磁场中三维极化子的非线性效应

利用电声相互作用哈密顿量的一般形式求出电子－ＬＯ声子相互作用哈密顿量二次项的具体形式，然后将求得的新哈密顿量应用于磁场中的三维极化子问题，运用二阶ＲＳＰＴ微扰方法求得极子基态的和第一激发态的能量修正。     

电子—声子的非线性相互作用哈密顿量

本文用固体量子场论方法,推导出计及非线性相互作用的电子-声子相互作用系统的哈密顿量的普遍表达式,并给出三种类型极化子哈密顿量的具体表达式.结果表明:纵声子和横声子均对非线性效应有影响.     

声学形变势表面极化子的性质研究进展

综述了近年来对声学形变势表面极化子的性质方面的部分工作。在第一节中从表面电子—表面光学(SO)声子和电子—表面声学(SA)声子系的哈密顿量出发，用线性组合算符和么正变换法研究与S0和SA声子弱耦合的声学形变势表面极化子的有效哈密顿量、有效相互作用势和有效质量的性质。在第二节中研究了与S0声子耦合强与SA声子耦合弱的声学形变势表面极化子的振动频率，诱生势和有效质量的性质。在第三节中研究了与S0声子强耦合与SA声子弱耦合的声学形变势表面极化子的有效哈密顿量、振动频率和有效质量的温度效应。在第四节中计算了与SO声子耦合强与SA声子耦合弱的声学形变势表面极化子的声子平均数随坐标Z、振动频率λ和η的变化规律。在第五节中采用微扰法研究了声子之间相互作用对与SO声子强耦合与SA声子弱耦合的声学形变势表面极化子的有效哈密顿量、诱生势和有效质量的影响。     

形变势表面极化子的重正化质量

本文采用改进了的线性组合算符法导出了极性半导体中与形变势相互作用的表面极化子的有效哈密顿量。讨论了极性半导体中表面极化子重正化质量的性质。     

一维形变势声学激子

本文从Ｗｈｉｔｆｉｅｌｄ提出的哈密顿量出发，并把它推广到声学激子。利用Ｈａｇａ处理极性晶体中极化子时所用的变分法，并考虑了形变势和声学声子间相互作用，导出了有效哈密顿量，最后讨论了声学激子的性质。     

关于非线性光学中的相互作用哈密顿量

本文讨论了非线性光学中Shen—Walls非线性相互作用哈密顿量的合理性,指出其存在问题,并说明在使用非线性极化模型的情况下,描述原子与辐射场相互作用哈密顿量的多极形式不能推广到非线性介质与辐射场相互作甩的情形。最后,我们得到一纯场模形式的非线性相互作用哈密顿量形式,作为对Shen--Walls哈密顿形式的一个修正。     

电子相互作用对准一维有机铁磁体的铁磁基态的影响

提出了一种基于极化子的准一维有机高聚物铁磁体模型．在这种模型中，依靠极化子而不是有机自由基来提供未配对电子．利用 Ｐｅｉｅｒｌｓ Ｈｕｂｂａｒｄ 哈密顿量，考虑强电声耦合，允许完全的格子松驰过程，建立了一套自洽迭代方程，计算了格点上的电子相互作用和格点间的电子相互作用对有机铁磁体的铁磁基态的影响     

纳米线中声学极化子基态能量的求解

首先推导了纳米线中电子-声学声子相互作用的新哈密顿量,然后用Huybrechts变分法计算出了声学极化子的基态能量,并进一步讨论了纳米线中声学极化子自陷的判别标准.与前人研究成果对比发现,纳米线中声学极化子自陷的判别标准与一维声学极化子自陷的判别标准相当.     

电子相互作用对准一维有线铁磁体的铁磁基态的影响

提出了一种基于极化子的准一组有机高聚物铁磁体模型，在这种模型中，依靠极化子而不是有机自由基来提供与对电子，利用Ｐｅｉｅｒｌｓ－Ｈｕｂｂａｒｄ哈密顿量，考虑强电－声耦合，允许完全的格子松驰过程，建立了一套自洽迭代方程计算了格点上的电子相互作用和格点间的电子相互作用对有机铁磁体的铁磁基态的影响。     

极性晶体中三维和二维声学极化子自陷的有效质量特征

运用Huybrechts方法研究了三维和二维声学极化子有效质量作为电子-声子耦合参量的函数的变化特征.对二维声学极化子的研究,采用了我们最近导出的电子-声学声子相互作用哈密顿量.结果表明:电子-声子耦合达到一定强度时声学极化子有效质量发生突变而使极化子自陷,声学极化子在二维系统中比三维条件下更容易自陷.     

