离子取代对La_2CuO_4结构的影响

详细研究了各种离子取代Ｌａ２ＣｕＯ４中的Ｃｕ２＋、Ｌａ３＋和Ｏ２－后对Ｌａ２ＣｕＯ４结构的影响．Ｌａ２ＣｕＯ４在常温下具有正交结构．当Ｌａ３＋被Ｓｒ２＋或Ｃｕ２＋被Ｎｉ２＋取代后，正交结构便转变为四方结构．Ｍｇ２＋取代Ｃｕ２＋使Ｌａ２ＣｕＯ４存在着向四方结构转变的趋势；其它离子取代Ｌａ３＋或Ｃｕ２＋都使Ｌａ２ＣｕＯ４保持正交结构．利用ＸＲＤ（Ｘ－射线粉末衍射）和ＩＲ（红外光谱）对取代样品的结构进行了表征     

离子取代对La_2CuO_4的结构和磁学性质的影响(英文)

La2 CuO4的结构中因存在键角为 180°的…Cu—O—Cu—O—Cu…链而表现出反铁磁性 .Zn2 + 或Mg2 + 取代Cu2 + 后就破坏了这种长程有序 ,使Cu2 + 的有效磁矩升高 ,并且在 77～ 30 0K温区内观察不到N啨ｅｌ态 .La2 Cu1 xNixO4没有电子自旋共振(ESR)响应 ,也观察不到其N啨ｅｌ态 .La2 Cu1 xMxO4(M =Zn2 + ,Mg2 + )有ESR响应 ,这种响应很可能是由拉长的CuO6 八面体产生的 .采用常规的物理方法如X 射线粉末衍射 (XRD)和电子自旋共振等对样品进行了表征     

离子取代对La2CuO4的结构和磁学性质的影响

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离了取代对La2CuO4结构的影响

详细研究了各种离子取代Ｌａ２ＣｕＯ４中的Ｃｕ＾２＋、Ｌａ＾２＋和Ｏ＾２－后对Ｌａ２ＣｕＯ４结构的影响，Ｌａ２ＣｕＯ４的常温下具有正交结构，当Ｌａ＾３＋被Ｓｒ＾２＋或Ｃｕ＾２＋被Ｎｉ＾２＋取代后，正交结构便转变为四方结构，Ｍｇ＾２＋取代Ｃｕ＾２＋使Ｌａ２ＣｕＯ４存在丰向四方结构转变的趋势；其它离了取代Ｌａ＾３＋或Ｃｕ＾２＋都使Ｌａ２ＣｕＯ４保持正交结构，利用ＸＲＤ（Ｘ－射线粉末衍射）和ＩＲ（红外光谱     

退火对CdS薄膜和CdS纳米晶的电学与光学性质的影响

通过喷雾热触获得CdS薄膜，水热法合成CdS纳米晶，在氮气中做了退火处理，发现CdS膜的吸收边随退火温度升高而移动；经暗电阻与温度关系测试，发现CdS薄膜和纳米晶的激活能存在极小值，用载流子衰减时间的变化很好地解释了其缘由；室温喇曼谱中观察到CdS的两个特征峰。     

离子取代对Ba（Zn1—xCox）2Fe16O27铁氧体μi—T曲线的影响

采用氧化物工艺制备Ｂａ（Ｚｎ１－ｘＣｏｘ）２Ｆｅ１６Ｏ２７六角铁氧体,通过不同含量Ｃｏ＾２＋、Ｃｕ＾２＋对Ｚｎ＾２＋的取代,发现平面型Ｂａ（Ｚｎ１－ｘＣｏｘ）２Ｆｅ１６Ｏ２７的μ１－Ｔ曲线出现双峰（Ⅰ、Ⅱ）,随着Ｃｏ＾２＋、Ｃｕ＾２＋含量的增加,第Ⅱ峰分别移向高温和低温。     

不同原子比对固相反应制备方钴矿电学性质的影响

方钴矿(CoSb₃)是较为优秀的中温区热电材料之一,具有较好的应用前景。本研究采用高温固相反应法,在923 K、保温时间约30min的条件下,制备了钴锑不同原子比的方钴矿,考查了室温附近钴元素减小量对方钴矿的微观结构和电学性质变化影响。研究结果表明,当钴元素的减小量x≤0.5时,仍然可以合成单相的方钴矿,而当钴元素的减小量继续增大时,方钴矿的合成效果会急剧变差;样品Co_4-xSb₁₂具有许多微气孔,随着钴元素的减小,样品的结晶度明显变差,微气孔的数量和尺寸也明显增多;样品Co_3.9Sb₁₂获得的最大Seebeck系数的最大绝对值为375μV/K,样品Co_3.7Sb₁₂最小电阻率为74 mΩ·cm,样品Co_3.5Sb₁₂获得的最大功率因子为77.7μW/(m·K²)。     

La2O3:Eu3+纳米棒的水热合成以及光学性质研究

以La(NO3)3·6H2 O,Eu(NO3)3·6H2 O和正丁胺等为原料,采用水热法合成La(OH)3:Eu3+纳米棒前驱体,进而退火制备La2 O3:Eu3+纳米棒,并通过X射线衍射、扫描电镜及荧光光谱分析等手段对产物进行表征.结果表明,所得纳米棒呈现出多孔的棒状形貌,具有较高的结晶度.通过荧光光谱分析,La2 ...     

