导电聚噻吩薄膜的非欧姆电导——微观颗粒结构间的接触效应

有机导体TCNQ-TTF和喹啉Q_n(TCNQ)_2等有机电荷转移复合物单晶在高电场强下观察到非欧姆电导。对导电高聚物如电荷转移(CT)插入对离子(“掺杂”)聚乙炔(PA)和聚吡咯(PPy)薄膜也观察到电导的非欧姆性。但是这些物质均非单晶,其形态包括微纤或颗粒。本实验前已报道用四探针法测得的电导,一般被微纤间或颗粒间的接触电阻所控制,因此测得的非欧姆电导也很可能是颗粒间的接触效应而非导电高聚物的本征的性质。本文对聚噻吩(PTh)进行了电导的非欧姆性研究。     

在高聚物凝胶中生长TTF-TCNQ电荷转移复合物单晶

TTF-TCNQ电荷转移复合物是一种准一维有机金属导体,其室温电导达10~2—10~3欧姆~(-1)·厘米~(-1),在58—300K之间具有金属电导的温度依赖性。目前已有越来越多的这类有机金属导体被发现,他们的独特的物理性质正引起人们广泛的注意。     

立方砷化硼载流子迁移率的精准测量

<正>半导体是指常温下导电能力介于导体和绝缘体之间的材料.半导体材料广泛应用于集成电路、电子信息、照明、太阳能发电等领域. 19世纪30年代,法拉第首次发现硫化银的电阻随着温度的升高而降低,对半导体材料的研究就此发端. 20世纪40年代,贝尔实验室实现了半导体单晶的提纯精炼,导致了硅和锗半导体的大量实际应用.     

论电线电缆中导体电阻检测

作为电线电缆类设备的例行测试,导体电阻检测占据着重要地位.文章主要介绍了导体电阻检测的方法、实验结果计算,同时分析了实验结果的影响因素,主要包括接触电阻、检测电流大小和温差等方面.之后就新标准和旧标准的主要区别做了分析,主要包括:导体温度、有效数字位数、测量仪器的改变、检测技术的改变、夹具等.以期为相关检测人员提供参考依据.     

α,α′-联吡啶过渡金属络合物TCNQ盐的电导

近几年,在探索具有高电导或金属性电导的固体材料时,已对过渡金属的有机金属络合物发生了兴趣。例如Pt(bipy)_2·TCNQ复合物,以及最近报道的具有压片室温电导率在0.04～1.9(Ω,cm)~(-1)的CuL_2·TCNQ_2(L=bipy,phen)。我们在合成了一系列具有不同化学比的过     

硅衬底上制备4H-SiC择优取向膜的一种新方法

碳化硅（SiC）作为一种化学性能稳定的宽带隙半导体,是高温、抗辐射电子器件和短波长光电子器件的优选材料,倍受各国重视。在SiC常见多型中,4H-SiC比其它多型（6H或3C-SiC）有更宽的带隙,更高的电子迁移率和低的电子迁移率各向异性,所以更受青睐。 外延生长SiC薄膜,通常采用化学气相沉积,激光溅射法或分子束外延等方法。4H-SiC单晶薄膜一般在1500℃以上的温度下同质外延生长在4H-SiC单晶衬底上,所用设备复杂,产品成本很高。故探索在较低温度下生长优质4H-SiC薄膜的新途径具有重要意义。 我们曾利用短程结构与4H-SiC相似的非晶纳米氮化硅粒子的有机复合膜,经高温热解在单晶硅衬底上生长了4H-SiC多晶薄膜。在本文的工作中,我们利用LB膜技术,在单晶Si（111）衬底上对非晶氮化硅纳米微粒进行有序组装,形成氮化硅纳米微粒与聚酰亚胺复合的LB膜,经950℃真空热解,制得了以单晶硅为衬底,具有择优取向的4H-SiC晶态膜。用这种     

甲基丙烯酸甲酯-甲基丙烯酸共聚物/聚氧化乙烯氢键复合物-LiClO_4体系离子电导的研究

固体电解质,或称快离子导体,是指在固态时具有熔盐或液体电解质的离子电导性的一类材料。高分子固体电解质,由于其成膜性好,易于加工,粘弹性好,能适应电池充放电过程中电极体积的变化,同时有较好的化学稳定性,因而被认为是发展全固态高能锂电池的理想电解质材料。在高分子快离子导体的母体材料中,研究最多的是聚氧化乙烯(PEO)。因为离子电导     

