单晶硅力学性质探索

本文的目的在于研究n型和p型硅单晶材料在外荷载作用下的变形性质。将云纹干涉和散斑干涉技术用于硅单晶材料变形性质的测定。试验结果表明,当载荷值小时,其变形量增大,而当载荷增加时,其变形增长量减小,这一现象证实了在硅晶体中存在着弱结合空位层,在外载荷作用下,排出晶体中的空位,致使晶体增密,或者说提高了硅单晶的密度所致。     

空位缺陷掺杂单层MoTe2的研究

采用基于密度泛函理论的电子结构计算软件包Atomistix Tool Kit(ATK),研究了缺陷掺杂的单层MoTe_2,计算了五种单空位缺陷的原子结构和3%～12.5%浓度范围内的形成能,分析了空位浓度对单层MoTe_2相变的影响.研究结果表明Te空位的形成能比Mo空位的低,调节Te空位的浓度能实现单层MoTe_2的1H和1T′相之间的相互转变.     

单层含硫空位MoS2光伏效应的第一性原理研究

基于非平衡态格林函数——密度泛函理论，采用第一性原理研究方法，对单层含硫空位MoS₂的光伏效应进行了研究.利用能带图和联合态密度分析单层含硫空位MoS₂的光响应函数.结果表明:对于单层含硫空位的MoS₂，线偏光电流效应不明显，而圆偏光电流效应比较明显.计算模拟了随偏振角(相位角)变化的光响应函数，计算结果符合唯象理论.单层含硫空位的MoS₂可被应用于新型电子和光电子器件中，为进一步认识单层硫空位MoS₂的光电流效应提供了新的理论基础.     

正电子检测直拉硅的中子辐照缺陷

在90～300K温区范围内测试了中子辐照直拉硅单晶的正电子寿命谱及红外光谱,发现直拉硅单晶的中子辐照缺陷主要是双空位和氧-空位复合体.此外,还分析了这些缺陷的一些基本性质.     

局域体缺陷对石墨烯纳米带电子输运性质的影响

利用递归格林函数方法研究存在体空位时之字型边界石墨烯纳米带的电子输运性质。研究结果表明,纳米带的电导对体空位非常敏感。当体系存在一个单原子空位时,电导受到明显的压制,完美的量子化台阶消失。同时在费米能处存在一个电导沟;当体系存在一个双原子空位时,电导压制亦非常明显,但电导沟存在于第一能带带边处。局域态密度分析结果显示,电导沟的形成是因为电子态局限在体空位周围,不能形成有效的电子通道,从而导致体系电导下降。另外,当存在两个随机分布的单原子空位时,体系的电导存在共振透射峰,透射峰的数目随着两个体空位之间的距离改变而改变。计算结果发现,体空位之间的距离每增加3个超原胞,电导将会增加一个透射峰。     

含单空位的(10,10)碳纳米管的振动性质和拉曼谱

运用Brenner经验势计算了碳原子间力常数和具体的振动模式,在此基础上利用经验键极化模型计算了含有单空位的(10,10)碳管的非共振拉曼谱.计算结果表明,单空位造成的局域模式所对应的拉曼峰位于完整碳管的G带之外,因此,在实验上可以用这一特性来探测碳管中的单空位.同时,当单空位浓度较小时,碳管的管径几乎不发生变化,仅仅是在拉曼谱中R带上劈裂出一些新的峰,这一现象主要源自于空位带来的对称性破缺.     

空位缺陷对过渡金属表面电子态及化学吸附的影响

本文用Ｅｉｎｓｔｅｉｎ和Ｓｃｈｒｉｅｆｆｅｒ的单电子化学吸附理论及Ｙａｎｉｖ的空位理论研究了空位缺陷对过渡金属表面态密度及化学吸附引起的表面态密度变化的影响。结果表明，空位离表面格点愈近，对其表面态密度影响愈大，空位的存在有利于表面复合物的形成。这与实验符合得很好。     

含氧空位立方HfO_2电子结构和光学性质的第一性原理研究（英文）

利用基于第一性原理密度泛函理论框架下的平面波超软赝势法,研究了含氧空位立方HfO_2的几何结构、电子结构和光学性质。计算结果表明,氧空位缺陷对晶格参数的影响不明显。能带结构和态密度结果表明在-0.216 eV处出现了氧空位缺陷能级。通过对比纯立方HfO_2的光学吸收边,由于氧空位缺陷能级的出现,含氧空位立方HfO_2的光学吸收边向低能方向移动。此外,氧空位的出现导致了静态介电常数的增加。     

缺陷对二维碳化硅结构的影响

研究了单空位和双空位缺陷对碳化硅结构的影响.缺陷的存在明显地改变了碳化硅结构的带隙,C原子单空位缺陷转变为直接带隙半导体,带隙甚至减少到0.01 e V.通过对体系磁性的计算,我们发现Si原子的单空位缺陷和双空位缺陷均为体系带来了磁性,磁性的产生主要是由于Si原子缺陷的存在使得缺陷周围的C原子在缺陷处产生了未成对电子,从而体系产生了磁性.     

