Pb（Cd1／2Te1／2）O3）及三元系压电陶瓷Pb（Cd1／2Te1／2）O3—PbZrO3…

研制了一种新的三元系统压电陶瓷材料Ｐｂ（Ｃｄ１／２Ｔｅ１／２）Ｏ３－ＰｂＺｒＯ３－ＰｂＴｉＯ３，本系统材料压电性强，时间稳定性极佳，其时间稳定性比改性的ＰＣＭ提高一个数量级，作者认为稳定性的提高原因，不是由于材料的“软化”，而在于Ｔｅ＾６－离子在电畴界面的偏聚对畴壁的“钉扎”作用，确定了Ｐｂ（Ｃｄ１／２Ｔｅ１／２）Ｏ３是顺电相其含量以４－６ｍｏｌ％为宜，部分Ｃｄ＾２＋取代Ｚ＾４＋ｒ，使本系统材料“     

（Pb、Ca、La）TiO_3陶瓷的溶胶－凝胶制备和特性

用溶胶－凝胶工艺制备了Ｐｂ_（０．９５－ｘ）Ｃａ_（０．０５）Ｌａ_ｘＴｉ_（１－ｘ／４）Ｏ_３（Ｘ＝０．０５～０．２）系统的微粉和陶瓷，该材料密度可达理论密度值的９０％以上。研究了该陶瓷的物理和电性质，所测得热释电系数ｐ＝２．２０×１０~（－８）～３．１７×１０~（－８）Ｃ／ｃｍ~２·Ｋ，并具有负温度系数效应。讨论了对应Ｔｉ—Ｏ_Ｉ伸缩振动铁电软模和Ｏ_Ｉ－Ｔｉ－ＯＩＩ、（Ｐｂ、Ｃａ、Ｌａ）－（ＴｉＯ_３）的弯曲振动红外和远红外吸收光谱。根据陶瓷极化前后ＸＲＤ谱强度的变化，计算了该陶瓷极化后电畴在空间的择优取向分布。     

Sol—gel法合成Bi1.6Pb0.3Sb0.1Sr2Ca2Cu3Ox体系的超…

本文用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法合成了Ｂｉ１．６Ｐｂ０．３Ｓｂ０．１Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｘ体系的高Ｔｃ超导原粉，对于不同的烧结时间，材料的超导性有不同程度的差异，并与同种方法合成的Ｂｉ１．７Ｐｂ０．３Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｘ体系进行了比较。用Ｓｏｌ－ｇｅｌ法，在Ｂｉ系中掺杂Ｐｂ，同样会缩短烧结时间，促进高温相的形成，同时掺杂Ｐｂ，Ｓｂ，形成超导材料所需的烧结时间进一步缩短。     

乙炔二锂（C2Li2）异构体反应的分子轨道研究

基于量子化学从头计算法（ＣＣＳＤ（Ｔ）、ＱＣＩＳＤ（Ｔ））以及二阶微扰法（ＭＰ２），研究了乙炔二锂分子的平面桥式与线性式之间的异构化途径．６－３１１Ｇ（ｄ）基态被用于几何优化和反应途径的确定，而６－３１Ｇ（３ｄｆ）基态被用于单点式计算．其有关结构优先及成键特征的结果与用Ｍφｌｅｒ－Ｐｌｅｓｓｅｔ微扰方法所得一致．在ＭＰ２／６－３１１Ｇ（ｄ）理论水平上给出了质－权坐标的最小能量途径．在本研究的最高理论水平［ＱＣＩＳＤ（Ｔ，ＦＵＬＬ）／６－３１Ｇ（３ｄｆ）∥ＱＣＩＳＤ（Ｔ，ＦＵＬＬ）／６－３１１Ｇ（ｄ）］上，发现平面型分子的异构化势垒（１０．０ｋｃａｌ／ｍｏｌ）要比线型Ｃ２Ｌｉ２（１．３ｋｃａｌ／ｍｏｌ）的大得多     

