Sol—gel法制备WO3电致变色薄膜

本文采用Ｓｏｌ－ｇｅｌ法，用Ｎａ２ＷＯ４水溶液经质子交换树脂获得ＷＯ３溶胶，用浸涂法制备无色透明非晶ＷＯ３薄膜。ＷＯ３非晶薄膜显微结构疏松，表面有微裂纹，是良好的快离子导体，加负电压使其注入Ｌｉ＾＋离子引起钨离子还原而着色。经５００℃热处理后的ＷＯ３薄膜主要含斜方ＷＯ３晶相，显微结构致密，表面微裂纹闭合，不利于Ｌｉ＾＋离子注入，几乎无变色现象。     

电致变色WO3薄膜的结构与光电性能研究

对电致变色ＷＯ３薄膜的结构与光电性能进行了研究．首先从ＷＯ３薄膜的微观结构、电子能态出发，分析了电化学反应导致ＷＯ３薄膜光吸收并着色的机理；其次介绍了ＷＯ３薄膜的制作方法和过程．采用真空电子枪将热压块状ＷＯ３（纯度９９．９％）蒸镀在普通玻璃衬底上，然后用多种物理手段测试了ＷＯ３薄膜的性能与工艺参数的关系，如ＸＲＤ、ＸＰＳ．选择适当的工艺参数可使得膜层的特性达到最佳．最后指出ＷＯ３薄膜最有希望应用在光电子学和太阳能应用领域     

全固体互补电致变色器件研究

利用ａ－ＷＯ３和ｃ－ＮｉＯ的互补电致变色性能，结合有离子掺杂的固体电解质，采用反应蒸发方法，制备了一种在可见光直至红外范围有优良电致变色性能的全固体电致变色器件．对于波长为０．５６μｍ的入射光，光透过率的变化在６０％以上．器件经数百次循环开关后仍有稳定的电变色性能．染色态到漂白态的响应时间为１７ｓ，漂白态至染色态的响应时间为６０ｓ．     

氧化镍薄膜结构与电致变色性能的热处理效应

用电子束蒸发NIO粉末的方法在ITO导电玻璃上制备电变色氧化镍薄膜，并将薄膜置于200-500℃的空气环境中进行1h热处理．用XRD分析了薄膜的结构，用电化学方法测试了薄膜的电致变色性能．发现热处理对薄膜微观结构的影响较小，而对薄膜的致色效率及致色与消色态的速射率动态变化范围影响较大．分析了薄膜中电荷的输运机制，讨论了OH-离子电荷的注入位置     

磁控溅射WOx电致变色薄膜的结构

采用直流反应磁控溅射工艺,以纯钨靶为靶材在ITO玻璃上制备电致变色WOx薄膜,运用XRD衍射方法和扫描隧道显微镜(STM)测试手段对薄膜的晶体结构和微观表面形貌进行了分析,探讨了WOx薄膜的电致变色性能和微观结构之间的关系.实验分析结果发现:磁控溅射得到的WOx薄膜主要是非晶态的,而其在着色状态和退色状态下亦呈非晶特性;电致变色反应使薄膜的颜色发生了可逆变化,必然地也使结构发生了可逆变化.Li 的进出,虽然没有使组成WOx的基本结构发生大的变化,但其微观表面形貌发生较大差异,因为原子团簇的堆积方式向较规则的低能态堆积方式转变.     

全固态电致变色灵巧窗的研究

利用室温高离子电导率的聚甲基丙烯酸甲酯凝胶电解质制备了一种三氧化钨和普鲁士蓝互补型全固态电致变色窗,该电致变色灵巧窗呈现了良好的电致变色和记忆性能。Ｘ射线光电子能谱分析表明：４价钨离子和５价钨离子以及６价钨离子在钨青铜型化合物中共存。     

用WOCl_4制备WO_3薄膜

在Ｈｅ－Ｏ２混合气压恒定，射频功率为４０Ｗ～５０Ｗ、高压汞灯加热电流为５Ａ～６Ａ，衬底被加热到１００℃的条件下，以ＷＯＣＩ４作源，采用等离子体增强ＣＶＤ技术制备了ＷＯ３薄膜．沉积速度为４３ｕｍ／ｍｉｎ．该膜为无定形结构．在４００℃以上退火处理，由无定形转变为结晶形．并具有电致变色特性．     

