密封式中子管中电子电流形成过程

分析中子管中电子电流的形成过程．对于Philip型中子管,D 离子轰击靶产生的二次电子直射进入加速区,形成的电子电流仅是总电子电流的一部分．为完整地解释电子电流的形成,必须考虑到二次电子在加速电极内壁上的散射和新产生的二次电子进入加速区形成电子流的因素．     

中子管靶面二次电子抑制

通过实验给中子发生器的靶的上方加一抑制电压 (负电压 ) ,使靶表面发射的二次电子受到抑制 ,从而使中子管达到更好的工作状态。     

强流中子管微波离子源磁场模式设计

根据强流中子管的特殊要求和微波离子源微波吸收及传输原理,设计出等离子腔结构,其对微波可无阻传输,对高压有隔离作用,又根据强流中子管微波离子源对磁场模式的要求给出多联线结构、双磁环结构、加导磁磁路磁场等多种磁场模式的设计结果及实验数据,并做应讨论。     

中子管离子束系统

对国内研制使用的测井中子管离子束系统作了理论分析，并讨论了与此有关的中子管性能。     

中子管桌面实验台及其应用

报道一种模拟中子管工作状态的实验装置和方法，可以在动真空和静真空条件下较准确地选择中子管关键部件的尺寸，为中子管的研制提供可靠的实验数据。     

中子管离子源脉冲工作特性的研究

利用实验方法研究了中子管离子源的电离特性,其中包括电离时间的延迟特性;不同气压下电离电流和脉冲电压幅值的关系;不同气压下电离脉宽和脉冲电压幅值的关系;气压和加热电流的关系,并对实验曲线进行了分析,确定了Ｃ／Ｏ测井中选择气压和阳极电压参数的原则和方法。     

“惰性电子对效应”问题探讨

用原子结构理论、热力学理论和相对论性效应讨论了“惰性电子对效应”，分析说明了“惰性电子对效应”称为“惰性价电子效应”更准确．     

中子管高温性能研究

报道了中子管耐温性能测试设备和方法。实验结果表明我们研制的高温陶瓷测井中子管的耐温指标已达到１５０℃。     

电子束和快中子对BGO晶体辐照损伤的研究

本文采用加速电子束及１４ＭｅＶ快中子轰击ＢＧＯ晶体，通过测辐照前后的γ能谱来研究ＢＧＯ晶体辐照损伤，通常辐照损可随时间恢复，但大剂量快中子产生的损无法修复，由于ＢＧＯ晶体常用射线探测器，电子束和快中子是常用的射线源，所以本实验的结果具有一定的参考价值。     

永磁同步电动机的全数字式控制系统

提出了一种永磁同步电动机直接转矩控制的全数字化实施方案,电流环采用了滞环控制技术,电流调节频率达到１０ｋＨｚ,为构成永磁同步电动机全数字式交流伺服系统创造了有力条件。     

强磁场下中子星外壳层的Gamow-Teller跃迁电子俘获

以核素^55Co和^54Mn为例．讨论了强磁场下的中子星外壳层Gamow—Teller跃迁（G-T）电子俘获率．结果表明,对于大部分中子星,表面磁场（10^4～10^9T）对Cr-T跃迁电子俘获率的影响很小,对于超磁中子星．表面磁场（10^9～10^13T）使GT跃迁电子俘获率降低大约2—3个数量级．     

低气体放大倍数下单电子和少数电子在正比管内产生的脉冲分布

本文探测了由紫外辐射和超软X射线在正比计数管内形成单电子和少数电子引起电离雪崩所形成的脉冲高度分布,分析了实验结果并给出了理论解释。