Cu（Ⅱ）,Pb（Ⅱ）,Zn（Ⅱ）,Cd（Ⅱ）痕量金属离子的浮选分…

以焦磷酸根（Ｐ２Ｏ７＾４－）为配体，二六烷基三甲溴化铵（ＣＴＭＡＢｒ）为鼓泡剂，对Ｃｕ（Ⅱ），Ｐｂ（Ⅱ），Ｃｄ（Ⅱ）等４种金属离子的浮选分离进行了研究。讨论了ｐＨ值，氮气流速、Ｐ２Ｏ７＾４－的浓度、ＣＴＭＡＢｒ的浓度、金属离子浓度对浮选率的。到了其最佳分离条件，对Ｃｕ（Ⅱ）－Ｃｄ（Ⅱ），Ｐｂ（Ⅱ）－Ｃｄ（Ⅱ），Ｚｎ（Ⅱ）－Ｃｄ（Ⅱ）等二元组分进行了较好的分离。     

自旋三重态对半磁半导体Cd_（1－x）Fe_xTe和Cd_（1－x）Fe_xSe的基态精细结构分裂的影响

本文在强场图象下推导了３ｄ４／３ｄ６离子在三角晶场中包括自旋－轨道相互作用的哈密顿矩阵公式．采用双ＳＯ轨道模型计算了Ｆｅ２＋离子在Ⅱ－Ⅵ半磁半导体ＣｄＴｅ和ＣｄＳｅ中的基态精细结构分裂（ＦＳＳ）．理论计算的ＦＳＳ和实验结果符合很好．并且发现自旋三重态对基态的ＦＳＳ起着重要的影响     

Pb_（1－x）Ca_xTiO_3铁电薄膜的制备

合成了稳定性良好的用于溶胶－凝胶法制备Ｐｂ＿（１－ｘ）Ｃａ＿ｘＴｉＯ＿３（ｘ＝０．１～０．３）薄膜的涂液。研究了不同掺Ｃａ量对薄膜晶相结构和相变温度的影响。用旋涂法在（１００）ＭｇＯ单晶衬底材料上生长出均匀、无缺陷的钙铁矿结构（１００）择优取向的Ｐｂ（Ｃａ）ＴｉＯ＿３薄膜，取向率大于９５％。测定了在（１１１）Ｓｉ单晶衬底材料上得到的Ｐｂ（Ｃａ）ＴｉＯ＿３陶瓷薄膜的电学性质。     

Sol-gel法合成Bi_(1.6)Pb_(0.3)Sb_(0.1)Sr_2Ca_2Cu_3O_x体系的超导材料的研究

本文用Ｓｏｌ－ｇｅｌ法合成了Ｂｉ１．６Ｐｂ０．３Ｓｂ０．１Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｘ体系的高ＴＣ超导原粉，对于不同的烧结时间，材料的超导性有不同程度的差异，（超导转变温度为１０８．３～１１６．１Ｋ）并与同种方法合成的Ｂｉ１．７Ｐｂ０．３Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｘ体系进行了比较．用Ｓｏｌ－ｇｅｌ法，在Ｂｉ系中掺杂Ｐｂ，同样会缩短烧结时间（缩短６０ｈ），促进高温相的形成，同时掺杂Ｐｂ，Ｓｂ，形成超导材料所需的烧结时间进一步缩短（缩短１５３ｈ）．利用ＳＥＭ和Ｘ－ｒａｙ观察和分析了样品的形貌特征和物相结构．Ｓｏｌ－ｇｅｌ法具有工艺简单，烧结时间短，样品颗粒均匀、粒度小、组分易控等优点，在高ＴＣ超导材料中不失为一种行之有效的材料制备工艺．     

（C6Me6）2Fe.PCNP2类化合物的导电模型

用ＣＮＤＯ／２Ｍ方法计算了（Ｃ６Ｍｅ６）２Ｆｅ．ＰＣＮＰ２和（１，３，５－Ｍｅ３Ｃ６Ｈ３）２Ｆｅ．ＰＣＮＰ２有机导体分子的电荷密度、键级等量子化学参数。计算表明，（Ｃ６Ｍｅ６）２Ｆｅ．ＰＣＮＰ２分子中两个苯环骨架Ｃ原子和Ｆｅ所带的电荷密度分别大于（１，３，５－Ｍｅ３Ｃ６Ｈ３）２Ｆｅ．ＰＣＮＰ２分子的。     