热处理温度对WO_3电致变色薄膜性能的影响

采用改进溶胶-凝胶法制备WO_3薄膜,研究不同热处理温度对WO_3薄膜的物相组成、表面形貌、电化学和光学性能的影响。用原子力显微镜(AFM)考察薄膜的表面形貌,用X线衍射(XRD)表征薄膜的物相组成,循环伏安法测试薄膜的电化学性能以及紫外-可见光分光光度计对薄膜的光学性能进行表征。结果表明:在热处理温度为200℃下得到的无定形WO_3薄膜具有较好的电致变色性能、较短的响应时间及较好的循环稳定性,电致变色循环可逆性为78.04%,薄膜着色、褪色态对比度在34%左右。     

氧化镍电致变色薄膜的XPS研究

采用Ｘ射线光电子能谱分析技术研究了直流磁控反应溅射法制备的氧化镍电致变色薄膜初始态，漂记和着色态的表面和经氩离子枪剥离后的内部组成与化学状态。并对测试结果进行了分析和讨论。     

氧化镍薄膜的结构与电变色性能的热处理效应

用电子束蒸发NiO粉末的方法在ITO导电玻璃上制备电变色氧化镍薄膜,并将薄膜置于200－500℃的空气环境中进行1h热处理．用XRD分析了薄膜的结构,电化学方法测试了薄膜的电致变色性能,发现热处理对薄膜微观结构的影响较小,而对薄膜的致色效率及致色与消色态的透射率动态变化范     

磁控共溅射法制备Zn_(1-x)Cr_xO薄膜及其结构性能

本文采用磁控共溅射方法在玻璃衬底上制备了Cr掺杂ZnO薄膜,通过改变Cr溅射功率,从而改变Cr的掺杂量.介绍了Zn1-xCrxO薄膜的制备方法,分别用X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对不同Cr溅射功率的一系列薄膜的结构,成份、元素含量及价态等性能进行了分析.结果表明,Cr溅射功率为20 W的样品,具有最好的c轴择优取向,Cr以+3价形式掺入薄膜中,Cr3+替代了部分Zn2+.     

Optical properties of amorphous thin film of Se-Te-Ag system prepared by using thermal evaporation technique

Zn_(0.95)Co_(0.05)O and Zn_(0.91)Co_(0.05)Cu_(0.04)O thin films were fabricated on Si(111) substrate by the reactive magnetron sputtering method at different O-Ar ratios.Detailed characterizations by X-ray diffractometry(XRD),X-ray photo-electronic spectrum(XPS), and electron paramagnetic resonance(EPR) indicate that the doped Cu ions substitute the Zn~(2+) ions in the ZnO lattice.The doped Cu ions are in Cu~+ and Cu~(2+) mixture valence states.The ferromagnetism of the Zn_(0.91)Co_(0.05)Cu_(0.04)O film ...     

Enhancement of magnetism of Zn0.95Co0.05O films by p-type Cu+ doping

Organic solar cells withμ-oxo-bridged gallium phthalocyanine dimer(GaPc dimer) and fullerene were produced by an evaporation method.A device based on the GaPc dimer provided a conversion efficiency of 4.2×10~(-3)%,which is better compared to a device based on phthalocyanine monomer.Dimerization effect was discussed with a molecular orbital calculation,and the crystalline phases of the present solar cells were investigated by X-ray diffraction.Further improvement of the efficiency was discussed on the bas...     

Eu3+掺杂钨酸钇体系荧光粉的制备及发光性能分析

氧化钇(Y2O3)、 氧化铕(Eu2O3)与三氧化钨(WO3)为原材料,通过调整Y2O3(Eu2O3)与WO3的摩尔比例,采用高温固相法制备钨酸钇体系红色荧光粉,通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)等表征分析样品的晶相结构、形貌尺寸和光致发光性质。研究结果表明:当Y2O3与WO3的摩尔比例为1∶1和1∶3时,可分别合成纯相的Y2WO6:Eu3+红色荧光粉和Y2W3O12:Eu3+红色荧光粉;该系列红色荧光粉可被近紫外光和蓝光有效激发,发射峰值位于615 nm(Eu3+离子的5D0→7F2跃迁)的红光;Y2WO6:Eu3+红色荧光粉的相对发光强度明显优于Y2W3O12:Eu3+红色荧光粉;Y2WO6:Eu3+红色荧光粉Eu3+的最佳掺杂浓度(摩尔分数)为5%。     

