用DLTS和ODLTS技术研究ZnSe晶体中与Ga有关的深能级

本文应用深能级瞬态谱(DLTS)和光深能级瞬态谱(ODLTS)技术研究了掺Ga的ZnSe晶体中的深能级.发现ZnSe:Ga晶体中有一个与Ga有关的施主能级位于导带底下0.17eV处,两个与Ga有关的受主能级分别位于价带顶上0.65eV和0.72eV处.文中还对这些能级的起源进行了讨论.     

在均匀强磁场中氢原子能级的计算

根据简并态微扰理论导出了在均匀强磁场中氢原子能级计算公式.该公式表明,只需给出量子数,可用简单的代数方法计算出相应的氢原子能级.本文应用该公式计算了在强磁场中(10≤B≤104T)氢原子n=4激发态的能级,并给出n=4的能级图.计算结果表明在强磁场中,氢原子的库仑场的对称性遭到破坏,n=4的能级简并几乎被全部解除.     

基于测不准原理的一维谐振子势中粒子能级及概率的讨论

通过代数解法求解了一维线性谐振子的定态薛定谔方程,给出了粒子在不同能级下出现的概率,进而利用测不准原理分析了一维线性谐振子基态能级.研究结果表明:能级越高粒子出现的概率越小,粒子越趋于经典物理行为;测不准关系对于估算基态能级和精确求解一致.     

无限深势阱中引入势壁后的能量本征态

讨论了无限深势阱中引入势壁后的宇称态和能级,在极限情况下, 能级可以有简并,并用计算机绘出能级图.     

深能级瞬态分析法研究纳米氧化锌的绿光发光机制

目的 研究纳米氧化锌的绿光发光机制.方法 深能级瞬态分析法.在实验设计中.根据衬底和薄膜的性质,利用示波器、纯电阻箱、信号源等简单的实验设备.在理论计算方面,用Matlab语言编程计算得到缺陷能级.结果 实验精度较高;缺陷能级距导带1.62 eV,这个能量差值恰和孙玉明在ZnO缺陷能级计算的博士论文中氧空位缺陷能级相符.结论 绿光发射是电子由导带到氧空位缺陷能级的跃迁所致.     

AsCl_3/Ga/H_2系统GaAs外延片的高分辨率深能级瞬态谱研究

用 AsCl_3/Ga/H_2气相外延系统在 GaAs 衬底上生长出GaAs 外延层并制成 Au-GaAs 肖特基结构.利用高分辨率深能级瞬态谱(HDDLTS)仪研究了外延层中深能级的特性.结果表明,缺陷和杂质在外延层中引进若干较高浓度的深能级,经退火后缺陷深能级会被消除.     

掺杂石墨背接触层CdS/CdTe太阳电池的深能级瞬态谱

深能级中心能显著影响太阳电池性能.制作了以掺杂石墨为背接触层的CdS/CdTe薄膜太阳电池,用深能级瞬态谱研究了它们的深能级中心.共发现了6个深中心,确定了其中两个深中心的能级位置,分别是位于EC-0.223 eV的 E3和位于EV＋0.077 eV的H3.它们主要来源于Cd与Te的空位和间隙离子、O和Cl离子以及它们相互作用形成的复合体等.     

三维谐振子在均匀磁场中的能级及简并度变化

推导出了三维各向同性谐振子在均匀磁场中的能级表达式并讨论了其最低能级及其简并度的变化.     

HH体系量子能级的周期轨迹方法

通过寻找HH体系的周期轨迹,利用半经典量子化的方法构建了该体系的能级,发现当体系处于较低的激发态时,重构能级与量子力学方法得到的能级偏差非常小.这为揭示体系的量子态和周期轨迹的深层含义提供了新的思路.     

静电场作用下非对称双势阱中本征问题的研究

利用二能级近似和迭代方法,研究了静电场作用下W型双势阱的本征问题和对称及非对称双势阱内本征值所呈现的各种特性.结果表明,对称势阱内存在双能级结构和确定宇称的波函数.在非对称势阱中,外场较小时,仍为双能级结构,但波函数出现定域;外场较强时,双势阱向单阱过渡,能级分布失去双能级结构,即类似单阱内能级分布.     

