ＣＥＶＡ的分子量低,制得的胶液粘度低,可用于涂操作。     

MBS和PVC／MBS的形态,结构与性能

本文研究了三元共聚物ＭＢＳ树脂和ＰＶＣＮＢＳ共混物的形态、结构及其相关性能。采用间歇加料法得到形态规整的核壳型树脂。改变三元组分比例和玻璃化转变温度（Ｔｇ）能大大影响ＰＶＣ增韧效果，当Ｂ＝４２％时Ｓ：Ｍ＝（３４～３０）：（２４～２８）为宜。ＤＳＣ测定结果表明：ＰＶＣ与ＭＢＳ的壳层ＰＭＭＡ能很好相容，从二相间的相容结构形态证实，共混物间形成良好的粘合界面层，通过透射电镜（ＴＥＭ）和扫描电镜（ＳＥＭ）观察到ＰＶＣＮＢＳ共混体系由脆性转变为韧性的结构形态和形貌特征，抗冲击值可由纯ＰＶＣ时的４ｋＪ／ｍ２增到ＭＢＳ１５份时的５０ｋＪ／ｍ２以上。     

利用叶圆片法获得CMV_（CP）转基因烟草植株

利用叶圆片法得到ＣＭＶＣＰ转基因烟草植株ＤＮＡ，ＲＮＡ与ＣＭＶＣＰ放射性标记探针点杂交及Ｓｏｕｔｈｅｒｎ印迹杂交的结果表明：ＣＭＶＣＰ基固可整合到烟草转基固株并且表达．叶面病毒接种后，转基因植株对ＣＭＶ病毒具有高抗性．     

极小浸入在单位球面中的完备黎曼流形

给出单位球面中完备极小子流形的一些特征，推广了单位球面中紧致极小子流形的一个结果．即，设Ｍ是Ｓｎ＋ｐ（１）（ｐ＞１）中的ｎ维完备极小子流形，则Ｍ全测地，或Ｍ是Ｓ４的Ｖｅｒｏｎｅｓｅ曲面，或ｓｕｐ‖σ‖２＞２３ｎ．     

FoxBASE+中调用外部大型程序一法

将用于启动系统的ＣＯＭＭＡＮＤ．ＣＯＭ程序拷贝到ＦｏｘＢＡＳＥ＋（或ＤＯＳ能找到的）目录中，并更名为ＦｏｘＶＩＥＷ．ＣＯＭ．在ＦｏｘＢＡＳＥ＋中用下面的格式调用：ＦｏｘＶＩＥＷ／Ｃ，外部程序．利用这种方法比利用ＦｏｘＳＷＡＰ．ＣＯＭ能多提供１８Ｋ左右的常规内存给外部程序或命令．     

维生素E及其与维生素C,维生素B2联用对小鼠抗 …

研究了维生素Ｅ（ＶＥ）及其与维生素Ｃ（ＶＣ）,维生素Ｂ２（ＶＢ２）联用对小鼠机体抗氧化机能的影响。结果表明,对小鼠单独饲喂ＶＣ或ＶＥ,ＶＣ,ＶＢ２联合饲喂,均能显著提高小鼠心、肝组织超氧化歧化酶（ＳＯＤ）的活性作用;单独饲喂ＶＥ,ＶＣ或ＶＥ,ＶＣ,ＶＢ２联合饲喂,其肝脏丙二醛（ＭＤＡ）含量均低于对照组,差异非常显著,肝脏ＳＯＤ／ＭＤＡ和ＧＳＨ－Ｐｘ／ＭＤＡ比值升高;单独饲喂ＶＣ组ＧＳＨ－Ｐｘ／ＭＤ     

低能段的光学渡越辐射

光学渡越辐射（ＯＴＲ）作为中高能段束流诊断方法，已被广泛地研究。低能ＯＴＲ的分布不像高能时那样集中于反射方向附近一个极小的角度内，而是在沿反射方向的很大的立体角内分布，且斜入射时强度分布极不对称。这使低能ＯＴＲ 的实验装置与高能时有些不同。为此，从Ｍａｘｗ ｅｌｌ＇ｓ 方程组出发详细推导了电子斜入射时适用于各能段的光学渡越辐射光强的空间分布公式。以此为基础建立了实验装置，并利用ＣＣＤ摄像机得到了４ ＭｅＶ 电子束流的ＯＴＲ光斑，为进一步的研究打下基础     