空位缺陷对CrSi_2光电性能的影响

采用第一性原理方法,计算含空位缺陷CrSi2的电子结构和光学性质,并分析含Cr和Si空位缺陷的CrSi2光电性能.结果表明:Cr和Si空位均使CrSi2的晶格常数和体积变小;能带结构密集而平缓,且整体向上移动,Si空位缺陷形成带隙宽度为0.35eV的p型间接带隙半导体,Cr空位缺陷在原禁带间出现两条新的能带;含空位缺陷CrSi2的电子态密度仍主要由Cr3d层电子贡献,Si空位缺陷对电子态密度的影响较小,Cr空位缺陷提高了Fermi面处的电子态密度;与CrSi2相比,含空位缺陷CrSi2的介电峰均向低能方向略有偏移且峰值降低,吸收系数明显变小.     

MoTa合金点缺陷和迁移性能的第一性原理研究

基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法研究了B2型MoTa合金三种缺陷(空位、反位缺陷和自间隙原子)的形成和迁移机制。根据能量最小观点,三种缺陷形成由难到易程度依次为:反位、空位缺陷和自间隙原子。在MoTa合金的六种迁移方式中,尽管[1-11]一步跳所需迁移能最低,但其迁移结果打破了系统局部有序性。[010]一步跳和[011]一步跳迁移结果保持了系统局部有序性,但需较高的迁移能。所以[010]一步跳和[011]一步跳将分别被[010]共面六步跳或[100]不共面六步跳和[011]共面六步跳所替代。     

一种近似计算金属多空位形成能的方法

空位以及多空位的形成能的计算对研究空演位变行为有重要意义.本文利用已经现有的单、双空位形成能结果,采用刚性球模型来表达空位,得出了金属多空位形成能的计算公式,并且进行了讨论.计算了部分体心立方过渡金属的多空位形成能（3空位,4空位）和结合能,并与现有的结果进行比较,结果相差较小.     

Al-Fe-Zr三元系中金属间化合物的形成焓计算

采用普适分析型的嵌入原子模型,通过拟合纯元素的晶格常数、空位形成能、结合能和体积模量等,确定出Al、Fe和Zr的嵌入原子模型参数,并用该嵌入原子模型分别计算由Al、Fe和Zr元素构成的3个二元系以及三元系中的有序合金化合物的形成焓。计算结果与已有的实验结果和第一原理计算结果符合得比较好。从计算Al-Fe-Zr所组成的三元有序金属间化合物的形成焓得出的金属间化合物稳定性趋势与三元相图相符合。     

密排六方金属中多空位的改进分析型嵌入原子法计算

应用改进分析型嵌入原子法(Modified Analytical Embedded-Atom Method,MAEAM),计算了密排六方(Hexagonal Closed-Packed,HCP)金属(c/a<1.633)单空位形成能以及双空位与三空位的形成能与结合能.空位形成能的最小值或结合能的最大值均表明,双空位稳定结构是第一近邻[1n]、第二近邻[2n]或第三近邻[3n];三空位稳定结构是三空位组成两个第一近邻和一个第二近邻[112]、一个第一近邻和一个第二近邻以及一个第三近邻[123]或三个第二近邻[222].这说明在密排六方金属(c/a<1.633)中存在空位聚集趋势.     

Behaviors of helium in vanadiu m: Stabil ity, diffusi on, vacancy trapping and ideal tensi le strength

The behaviors of helium in vanadium including stability,diffusion,and its interaction with vacancy as well as its effects on the ideal tensile strength was investigated by a frst-principles method.The activation energy barrier of helium was calculated to be 0.09 eV,which is consistent with the experimental result.The results indicated that the vacancy can lead to a directed helium segregation into the vacancy to form a helium cluster since the vacancy provides a "lower atomic and electron density region" as a large driving force for helium binding.It is easy for a mono-vacancy to trap helium and form a Hen V complex.The frst-principles computational tensile test demonstrates that helium obviously decreased the tensile strength of vanadium.     

乙酰丙酮铟的制备

介绍ITO薄膜重要原料乙酰丙酮铟的制备方法,制备条件:有机多元酸浓度8.2×10-2mol/L,乙酰丙酮0.5mol/L,pH值为9.1,制得的乙酰丙酮铟一次合成产率99.8%,产品纯度99.95%.实验添加有机多元酸与锢络合物作为合成反应的中间体,解决了铟盐水解对合成反应的有害影响.     

Horn集上的语义正单元归结

Ｌ． Ｈｅｎｓｃｈｅｎ证明了语义归结对 Ｈｏｒｎ集是完备的［１］。但是语义归结不是正单元归结。本文的主要结果是不可满足的Ｈｏｒｎ子句集合Ｓ有这样一个反驳，对于这个反驳的每一个归结来说，或者一个祖先子句是正单元，而且该正单元在 Ｉ上是假的；或者一个祖先子句是正单元，而且从另一个祖先子句和这个归结式中删去他们的正义字后剩下的子句在 Ｉ上都是假的．其中 Ｉ是 Ｓ的任何一个解释。     

9-硝基-20（S）-硝基喜树碱的合成

以喜树碱为原料，在三氯化铝催化下、硝酸钠和三甲基氯硅烷生成硝基氯中间体为硝化试剂，四氯化碳作溶剂合成9-硝基-20（S）-喜树碱（9-NC）。收率为25％。     

3-溴-4-烷氧基-4'-硝基偶氮苯光限幅性能的研究

采用倍频Nd：YAG脉冲激光,在波长为532nm,脉宽8ns,重复频率10Hz的条件下,研究了新型偶氮苯化合物的光限幅特性,实验结果表明,其具有较好的光限幅特性,限幅机制主要起源于反饱和吸收。