首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
研究了芳环在主链上的刚性高分子聚苯硫醚砜(PPSS)及PPSS-双酚A无规共聚物在二氯甲烷溶液中的荧光光谱.实验结果表明,当PPSS溶液的浓度大于8.1×10-5mol/L时,能由浓度效应证明,不仅有分子间的激基缔合物形成,而且随着外部光照射时间的增长,PPSS溶液中的激基缔合物可因分子链构象的变化而消失.在相同条件下,所得的PPSS-双酚A无规共聚物的荧光光谱中,只有单分子荧光谱带,而无激基缔合物谱带,并对此结果进行了必要的讨论  相似文献   

2.
在正十二烷基三苯基溴化鏻及正十六烷基三苯基溴化鏻胶束溶液中观察到了芘的激基缔合物荧光,利用激基缔合物形成几率与粘度的关系估计了这两种鏻盐胶束内核微粘度分别为229 cP和241 cP(23℃)。讨论了芘在胶束中的增溶位置以及胶束增敏光度反应机理。  相似文献   

3.
4.
电导法测定表面活性剂溶液的临界胶束浓度   总被引:4,自引:0,他引:4  
本文用电导法测定了十二烷基磺酸钠在40℃、50℃和60℃时的临界胶束浓度,根据“相分离模型”计算了40℃时十二烷基磺酸钠溶液的胶束形成标准焓变(△H_m~θ),标准吉布斯自由能变化(△G_m~θ)和标准熵变(△S_m~θ)。  相似文献   

5.
环糊精对表面活性剂临界胶束浓度的影响   总被引:6,自引:0,他引:6  
研究了25℃时环糊精作为添加物对3种表面活性剂临界胶束浓度(CMC)的影响,并通过线性拟合得到了相应的表观临界胶束浓度(CMC^*)随环糊精浓度变化的经验公式。  相似文献   

6.
表面活性剂对卟啉荧光光谱影响的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
研究了一系列不同类型表面活性剂对不同存在形体的卟啉(H2P和H4P^2+)TAPP,TPPS4和TPyP荧光光谱的影响,讨论了影响卟啉的荧光激发光谱,荧光发射光谱和荧光强度的主要因素,得出了一些规律和结论。  相似文献   

7.
研究在水溶液中阴离子聚电解质聚乙烯磺酸钠(PVS)诱导阳离子型染料硫代黄素T(ThT)激基缔合物的形成,考察在PVS存在下,ThT在水溶液中形成激基缔合物的影响因素.通过光谱实验及量化理论计算方法,比较ThT与PVS,PSS和PAA聚电解质之间的相互作用.结果表明:溶液pH值、溶剂和电解质的浓度对ThT激基缔合物的形成...  相似文献   

8.
折线型水溶性荧光共轭聚合物聚(1-丙氧磺酸基-3,5-苯撑-乙炔撑-9,10-蒽撑),m-PPEASO3Na,其主链骨架在水中及低浓度非离子表面活性剂的水溶液中以螺旋形构象存在,因而在630 nm处表现出很弱的荧光发射。然而一旦水溶液中非离子表面活性剂的浓度增大达到临界胶束浓度以上,荧光发射急剧增强同时有较大的蓝移,这直接指示了表面活性剂胶束的形成过程,提供了测定一些常见的非离子表面活性剂如Brij-35、曲通、吐温临界胶束浓度的简便荧光分析方法。尤其是Brij-35,荧光发射峰蓝移最大达到85 nm,且在紫外灯下裸眼可见明亮的黄绿色荧光。m-PPEASO3Na和表面活性剂胶束之间强烈的疏水相互作用导致聚合物主链螺旋形构象向伸展的无规线团构象转变,作为其结果,聚合物的荧光发射有极大的增强且发射峰蓝移。  相似文献   

9.
用表面张力、电导和法荧光光度法测定了阳离子表面活性剂3-对壬基酚基-2-羟丙基三甲基溴化铵(NPTAX,X=Cl,Br,I)的胶束化行为.根据实验数据及相应的公式确定出临界胶束浓度(cmc)、胶束聚集Gibbs自由能(ΔGm),临界胶束浓度时的胶束解离度(α0)和胶束聚集数.考察了温度、浓度和反离子对这些参数的影响.  相似文献   

10.
以芘为荧光探针,十六烷基氯化吡啶为猝灭剂,用芘饱和水溶液配制浓度范围为0.10 ~2.40 mmol/L的系列Gemini阳离子表面活性剂溶液,用稳态荧光探针法测定了该系列表面活性剂的临界胶束浓度CMC与胶束聚集数Nm.实验结果表明:该方法测定的CMC值与电导率法测定的CMC值相当;选择猝灭剂浓度为0.20~0.50 mmol/L时,所测得的表面活性剂胶束聚集数基本不变;当表面活性剂16-X-16浓度为4~9倍CMC时,胶束聚集数随表面活性剂浓度增大而线性增大;利用外推法得到的该表面活性剂临界胶束聚集数约为亲油基同碳数的CTAB临界胶束聚集数的一半.  相似文献   

11.
用再沉淀法制备了苝纳米溶胶并对其荧光性能进行了研究,实验发现其荧光激发光谱和发射光谱分别为400nm和565nm.当该体系中加入少量表面活性剂时,体系的荧光强度(nm)随着表面活性剂浓度的增加而增加,但是当表面活性剂浓度过大时体系的荧光强度随着表面活性剂浓度的增加而降低.本文对此种现象进行了机理讨论.  相似文献   

