微波等离子体的双探针诊断

在各等离子体中微波等离子体有电离度高,电子密度高等优良性能,其性能使微波等离子体的应用越来越广泛。微波等离子体相关参数的诊断研究也逐渐得到人们的重视。文章介绍了微波等离子体的探针诊断技术,设计了一个双探针自动诊断系统,其中ICL8083芯片作为信号发生器（产生三角波和方波）,高度集成化的ADUC845芯片作数据处理器并接入计算机,经扫描采样得到离子密度波形和电压波形,取得了较好的实验结果。     

微波等离子体增强辉光放电光源

研制了一种微波等离子体增强辉光放电光源，通过对低合金钢、碳铜中的各种元素的检测，考察了其光谱分析性能和对实验参数的影响．     

微波电子回旋共振等离子体放电特性研究

为了深刻理解微波电子回旋共振(ECR)等离子体的物理机制、瞬态过程以及空间分布特性,首先利用光栅光谱仪对ECR氮等离子体发射光谱进行了研究,然后利用朗缪尔双探针测量了装置反应室内等离子体密度的空间分布,并分析了放电气压对等离子体空间分布的影响,结果表明: ECR氮等离子体中主要发生的是碰撞激发、碰撞电离,碰撞离解等微观过程,且等离子体的主要成分是激发态的 ;受磁场梯度影响的反应室上游区,等离子体分布不均匀,受等离子体密度梯度影响的下游区,等离子体则具有良好的均匀性;对于特定的微波功率(PW=400W),放电气压存在一个最佳值(p=0.07Pa).     

微波谐振腔气体放电的功率吸收与电子密度

用H□10 3 微波谐振腔进行气体放电产生等离子体 .测量了功率吸收与气压的关系 ,并估算出了等离子体的电子密度 .     

微波等离子体的朗缪尔探针测量

随着微波等离子体的应用越来越广泛,其参数的测量研究也逐渐得到人们的重视.本文使用朗缪尔探针测量了微波等离子体的单探针I-V特性,并根据探针测量原理计算出等离子体空间电位、电子温度,电子密度和离子密度等参数.     

放电频率影响等离子体产物的研究

用石英隔离的平行电极交流放电装置使Ｎ２，Ｈ２混合气体放电，在改变交流放电频率时分别得到三种等离子体产物：ＨＮ３，Ｎ２Ｈ４和ＮＨ３放电区内电场强度变化数倍和改变混合气体的配比，只能改变放电生成物（密度），而不能改变其物种。     

微波无极放电等离子体的温度分布轮廓

应用Elenbass-Heller局部能量平衡方程及TM010模式的微波场Maxwell方程,在简化的物理模型基础上采用数值计算的方法模拟得微波（2450MHz)无极放电的Hg等离子体的温度分布轮廓,通过自建实验装置的实验测量,将理论模拟与实验的结果进行对比验证,最后用赵肤效应的理论解释微波激发等离子体温度分布的特点,同时对微波等离子体的温度分布轮廓进行讨论。     

低压高密度等离子体电极性能研究

设计了一种玻璃管式封闭等离子体腔室,以高频开关电源为工作电源,高纯氩气(体积分数为99.999%)为工作气体,结合汤森放电理论,推导了等离子体密度与电流之间的关系,结合实验结果对该理论进行了验证,并测试了不同压强,不同电极下的封闭式等离子体密度。实验结果表明,在以纯金属热阴极材料钨为电极,工作电流为200 mA,管内气压为66 Pa(0.5 torr)的条件下,可将封闭式等离子体密度提高至1.1×10~(13)cm~(-3)。对封闭式等离子体密度与电流、腔室内气体压强及腔室电极之间的关系进行了分析,探索得到了一种封闭腔体内获得接近电弧放电高密度等离子体的方法。     

X模耦合微波的ECR溅射装置的放电特征

探讨采用真空波导及反常波模式微波输入技术,以避名微波石英窗口的污染,并研究了这种微波耦合模式装置中等离子体的放电特征。     

微波放电氢等离子体的特性诊断和分析

在微波等离子化学气相沉积装置中,分析了反应室内等离子密度空间分布以及等离子密度与气压和功率的关系,还分析了Hα(656.3 nm)的峰值强度与气压和功率的关系,得到了微波放电氢等离子体内部的基本特性.     

常压辉光放电的建立及其特性实验研究

常压辉光放电（APGD）是新近发展起来的一种等离子体源,与低气压辉光放电相比更具有工业应用前景,本文详细介绍我们实验室在大气压条件下建立的均匀稳定、介质垒同辉光放电等离子体发生装置,该放电发生采用频率为10kHz和20kHz高压电源、平板电极,民彬覆盖绝缘层,间隙2－3mm,可在多种气体环境下稳定运行,放电电流波形和电压一电荷李萨如图形的测量充分表明它确实是常压下的均匀辉光放电。     

微波反应器水负载加热性能的研究

研究了微波反应器中水负载的加热性能。结果表明：（１）微波加热类似于放热反应的特征;（２）微波的有效输出功率除与微波场,水负载的形状和大小有关外,还取决于水负载的安装位置;（３）在实验范围内,水负载所带增的微波功率为Ｑ＝Ａｅｘｐ。     

砷化镓场效应管的潜在性失效

为提高ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ静是放是失效阈值，通过ＥＳＤ实验前、后直流参数和热分布变化获取不足１０％的器件表面为永久性失效，而９０％以上的器件表现为潜在性失效的结果。潜在性失效机理类强电场、大电流及ｎｓ级瞬时冲击下，辅之以电热迁移和扩散，致使ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ肖特基势垒受到不同程度损伤，Ｇ－Ｓ、Ｇ－Ｄ间的界面离化或击穿。研究其潜在性失效机理，找出在设计、工艺和材料上的缺陷，以提高器件抗静电能力。     

阴极真空弧放电等离子体的过滤及传输

阴极真空孤放电产生高密度等离子体的同时，也产生了尺寸可达微米量级的液滴，液滴对膜层的污染限制了它的应用。为解决这个问题，可采用轴对称磁场约束阴极斑，磁过滤器过滤等离子体出束中的液滴。结果表明液滴在磁过滤器出口处已基本上被过滤掉了，该处离子束流达到１２０ｍＡ。     

微波ECR等离子体溅射沉积T_t薄膜的结构研究

用电子回旋共振(ECR)等离子体溅射方法在室温基片上沉积出的T_i薄膜的结构是用X RD和TEM进行分析的。结果表明所沉积的T_i薄膜是平均粒径,晶粒尺寸分布很窄的稳定fcc结构。在实验过程中发现可以通过对工作参数的调整控制薄膜的晶粒尺寸。我们还讨论了ECR等离子体对薄膜结构和晶粒尺寸的影响。     

高频气体放电等离子体处理对铁电体材料改性的影响

研究了高频气体放电等离子休对铁电体电滞特性的改性作用,并对其改性机现作了理论分析。研究表明：铁电体PZST经高频气体放电等离子体处理后,其电滞特性有明显改变,其中,矫顽电场强度Ee减小;自发极化强度Ps不变,其物理意义是铁电体电畴反转所需的能量降低;非线性增强。本文为铁电体电滞特性及其电光和光学非线性效应等的改变提供了一种新的物理实验方法。     

一种微波等离子体腔的模式分析

利用变分法对一种微波等离于腔中的主要模式进行了分析;导出了H_(11n)、H_(01n)、E_(01n)等模式的谐振频率的计算公式,由此计算H_(111)模的谐振频率,与实验结果进行了比较.