TiAl基金属间化合物的塑性变形行为

Kawabta等首次发现,Ti_(43)Al_(57)单晶化合物的强度,在某一温度以下表现出随温度上升而提高的反常效应(以下称为R效应)。而Lipisitt和Huang的研究工作指出,多晶TiAl(46—60at％Al)化合物,屈服强度随温度的升高而降低,与Kawabata的单晶实验结果     

坩埚旋转下降法生长硫镓银单晶体及其特性观测

报道了红外非线性光学材料硫镓银多晶原料合成与单晶生长的方法──两温区气相输运温度振荡合成和坩埚旋转下降生长法．合成了高纯单相致密的ＡｇＧａＳ２多晶材料,生长出尺寸为φ１５ｍｍ×３０ｍｍ的ＡｇＧａＳ２单晶锭．对晶体的完整性进行了结构分析,观测到ＡｇＧａＳ２｛０１１｝面族的六级Ｘ射线衍射峰呈现高级次的衍射强度异常增强的反常现象．对晶体的位错蚀坑进行了扫描电子显微镜（ＳＥＭ）观察．     

量子点与分子器件中的近藤效应

近藤效应是低温凝聚态物理研究的重要领域, 指的是低温下稀磁合金电阻随温度降低而反常增加的多体现象. 在量子点系统中, 其表现为低温下电导随温度降低而升高. 本文重点描述了量子点系统中平衡近藤效应、非平衡近藤效应, 以及当单态与三重态发生简并时含有偶数个电子的量子点产生的近藤效应的基本特征和物理原理. 并指出基于有机材料的单原子/单分子晶体管为近藤效应的研究提供了全新的途径.     

有机单晶电致发光器件研究进展

有机单晶半导体材料由于分子排列有序、高稳定性和高载流子迁移率等优点,成为一类具有应用潜力的光电子材料,在光电器件领域获得了广泛的应用.特别是其弥补了无定形态有机薄膜在热稳定性和载流子迁移率等方面的不足,有机单晶在有机电致发光器件(OLED)方面展现了潜在的应用前景.有机单晶OLED器件从最初的点发光到成功实现了面发光,器件性能不断提升.本文聚焦有机单晶OLED,系统总结了材料和器件制备工艺以及器件性能优化等方面的研究进展,同时讨论了有机单晶OLED性能进一步提升所面临的瓶颈难题和可行的解决方案.     

新型半导体材料磷化铟单晶研制成功

中国科学院上海冶金研究所最近研制成一种新型的化合物半导体材料——磷化铟(InP)单晶.InP是一种直接跃迁型半导体,有较高的电流峰谷比和较大的热导,它比硅和砷化镓等常用半导体有更为优越的性能,可以在更高的频率及更高的温度下工作.在微波及光电器件领域中是一种极有希望的新材料. 早在五十年代,就开始了InP材料的研究,但由于它在熔点附近有较高的离解压(1062℃,27.5atm),给晶体生长带来了很大的困难.高压单晶炉的出现,使InP晶体生长的研究得到了迅速的发展. 我所以高压水平梯度冷凝法合成的InP多晶为原料,在自行设计、加工的GYL-1型高压单晶炉中,用液封法生长了InP单晶.在InP生长中出现孪晶是一个较难克服的问题,至今国外尚未完全解决.我所通过合理调整热场,维持合适的温度梯度,严格控制原料的化学配比;选择适当的拉速及转速,以得到一个平的或微凸的固液界面,从而排除生成孪晶的可能性.     