CMOS反相器在低电压低功率模拟系统中的应用研究

研究了ＣＭＯＳ反相器在低电压低功率模拟系统中的应用，基于对传统ＣＭＯＳ反相器电路的分析，提出了新颖的一阶低通、高通和全通ＣＭＯＳ滤波器，它具有工作电压低（±１Ｖ）、功耗极低、动态范围宽、元件数少（仅２个ＭＯＳ管）等特点，同时提出了由ＣＭＯＳ反相器构成的能工作在±１Ｖ电源下阈值电压可调的神经元器件，文中所有的电路均经ＰＳＰＩＣＥ软件验证．     

广州地区早孕妇女HCMV感染及其垂直传播

用聚合酶链反应技术检测１１０例早孕妇女尿液及其胚胎绒毛的ＨＣＭＶＤＮＡ。结果孕母尿液与胚胎绒毛的ＨＣＭＶＤＮＡ阳性率分别为１５．５％和７．３％，宫内感染率为４１．２％，孕母尿液与胚胎绒毛的ＨＣＭＶ阳性数密切相关，提示孕母尿路排毒系全身性活动性感染；孕母尿液ＨＣＭＶ阳性与阴性者其胚胎绒毛ＨＣＭＶ阳性数具显著差异，表明孕母尿液阳性者较阴性者处于垂感染胚胎的高危状态，建立采用ＰＣＲ法普查早孕妇女尿液ＨＣ     

AVM／蒙脱石复合材料的制备及吸水保水性能的研究

通过乙酸乙烯酯／顺丁然二酸共聚树脂的碱解，制备了水溶性的碱解ＶＭ树脂。用ＣａＣｌ２将ＡＶＭ水溶与蒙脱石不悬浮体共凝胶。制备了ＡＶＭ／蒙脱石复合材料。吸水性和保水性测试结果证示：当ＣａＣｌ２用量为１０％，蒙脱石用量为１５％时，复合材料的吸水性和保水性最好。     

MgO：V^2＋和MgO：Cr^3＋的四角畸变与零场分裂

Ｃｒ＾３＋和Ｖ＾２＋离子分别掺进晶体ＭｇＯ时，将引起局域结构产生四角畸变，本文研究了掺杂晶体ＭｇＯ；Ｖ＾２＋和ＭｇＯ；Ｃｒ＾３＋的ＥＰＲ零场分裂Ｄ，理论计算和实验观察基本一致；并指出，ＭｇＯ：Ｖ＾２＋局域结构的四角畸变程度应小于ＭｇＯ：Ｃｒ＾３＋。     

推挽式零电压开关多谐振高频变换器的直流稳态分析

将零电压开关多谐振技术应用于推挽变换器电路，提出了一种推挽式零电压开关多谐振高频变换器（ＰＰＺＶＳ－ＭＲＣ）电路方案，较全面、完整地对其稳态工作模式和直流特性进行了分析，发现了变换器正常运行的４种工作模式。用自编制的ＰＰＺＶＳ－ＭＲＣ的计算机仿真程序，仿真研究了ＰＰＺＶＳ－ＭＲＣ电路中各处电压、电流的稳态变化规律以及电路的直流电压增益与开关频率的变化特性。设计并实现了输入４８Ｖ、输出５Ｖ、功率５０Ｗ的离线式ＰＰＺＶＳ－ＭＲＣ实验电路，通过实验验证了理论分析的正确性。     

一种在静态类型面向对象语言中构造VFCG的方法

阐述了在静态类型面向对象语言中构造虚函数调用图（ＶＦＣＧ）的方法：先构造可见方法类层次图（ＶＭ－ＣＨＧ），再计算继承集、改写集，确定改写边界，最后利用ＶＭ－ＣＨＧ和改写边界构造ＶＦＣＧ。同时说明了ＶＦＣＧ在静态类型面向对象语言中解决虚函数调用方面的重要作用。     

金属—铁电薄膜—半导体结构的电容—电压特性理论分析

用半导体理论讨论了金属－铁电薄膜－半导体（ＭＦＳ）结构的电容－电压（Ｃ－Ｖ）特性，其结果表明：在ｎ型Ｓｉ基片上，理想ＭＦＳ的Ｃ－Ｖ曲线为逆时针回滞，有载流子注入的ＭＦＳ结构的Ｃ－Ｖ曲线为顺时针回滞，这与实验结果是一致的。