新型多壁碳纳米管复合薄膜材料气敏性能研究1

采用射频反应磁控溅射锡（Sn）靶和钨（W）靶的方法制备了SnO2/WO3/MWCNT复合薄膜材料和气敏元件,通过XRD和XPS实验分析了复合薄膜材料的物相结构及表面化学状态,测试了该气敏传感器的气体敏感性能,包括灵敏度、选择性等特性,实验结果表明,该复合薄膜气敏传感器表现出较好的气敏性能,对NO2有较好的灵敏度,对其他干扰气体不敏感。对实验结果与气敏响应机理进行了初步的分析与讨论。     

锶掺杂TiO2薄膜电极的制备及其光电性能

采用水热法制备了不同Sr²⁺掺杂量的TiO₂胶体溶液,并以FTO玻璃为基底制备了Sr²⁺掺杂TiO₂薄膜电极。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)等对Sr²⁺掺杂TiO₂进行表征与分析。结果表明Sr²⁺掺杂抑制了部分锐钛矿型TiO₂ 向金红石型的转变及促进晶粒尺寸的减小,薄膜表面为三维多孔结构,Sr²⁺有效地掺杂到了TiO₂晶格中。薄膜电极的电流密度-电压测试表明,Sr²⁺掺杂有效提高了TiO₂薄膜电子的光电转换效率,其中1% Sr²⁺掺杂量薄膜的转换效率相对于未掺杂的TiO₂薄膜提高了11.5%。     

锌表面Mo(W)-S彩色簇合物膜的结构和性能

在锌表面获得多种具有金属光泽的不溶性Mo(W)-S彩色簇合物膜．膜层有良好的耐蚀性能和装饰效果，加热处理后其颜色发生变化，加速腐蚀试验结果表明，金黄色膜耐蚀性最佳．FT-IR、FT-Raman、XPS和AES分析表明，该膜层厚度约为60mm,钼在膜表面的价态为 6，而在膜内层则以 6、 4价共存．从AES深度分布曲线可知其组成为：Zn 32．5％，Mo 19．3％，S 39．4％，O 8．5％,膜为多分子层组成的复杂体系，其颜色是各组分统计分布的结果．     

氧化钒薄膜的掺锆实验研究

以V2O5和Zr（NO3）4．5H2O为原料，采用无机溶胶-凝胶法制备了掺Zr^4＋的VOx（2≤X≤2．5）相变薄膜。通过对掺杂薄膜的物相组成、价态、相结构的XPS和XRD分析及电阻突变量级和电阻突变温度的测试，结果发现：所制备的掺杂薄膜其主要成分是VO2，所掺入的Zr与VOx完全互溶，但其中Zr的价态未发生改变。掺杂薄膜随Zr含量的增加其电阻突变温度下降．同时其电阻突变量级也随之降低。     

三氧化钨晶化薄膜的制备及微观结构研究

研究了三氧化钨（WO3）晶化薄膜表面分子结构的AFM表征及X射线衍射谱。结果发现，WO3溶胶掺铂薄膜经460℃热处理后晶化，元胞为正六面体，内含1个WO6八面体，氧离子位居6个面心，钨离子处在体心，晶格常数为（0．75±0．05）nm。自然生长面为002面，在002面上的元胞中有5个离子，4个氧离子位居四边形的顶点，钨离子处于中心，氧离子的间距为（0．55±0．05）nm。     

Fe离子注入ZrO2的研究

陶瓷材料的表面性能在很大程度上取决于其表面条件.例如:陶瓷的表面微裂纹影响着机械强度,而磁学及电学性能则对其表面结构及化学成份非常敏感.近年来离子注入法已经开辟了研制现代材料的新途径,并被广泛应用于金属、半导体及部分聚合物材料中.对于陶瓷材料,目前大多数有关这方面的研究集中于改善陶瓷表面的机械性能,很少有论文涉及其表面电性能的改善.本文介绍了一种改善ZrO2陶瓷表面导电性能的新方法.ZrO2陶瓷是绝缘体,常温下其电阻率大于1012Ωcm.通过不同剂量的离子注入可以使得样品表层产生不同程度的电性能变化.试验表明,当采用2×1017Fe/cm2注入,并在950℃下真空退火30分钟,ZrO2的表面电阻率将下降十余个数量级,从而大幅度提高了样品的导电性.文中还通过应 用X射线衍射及光电子能谱技术,分别对注入元素的化学结合状态及表面注入层的结晶相进行了较为详细的讨论.从XPS测试发现,注入离子在ZrO2表层中以Fe2+、Fe3+及Fe0三种形式的状态存在;X射线衍射数据表明,注入层中除ZrO2主晶相外,还存在少量的FeZrO3等晶相.文章的最后部分讨论了离子注入样品的导电机制.