推广的SSH哈密顿及其孤子解

使用紧束缚近似方法推导出推广的ＳＳＨ哈密顿，比Ｄａｖｙｄｏｖ孤子的哈密顿多了一个表现电子近邻跳跃与晶格振动的耦合项，随后使用数值方法计算非线性方程的孤子解。对一些材料，与Ｄａｖｙｄｏｖ孤子解一致，对另一些材料，则产生不同程度的变形。     

理想介观环AC型持续流

本文导出了电子在电磁场中合ＡＣ效应的哈密顿量，结果比Ａｈａｒｏｎｏｖ－Ｃａｓｈｅｒ的中子哈密顿多了１／２因子，应用到同时存在ＡＢ，ＡＣ效应的介观环中，精确求出了能诣，持续电流，自旋流的解析表达式。讨论了Ｔ＝０Ｋ时ＡＣ效应诱发的持续流，在强电场下，ＡＣ效应有极重要影响。     

应用库仑孔法计算氦及类氦离子的基态能量

本文在模型［２］的基础上，通过改进多电子体系的哈密顿算符Ｈ使之计及电子相关作用．运用变分法计算氦及类氦离子的基态能量．结果与实验值符合甚好．     

有限单量子阱结构中电子—界面光学声子相互作用

本文给出了有限单量子阱结构中电子与有（界）面光学声子相互作用的类弗留里希哈密顿算符，电子－声子耦合函数被计算和讨论。     

带电粒子在垂直电场和磁场中的闭合轨道及其分叉现象研究

从哈密顿正则方程出发,推导出了带电粒子在相互垂直的电场和磁场中的运动方程,根据运动方程讨论了带电粒子的运动轨迹形成闭合轨道所满足的条件.计算结果表明:随着带电粒子能量的不断增大,带电粒子运动轨迹中闭合轨道的条数不断增多.当能量增加到某一边界能量时,一条新的闭合轨道出现;当能量大于此边界能量时,这条新的闭合轨道发生分叉,由一条分为两条.     

半无限晶体中与声子普适耦合的表面电子

电子在半无限晶体内表面附近运动时,不仅受到表面光学声子和体纵光学声子的影响,而且还受表面声学声子的影响。本文同时考虑体纵光学声子、表面光学声子以及表面声学声子的影响,研究半无限晶体中与声子普适耦合的表面电子的性质。采用线性组合算符和拉格朗日乘子法,分别导出了在强、弱耦合情形下表面电子的有效哈密顿量,得到了强、弱耦合表面电子的重正化质量。     

在激光尾场加速中电子密度和初始动量对其自注入及加速的影响

利用哈密顿理论给出了等离子体电子在尾场中捕获及其加速与激光、等离子体参量的关系表达式.讨论了等离子体电子密度和初始动量对电子自注入和加速的影响机制.研究结果表明:静止电子不能被尾场捕获并加速,而具有一定初始动量的电子容易自注入至激光尾场中并得到加速.等离子体密度越小,激光尾场场强越强,电子将获得更大的能量.2维粒子模拟结果与理论结论一致.所得结果对超强超短脉冲激光尾场加速电子的方案具有理论指导意义.     

半导体双势垒结构界面光学声子模及其与电子的耦合

采用宏观连续介质模型研究了极性半导体双势垒结构中界面光学声子模．计算了界面光学声子的色散关系和声子势;给出了电子－界面光学声子相互作用哈密顿量．对ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ材料进行了数值计算和讨论     

金属中电子等离激元(plasmon)运动方程的推导

由于金属中电子-晶格离子系统的哈密顿式较复杂,如其中含有四个电子产生、湮灭算符乘积的项,使人们在推导其相应的电子等离激元运动方程时感到困难.本文讨沦了此相互作用哈密顿项的奇点问题,并对运动方程作了严格推导.     

电场中里德堡Li原子的动力学性质的研究

研究了电场中的里德堡态Li原子的动力学特征.虽然Li原子与H原子一样最外层都只有一个价电子,在远离核的地方电子的运动情况二者基本相同,由于原子实的存在,即使是能量很低时Li原子的哈密顿量也不能分离变量,因此在核区附近总是存在着混沌.利用Poincaré截面的方法比较了Li原子与H原子在动力学性质方面的不同,并进一步说明在外场中非H里德堡原子的光吸收回归谱中所出现新的共振峰可以归结为原子实的散射作用产生的组合轨道的效应.