Fe6（CO）14（μ—CO）3（μ—η^2—OOCNC6H11）的合成和表征

（Ｎ（Ｐ（Ｃ６Ｈ５）３）２（ＨＦｅ３（ＣＯ）１１）与异氰酸苯酯反应，酸化后给出了簇合物Ｆｅ６（ＣＯ）１４（μ－ＣＯ）３－（μ－η＾２－ＯＯＣＮＣ６Ｈ１１）异氰酸苯酯的Ｃ＝Ｏ双键劈开加氧，以（μ－η＾２－ＯＯＣＮＣ６Ｈ１１）形式配位于２个铁原子，异氰酸苯酯的苯加氢还原子为环己烷，同时表征了产物的ＩＲ，＾１ＨＮＭＲ和ＭＳ谱。     

Adhesive-Bonded Ca(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3/Ba(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3 Layered Dielectric Resonators

Ca(Mg_ 1/3 Nb_ 2/3 )O_3 and Ba(Zn_ 1/3 Nb_ 2/3 )O_3 ceramic cylinders with the same diameter were bonded by adhesive with low dielectric loss to yield the layered dielectric resonators, and the microwave dielectric characteristics were evaluated with TE_ 01δ mode. With increasing the Ba(Zn_ 1/3 Nb_ 2/3 )O_3 thickness fraction, the resonant frequency (f_0) decreased, while the effective dielectric constant (ε_ r,eff ) and temperature coefficient of resonant frequency (τ_f) increased. Good microwave dielectri...     

Cd1-xZnxS/SiO2介孔组装体系的光学性质

利用sol\|gel法得到SiO₂介孔固体, 浸泡热分解后获得Zn不同质量分数的Cd_1-xZn_xS/SiO₂介孔组装体. 吸收光谱表明, 随着x的增加, 吸收边向短波方向移动, 这是由于Zn离子进入CdS取代了Cd离子, 使Cd_1-xZn_xS能隙增大所致. 由于量子尺寸效应, 荧光光谱中发光峰的宽化现象较明显,  同时发光强度随x增大而增强, 这是由于Zn离子使α相比例减少而有利于发光所致.       

（1-x）Pb（Sc1／2Ta1／2）O3-xPbTiO3陶瓷的结晶特性与介电性能研究

在钽钪酸铅中加入钛酸铅,形成具有复合钙钛矿结构的钽钪酸铅 钛酸铅固溶体(1-x)Pb(Sc1/2Ta1/2)O3 xPbTiO3(简称PSTT(x)),可有效提高钽钪酸铅材料体系的居里点、降低其制备温度,从而扩大PST体系的应用范围.用常规氧化物合成电子陶瓷方法制备了钽钪酸铅 钛酸铅弛豫铁电陶瓷,采用XRD,SEM等分析技术,研究了PSTT(x)陶瓷的结晶特性和微观形貌,测试了PSTT(x)陶瓷的介电性能.实验结果表明,利用常规氧化物合成电子陶瓷方法可以合成钙钛矿结构的PSTT(x)陶瓷,其钙钛矿相的含量可达到90%以上,最高达100%.SEM分析表明,PSTT(x)陶瓷的晶粒饱满、晶界清晰.PSTT(x)陶瓷的热滞温度随x的不同,大致在6～12℃之间变化;PSTT(x)陶瓷的居里常数C 为3.7～8.3×106K2.     