分散剂对纳米复合材料CoFe2O4/SiO2的影响

采用溶胶-凝胶法制备CoFe2O4/SiO2纳米复合材料,使用X射线衍射仪和扫描电镜对样品的结构、晶粒尺寸和形貌进行了分析.研究了分散剂乙二醇的用量对样品的影响.     

制备条件对NiFe2O4粉末合成的影响

通过固相反应,制备了NiFe2O4陶瓷粉末.经XRD分析,由产物的衍射线位置和强度对比,得出烧结温度与保温时间对NiFe2O4陶瓷粉末的合成有重要影响.结果表明:当恒温时间为2 h时,随着烧结温度从973 K升高到1 423 K,NiFe2O4粉末的质量百分含量从35.85%增至99.97%.当烧结温度为1 273 K时,随着恒温时间从2 h延长至6 h,NiFe2O4粉末的质量百分含量从75.8%增至99.91%.提出了适当的延长保温时间和提高烧结温度对NiFe2O4陶瓷粉末的合成非常有利.     

圆筒型植物细胞质膜的分布电荷所引起的电场和对细胞内压力的影响

根据细胞双电层模型和电学原理,推出了圆筒型植物细胞膜上电荷产生的细胞内压力的计算公式.利用该公式分析了植物细胞膜上电荷产生的电场力对细胞内压力的影响.得出了细胞的实际内压力和植物体的实际刚度比只考虑机械压力的理论结果要大,细胞的实际破裂情况比只考虑机械压力时的理论分析结果要容易些三点结论.     

凝胶干燥温度对CoFe2O4／SiO2纳米复合材料的影响

采用溶胶．凝胶法制备了CoFe2O4／SiO2纳米复合粉末．利用热重／差热综合热分析仪、X射线衍射研究了凝胶干燥温度对CoFe2O4／SiO2纳米复合粉末的结构和晶粒尺寸的影响．结果表明。提高凝胶干燥温度有利于形成完整的二氧化硅网络,从而实现CoFe2O4晶粒的有效细化．     

三价铜对导电性能的影响及其表征

研究了两种不同类型晶体结构的稀土铜酸盐中三价铜对导电性能的影响及三价铜的表征,Ca^2 取代Y^3 或Sr^2 取代La^3 ,使Y2Cu2O5和La2CuO4中铜的价态升高、样品电阻率降低,利用化学滴定法、X-射线光电子能谱（XPS）和磁化率测量对Y2-xCaxCu2O5和La2-xSrxCuO4中三价铜的存在及其自旋状态进行了表征。     

H0.8Ni0.4Ti1.6O4/TiO2纳米复合材料的合成及光催化性质

用固相合成法制备出K0.8Ni0.4Ti1.6O4,并用离子交换法制备出H0.8Ni0.4Ti1.6O4;通过C6H13NH2层间膨胀,TiO2粒子的插入和紫外光分解等反应,合成出一种新的层状光催化纳米复合材料H0.8Ni0.4Ti1.6O4/TiO2.X射线衍射和漫反射等表征结果表明:该样品的层间高度为0.37 nm,禁带能隙为3.35 eV和2.58 eV.用可见光范围(大于400 nm)的光照射30 min,0.4 g样品可使甲基橙溶液(20 mg/L)的降解率达到21.9%,而同样条件下,标准TiO2(P-25)仅为6.2%,表明所研制的层状纳米复合材料具有较高的光催化活性.     

TiO2薄膜制备及光诱导超亲水性能研究

以玻璃为基底,采用溶胶一凝胶法,利用旋涂技术在玻璃表面制备了膜厚小于100nm,粒径在10-30nm之间的纳米TiO2薄膜;利用XRD,AFM系统研究了煅烧温度及膜厚对薄膜亲水性的影响．结果表明,煅烧温度可以控制TiO2薄膜晶相类型,从而强烈影响薄膜的亲水性,煅烧温度为550℃时TiO2薄膜亲水性能达到最佳,经紫外光照2h后接触角为6°;研究还发现TiO2薄膜的亲水性随膜厚增大而提高,当膜厚超过85nm后趋于稳定．     

无铅压电陶瓷（Sr2-xCax）2Bi4Ti5O18制备及其压电性能研究

采用固相合成法制备了铋层状无铅压电陶瓷Sr2-xCaxBi4Ti5O18（SCBT）（0≤x≤0.2）.利用XRD对900℃合成出的粉体进行了表征,结果显示粉体相结构是Aurivillius结构相.通过SEM形貌分析可以看出1160℃保温2h烧结出的陶瓷为片状结构.研究结果表明SCBT陶瓷的居里温度、矫顽场随钙含量的增加而增加.