砷化镓P^＋Pnn^＋结构缓冲层的深能级分析

用低品位廉价砷化镓衬底制备了具有P~ Pnn~ 结构的Al_xGa_(l-x)As/GaAs太阳电池,对一组具有P型层桔构参数相同、n型缓冲层厚度不同的样品作了细致地深能级瞬态谱(DLTS)的测量分析.结果表明缓冲层的生长厚度大于6μm后,才可有效地阻挡来自衬底的不良影响,使深能级缺陷密度降至符合制备高效太阳电池的要求.     

GaAs0.55P0.45发光二极管中的无辐射陷阱

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,研究了GaAs0.55P0.45红色发光二极管深能级.结果表明,有B陷阱的GaAS0.55P0.45红色发光二极管亮度比有C陷阱的低;并对B陷阱深能级位置的真实值进行了详细计算.     

AlGaAs混晶中的Sn施主深能级

用DLTS(深能级瞬态谱)及光照DLTS方法研究了不同组分(x=0.26、0.40、0.53)的 Al_xGa_(1-x)As:Sn材料。所有实验样品的DLTS谱都出现两个多子谱峰A和B。在光照下,低温处的A峰更为明显。实验分别测量了A、B能级的发射及俘获的瞬态过程,用混晶无序引起能级展宽模型拟合了实验数据,得到它们的发射激活能,俘获势垒及其组分关系。分析表明,A 及B能级同属于Sn替位施主杂质,并证明DX中心深能级的复杂性。     

太阳能级硅激光刻槽埋栅电池的研究

探讨了廉价太阳能级硅材料对电池性能可能的影响,据此对激光刻槽埋栅电池的工艺加以优化．在此基础上制作的大面积太阳电池的转换效率达到１６．５９％．     

用DLTS和ODLTS技术研究ZnSe晶体中与Ga有关的深能级

本文应用深能级瞬态谱(DLTS)和光深能级瞬态谱(ODLTS)技术研究了掺Ga的ZnSe晶体中的深能级.发现ZnSe:Ga晶体中有一个与Ga有关的施主能级位于导带底下0.17eV处,两个与Ga有关的受主能级分别位于价带顶上0.65eV和0.72eV处.文中还对这些能级的起源进行了讨论.     

掺杂石墨背接触层CdS/CdTe太阳电池的深能级瞬态谱

深能级中心能显著影响太阳电池性能.制作了以掺杂石墨为背接触层的CdS/CdTe薄膜太阳电池,用深能级瞬态谱研究了它们的深能级中心.共发现了6个深中心,确定了其中两个深中心的能级位置,分别是位于EC-0.223 eV的 E3和位于EV＋0.077 eV的H3.它们主要来源于Cd与Te的空位和间隙离子、O和Cl离子以及它们相互作用形成的复合体等.     

高分辨率FFT-DLTS测试系统

相对地传统深能级瞬态谱（DLTS）方法,快速傅立叶变换深能级瞬态谱（FFT－DLTS）方法具有灵敏度高,分辨率高等特点,但是由于用FFT0DLTS方法在处理多能级DLTS系统时存在着系统误差从而限制了该方法的应用,论证了该误差产生的原因并提出用迭代法来解多能级的傅立叶系数谱的方法,有效地解决了传统FFT－DLTS方法所存在的问题,且能级分辨率又有显著的提高。     

微处理机在深能级瞬态谱测试中的应用

目前,深能级瞬态谱仪DLTS(Deep Level Transient Spectrcopy)已广泛应用于研究半导体中深能级中心以及界面态的各种性质.本文介绍用计算机控制DLTS的测试,并同时进行数据处理,使得只需一次温度扫描,便可完成对每个深能级中心的能级位置、浓度及其俘获截面的测试,并立即得到计算结果.这样不仅缩短了实验时间,同时也     

高压反偏硅PN结的漏电流对研磨损伤层的影响

本文通过对硅整流管反偏直流产生电流温度关系、伏安特性和对应的深能级瞬态谱(DLTS)的研究,揭示了均为硬转折特性的试样漏电流有较大差异的根源是:表面研磨损伤层引入了新的深中心,使PN结的漏电流增加了一个隧道电流分量;并分析了导电机理.根据理论分析,修正了反偏PN结漏电流理论.     

应用DLTS技术研究磷处理对Si_SiO_2界面态的影响

本文应用DLTS(深能级瞬态谱)技术研究磷处理对Si—SiO_2界面态密度和停荻截面的影响.给出了(100)晶向n型硅MOS结构的实验结果.     

γ辐照对GaP发光二极管深能级和亮度的影响

首次应用深能级瞬态谱(DLTS)技术，研究了γ射线辐照Gap红色发光二级管深能和亮度的影响。结果表明，γ射线辐照射后，Gap红色发光二级管中的Zn-O对的浓度增大，亮度也提高。     

Ⅲ-Ⅴ半导体混晶中DX深中心的一种模型

用TSCAP、DLTS和暗电容瞬态方法研究AlGaAs:Sn中的DX中心.实验表明非指数电容瞬态主要起因于混晶无序作用,并发现DX中心的热发射率激活能随俘获时间加长而增大.提出一种多态模型,DX中心是由一些连续分布态组成,各态属于不同的局域结构,具有不同的电子束缚能和电声耦合能.     

深能级测量中的软件技术

由微计算机通过AD/DA变换器产生深能级测量中必须的脉冲和偏压控制信号以及温度控制信号,并对瞬态电容和样品温度进行测量,可在一次温度扫描过程中获得一组对应于不同的测量率窗的深能级信号曲线,从而获得深能级的全部参数。采用指数式变化的相关加权系数可以大大提高测量的灵敏度。通过计算可求得最佳的加权系数。用高阶相关的方法可以改善测量谱峰的分辨能力。机器语言子程序可大大提高瞬态电容的测量速率并可保证严格的时序。各个测量点的延迟时间可在0.5ms到数十秒的范围内调节。     

用DLTS技术研究MNOS结构界面陷阱

提出利用深能级瞬态谱技术ＭＮＯＳ结构中界面陷阱的分布，阐述了并建立了ＭＮＯＳ结构ＤＬＴＳ存储峰和界面态峰的解析理论，并给出区分这两个谱峰的实验方法，并研制的ＭＯＮＳ结构进行的ＤＬＴＳ描述了理论结果，所获得的存储陷阱和界面态的分布规律与应用热少许电流谱和保留特性方法交     

氢等离子体处理对GaAs/AlGaAs超晶格材料性能的影响

在利用MOCVD方法制备的调制掺杂GaAs/AlGaAs多量子阱超晶格材料中，由于深能级杂质形成的非辐射复杂合中心的存在，使样品具有较大的暗电流并削弱了该材料的光致发光强度，样品经过氢等离子体处理后，其光电性质明显改善。     

我国太阳能光伏产业发展研究——基于“钻石模型”的分析

对我国太阳能光伏产业的相关研究及关注的主要问题进行了简要回顾,并运用波特的钻石理论模型框架,从新的视角对影响我国太阳能光伏产业发展的主要因素进行了深入分析,而且分析视角并不仅仅局限在国内,也将国外发展情况和促进政策融入到整个分析中,最后在此基础上提出了促进我国太阳能光伏产业发展的政策建议。     

深空探测中太阳闪烁的一种仿真方法

由于受太阳活动的影响,深空通信十分复杂,为了对深空通信设备进行测试和性能评价,为通信设备提供测试信号源十分重要。根据观测得出的信号功率谱,提出了一种基于matlab的太阳闪烁仿真的方法。研究了太阳闪烁的特性,分析了仿真的原理,最后做出了仿真。