TFEL器件SiO2加速层载流子加速研究

通过对薄膜场致发光器件分层结构加速层电子加速过程的研究，提出了缺陷能级辅助电子加速机制．根据陷阱填充动力学模型，定性解释了陷阱填充过程以及电子填充陷阱随电场的变化．通过对加速层载流子输运的分析，探讨了加速层导电机构、陷阱能级对输运的影响以及发光亮度与加速层厚度的关系．     

AgBrI微晶上硫增感中心Ag2S分子团簇的陷阱效应分析

利用微波吸收相敏技术检测了硫增感条件下的卤化银光电子衰减行为, 获得了硫增感乳剂的自由光电子和浅俘获光电子的时间分辨谱信号. 分析了AgBrI T颗粒乳剂硫增感产物的陷阱效应与增感时间和增感温度的关系. 确定了硫增感产物的陷阱效应随增感时间和增感温度的变化趋势, 其变化顺序依次是空穴陷阱、浅电子陷阱和深电子陷阱.     

4H-SiC MESFET表面陷阱效应研究

分析了表面陷阱对4H-SiC MESFET直流和瞬态特性的各种影响.在直流特性上,由表面陷阱引入的附加耗尽层使得饱和电流降低和夹断电压偏移;在瞬态特性上,引起栅延迟以及跨导和输出电导的频散.表面陷阱能级和密度的变化也会影响表面陷阱效应.该文还对栅延迟现象进行了分析,并给出了电子浓度分布随时间的变化.     

4H—SiC MESFET表面陷阱效应研究

分析了表面陷阱对4H—SiC MESFET直流和瞬态特性的各种影响。在直流特性上，由表面陷阱引入的附加耗尽层使得饱和电流降低和夹断电压偏移；在瞬态特性上，引起栅延迟以及跨导和输出电导的频散。表面陷阱能级和密度的变化也会影响表面陷阱效应。该文还对栅延迟现象进行了分析，并给出了电子浓度分布随时间的变化。     

SiO_xN_y和SiO_2膜中的高场电子陷阱的温度依赖性和产生机理

研究了温度从１００～４２３Ｋ范围内在薄氮氧化硅膜和薄二氧化硅膜中的高场电子陷阱的温度依赖性。我们发现；在研究的温度范围内，当温度降低时，薄氮氧化硅膜中的有效高场电子陷饼表面浓度增加，相反，在薄二氧化硅膜中的有效高场电子陷阱表面浓度减少；对于二氧化硅膜，有效的高场电子陷阶能级集中在一个非常窄的能量范围，它的产生率是１．２８３×１０１１／ｃｍ２，激活能是０．１９２ｅＶ。根据实验结果，提出了一个在二氧化硅中的高场电子陷阱的产生模型。     

高电场下聚酯薄膜中陷阱捕获电子的特性研究

本文用表面电位测试技术研究了固体介质在强电场作用下陷阱捕获电荷的动力学特性.作者在考虑了碰撞电离退陷阱化后,获得的一级捕获动力学方程,定性地解释了电荷的捕获随施加电场的时间而变化的关系和捕获电荷稳态值随电场的增强而下降的现象。利用这个动态平衡模方程,经实验分析表明:这种捕获电荷稳态值随电场的增强而下降的现象是由于自由电子与陷阱化电子碰撞电离退陷阱化的结果,而不是陷阱化电子隧道效应或Poole-Frenkel效应的结果。当电场增强使碰撞电离退陷阱化达到一定程度时,介质便发生击穿。     

成核剂改性聚丙烯的性能

采用熔融共混法制备了成核剂390与成核剂NX8000改性聚丙烯(PP),并利用电子万能试验机、DSC、POM、雾度计、SEM等表征手段对改性PP的力学性能、结晶行为、透明性及断面形态进行了对比研究.结果表明:与纯PP相比,成核剂390或成核剂NX8000改性PP的结晶速率明显提高,结晶温度和结晶度分别提高了7.7、7.8,℃和26.1%、27.4%;改性PP除断裂伸长率略有下降外,拉伸强度、弯曲强度及模量、冲击强度均明显提高;加入成核剂390或成核剂NX8000均能明显降低PP的雾度,后者比前者效果更好.     

有色散项的一维分子晶体模型的孤子激发

本文得到了考虑了色散项后的一维分子晶体模型的孤子激发的运动解,在忽略了色散项的近似下,此运动解回复于通常极化子解。计算了模型中运动的自隐态的晶格位移,电子的自陷阱和电流密度以及孤子激发的峰值,峰宽,有效质量和束缚能以及Ｂｌｏｃｈ能带底部电子的的能量。     

GaAs MESFET旁栅迟滞特性的机理分析

探讨了GaAs MESFET旁栅效应迟滞特性的产生机理,通过详细地分析论证,认为GaAs MESFET旁栅效应迟滞特性与器件的沟道-衬底界面区的电子特性以及半绝缘GaAs衬底具有高密度的深能级电子陷阱有关。通过分析得出的结论可以很好地说明实验结果,同时对于分析GaAs器件的其他特性也具有一定的参考意义。     