0.05Ba(Cu_(1/2)W_(1/2))O_3-0.95PZT的性能研究

采用固相合成法制备 0 .0 5Ba(Cu1/ 2 W1/ 2 )O3 - 0 .95PZT三元体系压电陶瓷 ,研究了烧结温度对压电陶瓷压电性能的影响 ;通过XRD和SEM测试发现材料仍为钙钛矿结构 ,显微分析表明晶粒之间结合紧密 ,颗粒大小均匀 ;实验结果表明 ,压电陶瓷的压电系数d3 3 为 6 0 5pC/N ,机电耦合系数Kp为 0 .37左右 ,机械品质因数Qm 为 6 0。     

Li[Li(1/3-x/3)Mn(2/3-2x/3)Cox]O2(x=O.1)的团簇自旋玻璃态行为

采用柠檬酸盐法制备了六方层状结构的Li[Li(1/3-x/3)Mn(2/3-2x/3)Cox]O2(x=0.1)材料.体系在高温区呈现顺磁态,通过拟合Curie-Weiss定律得到Curie和Weiss常数分别为1.70(2)m3 K/mol和-22(3)K.该材料的磁化率曲线在低温区表现出不可逆转变行为,并且这种不可...     

稀磁半导体Cd＿（1－x）Mn＿xTe，Cd＿（1－x）Fe＿xTe的巨法拉第效应

用消光法、交替磁场法和磁光调制法测量了不同温度下、不同组分的稀磁半导体Ｃｄ＿（１－ｘ）Ｍｎ＿ｘＴｅ和Ｃｄ＿（１－ｘ）Ｆｅ＿ｘＴｅ的巨法拉第效应。实验表明：对较高组分的，法拉第旋转角为负，用单振子模型能很好地描述实验结果。稀磁半导体Ｃｄ＿（１－ｘ）Ｆｅ＿ｘＴｅ表现出与Ｃｄ＿（１－ｘ）Ｍｎ＿ｘＴｅ同量级的巨法拉第效应，当组分较低时，法拉第旋转角随入射光子能量出现由正到负的变化，必须用多振子模型才能很好解释实验结果。当样品很薄或磁场较低时，磁光调制法以其很高的测量精度显示出巨大的优越性。     

0.74Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.26PbTiO_3薄膜的光学性能研究

采用磁控溅射法,选用LaNiO3(LNO)作为缓冲层和电极层,在硅基片上成功地制备出了0.74Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.26PbTiO3(PMN-0.26PT)铁电薄膜.X射线衍射(XRD)分析表明薄膜具有沿(110)方向择优取向的钙钛矿结构.利用NKD光谱测试仪测试了薄膜的反射谱,并使用最小二乘法进行拟合分析得到其折射率和消光系数.在沉积温度为500℃时,薄膜具有更为均匀和致密的微观结构.在波长为633 nm时,该薄膜的折射率大小为2.41.薄膜的折射率和消光系数随着光子能量的增加而增加.薄膜的这些光学特性使其有望在低压电光转换器、光波导等器件中应用.     

包含式完全正则(T*3(1/2))是相对可乘的

本文讨论包含式完全正则空间（T31/2^＊）关于相对积拓扑的可乘性问题．     

锂离子电池正极材料Li［CoxLi 1/3-x/3Mn2/3-2x/3］O2的制备与表征

采用柠檬酸盐法合成了Li［Co_xLi _{1/3-x/3}Mn_2/3-2x/3］O₂（x=0.1,0.2,0.3,0.4,0.5）正极材料. 利用X射线衍射(XRD), Raman光谱和红外光谱(FTIR)等方法研究不同质量分数的Co对材料晶体结构的影响, 并分析了原因. 对不同组分的材料进行了电化学性能测试, 结果表明, 当x=0.5时, 样品充放电容量高, 循环性能优良.      

Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3-BaTiO_3 Complex Perovskite Ferroelectric Ceramics with High Dielectric Constant and Low Firing Temperature

The effects of different firing temperatures on the stability of perovskitC phase, grain size, and die-lectric propertes were investigated by XRD, TEM, SEM and dielectric measurements. The dielectric ceramicsof Pb (Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-Pb TiO_3-BaTiO_3 system were obtaine d by chemical coprecipitation in water The ceramicshave higher dielectric constan (7003-9714), lower firing temperature (950-1150℃), quite uniform micro-structrue with grain size less than 2.5 μm, and lower temperature coefficiens of capacitance. As a result, it wasconfirmed that the simple and low cost chemical route used namely coprecipitation in water is a desired meth-od for preparin high property dielectric materials applicable to multilayer capacitors.