场效应管和双极型晶体管复合特性的分析及应用

用场效应管和双极型晶体管组成的复合管具有互补的特性．本文分析比复合管的特性，并举例说明其应用．     

电阻耦合单电子晶体管电学性能分析

基于单电子系统半径经典模型，分析了电阻耦合单电子晶体管的电学特性，得到其电学性能不随背景电荷分布变化的特点，通过时域特性分析，指出了时延参数τ＝C∑Rg，并用Monte-Carlo法对其构成的反相器进行了模拟验证。     

利用PN结伏安特性测量电子电量

利用PN结正向压降温度特性实验组合仪,通过测量PN结的正向伏安特性,在PN结电流小于200μA情况下,采用非线性回归方法计算了电子电荷量,该测量值1.582×10-19 C,与公认值1.602×10-19 C的相对误差仅为1.2%.     

基于Muhisim9．0的单管放大电路分析

Muhisim9．0是电子电路仿真实验中广泛应用的理想工具。本文简单介绍了该软件的主要功能和新增功能,并详细介绍了应用Muhisim9．0对单管放大电路的分析。     

基于关联度分析的特征模式

在关联度分析的基础上，通过对少量某一状态得到的模式参数形成的模式建立关联度矩阵，来寻求该状态下的标准模式，并以此标准的依据，识别其它众多序列中隶属于此标准序列的状态模式；在无条件进行大量实验数据的情况下，对排除噪声信号干扰和随机因素，确定标准模式，具有较强的实用怀     

单电子晶体管/场效应管混合存储单元数值分析

基于背景电荷不敏感单电子晶体管／场效应晶体管混合存储单元利用单电子晶体管源漏电流随栅电压周期振荡的牲工作,以半经典的单电子正统理论为基础,采用计算机数值模拟的方法,分析了背景电荷不敏感单电子晶体管／常规场效应晶体管混合存储单元的工作原理和基本特性,提出了存储单元中分别以三结电容耦合单电子晶体管和电子旋转栅替代双结单电子晶体管的新结构,其主要思想是通过增加单电子器件中的串联随道结数来抑制各种噪声。模     

基于SOI的可变电容的特性分析

提出了一种利用二维器件与电路模拟器ISE中的AC分析提取可变电容主要参数的方法,利用它对一种基于SOI的三端可变电容(栅控二极管)进行了模拟研究,并分析了几个主要结构参数对SOI变容管性能的影响.结果显示,栅氧厚度、硅膜掺杂、硅膜厚度等结构参数会对SOI变容管的调节范围和灵敏度有直接影响.在模拟中,还观察到了当栅氧厚度很薄时,多晶硅栅耗尽导致的可调电容的变化范围不规则变化的现象.该研究结果可为SOI可变电容的进一步实验设计和优化以及建模工作提供指导方向和依据.     

三极管与场效应管的对照分析

用对照的方法对三极管与场效应管及其放大电路进行了分析,尤其是将三极管也视为电压控制器件来与场效应管对比,以说明两种管子及其放大电路的工作原理、分析方法的实质是相同的。     

基于Matlab的飞行器系统动态特性分析

以Ecolifter为参考模型,推导适用于Matlab的飞行器系统运动数学模型.利用Matlab科学计算平台,求解飞行器运动方程,分析飞行器系统的动态稳定性,求解传递函数和过渡过程响应,研究飞行器设计参数对动态特性的影响.与传统的动态特性分析方法相比,利用Matlab分析飞行器系统动态特性更为简便,一体化设计程度提高.     

基于PDT的压电双晶片传感特性分析

基于ANSYS的概率设计技术对压电双晶片位移型传感器的位移特性和灵敏度特性进行了有限元分析.求得了压电双晶片位移传感器灵敏度与双晶片的材料参数和几何尺寸的关系.分析结果对于压电双晶片传感器的设计和优化具有重要的工程意义.