表面态对AlGaN／GaN异质结构2DEG影响的模拟分析

利用模拟软件研究施主表面态特性与AlGaN/GaN异质结构中二维电子气（2 dimensional electron gas,2DEG）形成之间的关系,分析施主表面态电离过程以及表面态能级位置、表面态密度的影响。结果表明：施主表面态为2DEG的电子来源;Al-GaN能带分布及2DEG密度随AlGaN厚度、施主表面态能级位置、施主表面态密度的改变而改变。     

均匀磁场中二维运动的二电子系的能级分裂

应用定态微扰理论，研究均匀弱磁场中，两电子体系的能级分裂情况．理论推导结果表明：一级近似下，基态能级无移动；第一激发态的能级分裂为五条，简并度由十六降为十一，也说明，外磁场使体系的对称性降低．     

超导量子比特中的Landau-Zener-Stckelberg干涉

超导量子比特是人工固态量子系统,在低温和弱耗散条件下,具有量子化的能级结构.这些能级之间的间隔可以随外加偏置电磁场连续变化,不同能级在某些偏置场可能形成量子系统中所特有的免交叉.最近研究成果表明,利用这些免交叉,可以在固态量子比特中实现Landau-Zener-Stckelberg（LZS）干涉,为测量系统的能谱、表征系统与环境的耦合、实现量子逻辑门、产生量子纠缠等提供了一个便捷的新手段.     

苝四甲酸二酐PTCDA分子基态和激发态的密度泛函理论

利用密度泛函理论研究了PTCDA分子,计算并讨论了PTCDA分子的稳定几何构型、电子结构与前线轨道能级、激发态能隙（HOMO-LOMOgap）,并对于基态与激发态的能级做了一定的比较。结果表明,PTCDA是一种平面分子,其吸收光谱集中在紫外波段,HOMO、LUMO能隙约为2．5eV。     

Bose-Einstein凝聚体能谱的研究

运用矩阵法研究了Bose-Einstein凝聚体的低激发态能谱,并讨论了微扰对低激发态的影响.通过研究发现,对于相同的能级,在原子数较小的情况下,凝聚体产生的自恰场的近似符合的很好。     

Quantum Chemical Calculation of the Effect of Second Ligand on Luminescente Propertise of Eu3+,Tb3+ Organic Complexes

The calculation of binary and ternary Eu3+ and Tb3+ complexes such as Eu(DBM)3, Tb(ACA)3, Eu(DBM)3 Phen and Tb(ACA)3 Phen, were performed with quantum chemical INDO approach. On the basis of the triplet state energy level of ligand, the matching condition of the excited state level of RE3+, the conjugated energy of ligand, the atom net charge, Mulliken Overlap , the advanced linear orbital energy and the electronic totai energy etc, the reason that the luminescent properties of ternary Eu3+ and Tb3+ complexes are better than those of binary completes was initially interpreted. It is consistent with the experimental data.     

电趋肤效应与电子能态关系的研究

用电磁学理论结合凝聚态物理学理论研究了电趋肤效应问题,它包括处于静电平衡状态下的导体上的感应电荷分布在导体的外表面上、交流电流的趋肤效应和超导电流的趋肤效应.分析指出,电趋肤效应是由于电子在晶格势场中能态升高,其载体内部不存在容纳这种处于高能态电子的能级,从而表现出趋肤效应.     

对撞增强腔和LiF晶体实现稳定的被动锁模

理论分析LiF:F~-_2色心晶体的能级结构,计算其激发态吸收的饱和光强,指出基态恢复时间为纳秒量级的LiF实现被动锁模的可能性．利用对撞增强腔Nd:YAG激光器实现LiF晶体的锁模激光输出,获得平均能量为11．8mJ,稳定性大于98％的锁模单脉冲序列．     

圆柱形半导体量子线中电子和空穴能态

半导体量子线具有特殊的量子效应,其内部电子的能态是它的一个基本物理量.用计算一维势阱波函数的方法简化了圆柱形量子线波函数的计算,得出了量子线中电子能态、能级图和波函数.做算例Si量子线的线宽———电子能级图,验证了计算所得结果,并讨论了量子线的光谱蓝移、能级分离与兼并和线宽的关系.