对晶体管单管放大电路组态的教学探讨

指出确定晶体管单管放大电路组态时存在的一些问题并通过具体实例进行了探讨。给出确定晶体管单管放大电路组态的一般方法，这种方法具有普遍性，在教学中易于学生接受和掌握.     

潜在不稳定条件下实现双共轭匹配的晶体管放大器特性分析

对潜在不稳定条件下的晶体管放大器实现双共轭匹配特性进行了探讨 ,求出晶体管稳定后的参数 ,为进一步判断实现双共轭匹配后电路的稳定性和求最大增益提供了便利 ,并给出了具体实例     

复合开关晶体三极管特性的探讨

本文讨论了复合开关晶体管的基本特性和开关特性,提供了实测数据和应用电路实例。     

复杂反馈电路的导纳矩阵分析

本文从一般线性网络的矩阵分析法入手,采用晶体管简化儿参数导纳矩阵,介绍了矩阵法分析复杂反馈电路的方法。通过实例,总结了这种方法的特点。     

Multisim在晶体管放大电路中的仿真应用

本文介绍了Multisim仿真软件的基本功能和特点,通过仿真实例,将Multisim仿真技术和晶体管放大电路的分析有机结合。结果表明在传统的电子技术课程中引入仿真技术教学,形象直观,使学生加深对理论知识的理解。     

模拟电路的一种有效诊断法

本文提出了一种诊断模拟电路的新方法可有效地诊断含晶体管、电阻、电容以至运放元件的电路.仅需在实数域进行计算.同时,为减少必须的引出端子数、提出了多频测试诊断.文中给出通用程序框图,并举出应用实例.     

触发截止型保护电路

晶体管串联型直流稳压电源中，调整管的过流保护电路是其重要的组成部分。以灵敏度更高、可靠性更强为目的，所设计的触发截止型过流保护电路，能对任何耐压的调整管实施安全可靠的保护，使串联型稳压电路的输出电压大大提高。最后给出实例：设计在一台100mA、0－750V的晶体管串联型直流稳压电源中的触发截止型过流保护电路。     

改进型大功率晶体管自保护驱动器

本文在分析大功率晶体管过电流保护技术的基础上,提出一种新型大功率晶体管自保护驱动器。它在功率晶体管直通和输出短路情况下,自行关断晶体管,没有保护死区,实现了可靠的过流快速保护     

几种静态随机存储器单元的性能分析

本文分析了四种不同晶体管数量（6管~9管）的八种不同结构SRAM单元。对每个单元的工作原理进行了分析,结合设计实例和模拟结果对这些SRAM单元的功耗、读写能力、稳定性等性能进行了对比,并总结了一些设计经验。     

一种新型单电子-MOS晶体管混合的半加器电路

基于单电子晶体管的I-V特性和MOS晶体管的逻辑电路设计思想,提出了1个单电子晶体管和MOS晶体管混合的反相器电路,进而推导出其它基本逻辑门电路,并最终实现了一个半加器电路。通过比较单电子晶体管和MOS晶体管两者的混合与纯CMOS晶体管实现的半加器电路,元器件数目得到了减少,电路结构得到简化,且电路的静态功耗降低。SPICE验证了电路设计的正确性。     

浅议晶体管特性图示仪校准方法

晶体管特性图示仪是能在示波管屏幕上观察与测试晶体管管特性曲线与直流参数的测量仪器。晶体管特性图示仪的精确度直接影响晶体管器件的实际结果。因此本文以JT-1型晶体管特性图示仪为例,介绍了改型号图示仪的工作原理、校准原理及校准技术。     

碳纳米管用于场效应晶体管的应用研究

 传统硅晶体管在微小化方面遇到瓶颈,碳纳米管作为一维量子材料,成为未来晶体管最具潜力的候选者。介绍了几种典型的碳纳米管场效应晶体管结构的基本工作原理及独特性能;着重介绍了近年来几种常见的碳纳米管场效应晶体管,并结合其结构与工作原理,论述了一系列技术革新和性能改进;总结了碳纳米管场效应晶体管未来需解决的几个重要问题。     

Π4功率晶体管热阻的测量

一、引言在无线电设备中应用功率晶体管时,往往需要利用晶体管所能获得最大限度的输出功率以及延长管子的使用寿命。为此,在设计功率晶体管时,要求能准确地计算它的热阻;在制造和应用功率晶体管时,要求能准确地测量它的热阻。早几年,许多工作者对小功率晶体管的热阻进行了研究,建立了等效热路,提出了热阻的测量方法。但是,直到目前为止,尚未找到精确测量大功率管热阻的方法,而且     

浅谈晶体管电路在继电保护中的应用

文章论述了晶体管电路在继电保护中的应用,分析了晶体管电路在现代电力系统中应用的优势及其发展趋势。     

晶体管放大器输出谐波的改进Volterra级数算法

本文提出一种计算晶体管放大器输出谐波的改进Volterra级数算法。该算法的特点是计算时间短,程序编制简单,并且可以方便地求得电路三次以上的各高次谐波分量;在大信号运用下,计算精度比Volterra级数算法有一定的改善。本文并给出了此改进算法的实现和计算实例。     

基于示波器的晶体管特性曲线测试电路的研究——HYDZ-1电路原理与调试

在晶体管HI-FI功放制作、学校学生晶体管实验中,需要晶体管特性图示仪进行晶体管配对、特性曲线观察,但晶体管特性图示仪价格昂贵.文章中介绍的晶体管特性曲线测试电路,配合普通示波器,可替代晶体管特性图示仪完成这一任务,观测效果良好.     

选极功率晶体管通过鉴定

提高大功率晶体管抗热疲劳性能是国家“七·五”攻关项目,我校从80年代初就围绕这一课题开展基础性研究,并于1987年获得了两项晶体管封装方面的国家专利,在此基础上从总体上优化设计了晶体管、解决了制造技术中的关键问题,圆满地完成了省科委1989年下达的研制选极功率晶体管的重点科研项目,并于1990年6月通过了省级鉴定。该晶体管具有高安全性、高可靠性、耐潮湿、耐粉尘、高频性能好、无干扰、自屏蔽、使用方便、电极易于辨认等一系列优点,晶体管的器件内在热稳固性好,间歇工     

单电子晶体管/场效应管混合存储单元数值分析

基于背景电荷不敏感单电子晶体管／场效应晶体管混合存储单元利用单电子晶体管源漏电流随栅电压周期振荡的牲工作,以半经典的单电子正统理论为基础,采用计算机数值模拟的方法,分析了背景电荷不敏感单电子晶体管／常规场效应晶体管混合存储单元的工作原理和基本特性,提出了存储单元中分别以三结电容耦合单电子晶体管和电子旋转栅替代双结单电子晶体管的新结构,其主要思想是通过增加单电子器件中的串联随道结数来抑制各种噪声。模     

硅赝异质结双极晶体管的电学参数性能分析

具有重掺杂基区和中等掺杂发射区的硅赝异质结双极晶体管，其能带结构类似于真实异质结双极晶体管的能带结构。本文研究了硅赝质结双极晶体管的电流增益，截止频率和基区电阻等电学参数性能及其与温度的关系。并指出了硅赝异质结双极晶体管在低温下应用的潜力。     

晶体管的频率特性

本文通过晶体管放大能力随频率的变化而显示出的频率特性,着重讨论了表征晶体管频率特性的参数f_α,f_β,f_T,f_m的物理意义,分析了频率参数对晶体管工作状态的影响,以及在电路设计中如何正确、灵活地应用这些参数。