低压ZnO压敏陶瓷晶粒边界电子陷阱态的研究

应用HP4192A低频阻抗分析仪测量了低压ZnO压陶陶瓷的复电容曲线，研究了烧结温度对复电容曲线压低角的影响规律，探讨了晶粒边界耗习层中电子陷阱的种类和起因，并对电子陷阱的特征参数进行了表征。实验发现：在低压ZnO压敏陶瓷中存在两种非理想的Deblye驰豫现象，对于每一种驰豫，其复电容曲线存在压低现象，且其压低角随着烧结温度的升高而迅速减小，在低压ZnO压敏陶瓷的耗尽层区域内存在两种电子陷阱，它们分别位于导带底0．209eV和0．342eV处，其中0．209eV处的陷阱能级对尖于本征施主Znj^x的二次电离，而0．342eV处的陷阱能级对应于氧空位V0的一次电离。     

从Si到快速热氮化SiO_2膜的雪崩热电子注入

本文报道了MIS电容从Si到快速热氮化SiO_2膜的雪崩注入电流、平带电压漂移和雪崩注入技术所使用的驱动信号参数三者关系的实验结果,同时结合电子陷阱、氮化工艺、界面陷阱和少子寿命等因素对实验结果作了解释和讨论。     

ECR放电中电子能量分布函数的确定

在ECR放电实验中，我们测量了简单镜中捕获的电子能量分布函数，通过测量双延迟势，可获得ECR放电中电子在磁镜装置镜喉区域的电子能量分布函数，利用光谱变分和朗缪尔探针可以确定电子分布函数的某些参数，放电是在氩气中进行的，实验中发现，不同的等离子体态有不同的分布函数，它们呈现出指数分布与幂分布。     

一维电子气在谐振势中的两粒子精确解

利用分离变量法,对在谐振势中一维电子气的两粒子问题进行了研究。研究表明：随着电子-电子相互作用强度的增大,两粒子的密度分布由单峰结构逐步被劈裂成双峰结构,而两粒子的能级差却随着相互作用强度的增大而减小,直至为零。     

掺杂Ir盐的立方体AgCl微晶中光电子的衰减特性

电子陷阱掺杂剂通过改变卤化银微晶的内部结构来影响光电子寿命和填隙银离子行为,从而能有效地改善卤化银感光性能。本文主要介绍采用微波吸收介电谱检测技术,检测在立方体AgCl微晶中30％Ag位置处掺杂(NH4)4IrCl6的光电子衰减时间分辨特性,结果表明：[IrCl6]^4。原子团引入的掺杂中心起较深电子陷阱的作用。通过对室温条件下光电子衰减随掺杂浓度变化关系的分析得出：掺杂(NH4)4IrCl6浓度越小,光电子衰减时间越长,对潜影形成所起的作用越大,掺杂效果越好。     

海水中氯氟烃测定方法研究

描述了用气相色谱法测定海水中氯氟烃的方法.用Niskin采水器采集海水后转移玻璃注射器中储藏.30mL海水于玻璃气提器中,用吹扫捕集法将海水中氯氟烃(CFC's)送入气相色谱柱,分离后用电子捕获检测器(ECD)检测,以外校法计算其含量.该方法快速,灵敏度高,分离效果好,适用于分析测定水体中氯氟烃.     

CF钢及其氢行为的电子理论研究

应用余氏理论(EET)对CF钢及其氢介入后的价电子结构参数进行计算分析,研究了主要合金元素Cr、Mn、Mo对CF钢的强韧性能及氢在其中扩散聚集行为的影响,对解析CF钢的物理本质做出新的探索.研究结果表明,合金元素的加入使CF钢在具有高强度的同时,保持了较高韧性,并且Cr、Mn、Mo对合金的强化作用依次递增,随着合金元素种类增多,强化作用更加显著.同时含碳合金结构单元对氢表现为排斥效果,其晶胞自身作为一种强障碍妨碍氢穿过,无碳合金晶胞是氢的强陷阱,降低了氢的扩散速度,这是CF钢焊接裂纹敏感性低的重要原因.提出参量Bh和nHT,前者描述了含碳结构单元抵御氢进入的能力,后者描述了当氢进入后,晶胞出现脆化的程度.这对利用EET理论研究氢对材料的影响提供了新的价电子结构参数.     

电子相互作用对准一维有机铁磁体的铁磁基态的影响

提出了一种基于极化子的准一维有机高聚物铁磁体模型．在这种模型中，依靠极化子而不是有机自由基来提供未配对电子．利用 Ｐｅｉｅｒｌｓ Ｈｕｂｂａｒｄ 哈密顿量，考虑强电声耦合，允许完全的格子松驰过程，建立了一套自洽迭代方程，计算了格点上的电子相互作用和格点间的电子相互作用对有机铁磁体的铁磁基态的影响     

宽电子束聚焦的变分理论

假定空间静电电位φ的磁感应强度矢量(?)在实验室坐标系中的分布是已知的,利用变分方法研究了正交和非正交两种曲线局部坐标基下宽电子束聚焦的普遍理论.将变分原理下的细电子束聚焦推广到宽电子束聚焦,证明了其结果与用电动力学方法研究宽电子束聚焦的一致性。     

电荷屏蔽对超新星前身星阶段电子俘获的影响

利用Langanke等人给出的新的弱相互作用理论，分析了在超新星前身星阶段，电荷屏蔽对电子俘获的影响．分析中屏蔽势采用最近Itoh等人用线性响应理论导出的结果．表明在高密情况下电荷屏蔽对电子俘获率的影响是明显的．