Sc的掺杂对La0.7Sr0.3MnO3磁电阻性能的影响

采用配合物热分解法制备了Ｍｎ位Ｓｃ掺杂Ｌａ０．７Ｓｒ０．３ＭｎＯ３的多晶相材料,考察了掺杂对结构,磁性和磁电阻性能的影响。结果表明,少量Ｓｃ的掺入可使体系Ｃｕｒｉｅ温度大大降低,电阻急剧增加,并可显著提高磁电阻效应。     

单晶C60压力诱导相变

在２９０Ｋ温度下和０－０．６００ＧＰａ流体静压国和范围内,通过对块体Ｃ６０单晶的直流电导测量,观察到在０．１７６ＧＰａ的压力下Ｃ６０单昌的电导发生一个大的跳跃,该跳跃对应于Ｃ６０单晶分子自旋取向从有序琶无序可逆相变。     

有机小分子多晶型控制研究进展:以药物为例

分子多晶型在医药、染料、颜料、光电材料和炸药等多个材料与化学工业领域产生了重大影响.设计科学合理的结晶过程以获得符合质量要求的特定晶型产品是多晶型化合物生产阶段的主要目标之一.本文立足于多晶型的控制,简单介绍了多晶型的概念与分类,重点探讨了近年来有机小分子多晶型(特别是药物晶体)的调控方法,并对目前多晶型控制方向存在的问题进行了总结与展望.     

中温烧结SBN铁电陶瓷的制备与性能

在压电陶瓷领域中,钨青铜结构的铌酸盐是最优秀的铁电材料之一.单晶铁电钨青铜结构中铌酸盐具有优良的电光性能,Van Damme报道Sr_xBa_(1-x)Nb_2O_6陶瓷有类似于单晶的性能,Kimura研究了KSr_2Nb_5O_(15)铁电材料,探讨了其Curie温度和介电常数与显微结构的关系.本文报道的Sr_(1-x)Ba_xNb_2O_6(SNB)可用来做电容器材料,有介质电系数高、容量随温度变化小、介质损耗小、绝缘电阻高等优点.较之以前报道过的此类材料各项参数均有显著的改进.     

Ba2ErCl7晶体的生长、结构和激光上转换机制

报道了新型上转换材料Ｂａ２ＥｒＣｌ７的单晶生长方法。用“一步合成法”直接将Ｅｒ２Ｏ３,ＢａＣｌ２．２Ｈ２Ｏ和ＮＨ４Ｃｌ合成Ｂａ２ＥｒＣｌ７多晶料,并分别用提拉法和坩埚下降法得到４ｍｍ＊８ｍｍ＊１５ｍｍ的优质大块单晶;用８０３ｎｍ的ＬＤ泵浦时有强烈的黄绿光发射;     

多晶超导体的上临界场

实验表明,单晶状态H_(c2)有显著各向异性的一些Ⅱ类超导体,其多晶样品有尖锐的正常-混合态相变.通常认为多晶上临界场等于单晶H_(c2)的空间方向平均.虽然从能带资料出发,按照Hohenberg和Werthamer给出的公式计算H_(c2)(0)的方向平均值,可以解释超导铌h~*(0)的有名的增强,但H-W公式是在弱各向异性近似下得到的,可否用于铌以及带结构各向异性更大的情况,还需要探讨;而且,已有人对H-W的推导提出异议. 关于多晶的超导电性,应考虑到另一特点.由于超导态的长程有序,多晶样品中的配     

用稀土催化剂合成聚乙炔薄膜

虽然早在1958年Natta等就报道了用TiCl_4-AlR_3催化体系可使乙炔聚合,但所得聚合物为不溶不熔粉末,不能加工成型,未能引起广泛的兴趣。七十年代初,白川用高浓度的Ti(OBu)_4-AlEt_3催化体系,首次得到了均匀的聚乙快膜。随后美国宾夕法尼亚大学的研究小组与白川合作,对聚乙炔膜进行p~-,n~-型掺杂,使其电导率增加约12个数量级,成为目前室温电导率最高的有机高分子导体。这一研究成果引起了人们极大的注意,成为当前有机导体研究的重要方向。近年来人们对聚乙炔的结构、电导及掺杂机理等进行了一些较为深入的研     

R■c结构的锂离子导体

锂的重量轻、电负性低,以此作为电化学器件的负极材料可大大提高其池电压和能量密度。尤其是近来人们对全固态锂电池的响往,促使对新锂离子导体的研究兴趣倍增。已知Lisicon是一种电导率较高的、三维传导的锂离子导体,但它的化学稳定性差、室温电导率也较低。Nasicon是一种Rc结构、高电导,且对H_2O稳定的钠离子导体,但用Li置换其中的Na以后得到的Li_3Zr_2SiPO_(12)电导率剧降。说明Nasicon中的离子迁移通道适合Na~+,