12.
激基缔合荧光具有发射谱带宽、斯托克斯位移大的特点,在传感、检测、成像及照明等方面具有广泛应用。本文提出了一个基于β-环糊精(β-CD)包合作用构建激基缔合发光体的新方法。通过多环芳醛(蒽醛和芘醛)与金刚烷胺缩合合成了2个席夫碱(ANAD和PYAD),二者都显示激基缔合增强的聚集诱导发光。席夫碱的金刚烷基与β-CD的疏水空腔高度匹配,与β-CD形成包合物后荧光性质会发生明显变化。在β-CD水溶液中,ANAD的发射光谱与β-CD浓度密切相关,当c(ANAD)∶cβ-CD)为1∶2时观察到明显的激基缔合发射。与ANAD不同,PYAD在各种浓度的β-CD水溶液中都发射激基缔合荧光,但过量的β-CD使荧光强度有所减弱。在固态下,ANAD和PYAD几乎没有荧光,与β-CD形成包合物后,二者都显示强激基缔合发射。总之,与β-CD形成包合物更有利于发射激基缔合荧光。  相似文献   

13.
在20~25℃范围内,以芘为探针,二甲苯酮为猝灭剂用荧光光度法测定了双子阳离子表面活性剂1,3-丙二胺N,N,-二烷基-2-羟丙基-N,N,N′,N′-四甲基二胺二氯化物(简写为GCnNCl2, n=12,14,16)的胶束聚集数N.结果表明:双子阳离子表面活性剂的胶束聚集数具有浓度依赖性,Nagg随浓度增大而线性增大.探针分子所处环境的微极性随浓度增大逐渐减弱.  相似文献   

14.
阳离子表面活性剂胶束对酯碱性水解的影响   总被引:3,自引:0,他引:3  
应用紫外分光光度法和热动力学方法,研究了芳香酸酯(苯甲酸乙酯)和正脂肪酸酯(乙酸乙酯、丙酸乙酯、丁酸乙酯、戊酸乙酯)在表面活性剂DTAB、TTAB、CTAB胶束溶液中的碱性水解反应。结果表明:季铵盐阳离子表面活性剂胶束对酯的碱性水解反应有禁阻作用。影响酯碱性水解的主要原因是胶束的极性。  相似文献   

15.
探讨添加各种电解质对三种亲油基团不同的非离子型表面活性剂临界胶束浓度的影响,并进一步总结其规律性。  相似文献   

16.
采用粘度、电导率、可见光光度计以及荧光光谱方法研究了聚电解质与表面活性剂在水溶液中的静电相互作用和疏水相互作用。认为表面活性剂头基电荷的种类对二者的相互作用有极大影响。二者复合物沉淀的产生取决于表面活性剂是以分子状态还是以胶束状态进行聚电解质溶液中。同时发现在有聚电解质存在时,表面活性剂可在低于CMC的浓度下形成胶束。  相似文献   

17.
研究了锌(Ⅱ)一永杨基荧光酮-酒石酸盐-阳离了表面活性剂形成四元混配型络合物的显色反应,研究了络合物形成条件和光谱特性,试验结果表明,在PH=8.3的硼砂-盐酸缓冲介质中,事物最大吸收波长为563nm,表观摩尔吸光系数达1.47×10^5L.mol^-1.cm^-1,锌含量在0-10μg/25mL范围内符合比耳宁律,该法显色迅速,络合物稳定,显色后放3h,吸光度几无变化,所拟方法在草酸钠、硫脲等掩  相似文献   

18.
以中性红为探针,用吸附伏安法测定了新型阳离子表面活性剂3-对壬基酚基-2-羟丙基三甲基溴化铵(NPB)的临界胶束浓度,该法的基本原理基于表面活性剂溶液中的痕量中性红能被悬汞电极吸附,由于中性红溶解在胶束中的浓度远大于水中,吸附伏安峰电流在表面活性剂临界胶束浓度形成时有一个明显的转变点,该转变点即为表面活性剂的临界胶束浓度。  相似文献   

19.
对1 ,3 - 二咔唑基丙烷(1 ,3 - DCZP) 在光激发下与电子受体化合物1 , 4 - 二氰基苯(1 ,4 -DNB) 形成三元激基复合物的光物理过程进行了研究. 结果表明, 当1 , 4 - DNB 对高浓度的1 , 3- DCZP荧光猝灭时, 随着猝灭剂浓度的增加, 电子给体和电子受体分子形成了[DDA]* 型(2个1 , 3 - DCZP分子和一个1 , 4 - DNB分子) 的三分子激基复合物; 当1 , 4 - DNB 对低浓度的1 , 3 - DCZP荧光猝灭时形成了[(DD)A] * 型(1 个1 , 3 - DCZP分子具有2 个电子给体基因, 与1 个1 , 4 - DNB分子) 的三元激基复合物.  相似文献   

20.
金属盐作用下的表面活性剂临界胶束浓度的变化研究   总被引:8,自引:0,他引:8  
用电导法系统地研究了金属离子--Cu(Ⅱ),Zn(Ⅱ),Co(Ⅱ),Ni(Ⅱ),La(Ⅱ)和Fe(Ⅲ)对两种离子型表面活性剂--十二烷基硫酸钠(SDS)和十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)的临界胶束浓度(CMC)的影响,并推导了一系列表达金属离子浓度和表面活性剂SDS及CTAB的临界胶束浓度(CMC)之间关系的经验公式。结果表明,SDS和CTAB的临界胶束浓度(CMC)均随着金属离子浓度的增加而减小,这些现象可以用反离子效应和熵驱动效应来解释。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号