碳钢电极和镍电极的腐蚀及钝化行为研究

本文运用恒电位法探究了碳钢电极和镍电极的腐蚀及钝化行为。将两种电极分别放置在不同电解质溶液中,改变温度和电解质溶液的组成,根据电极的极化曲线来判定其在对应的条件中是否腐蚀和钝化以及腐蚀和钝化的程度。实验结果表明,碳钢电极在NaOH溶液中只腐蚀不钝化,在氨水和碳酸氢铵混合溶液中既腐蚀又钝化,在硫酸溶液中不腐蚀也不钝化;镍电极在NaOH溶液中只腐蚀不钝化,在氨水和碳酸氢铵混合溶液中不腐蚀也不钝化,在硫酸溶液中既腐蚀又钝化。影响电极腐蚀和钝化的因素有温度,电解质种类与电解质溶液浓度。温度越高,电极腐蚀和钝化程度越强;电解质溶液浓度越大,电极腐蚀和钝化程度越强。电解质种类不同,腐蚀和钝化行为不同。     

Al沉积n型多孔硅表面钝化及其发光性能

采用电化学沉积Al方法钝化用脉冲电化学腐蚀制备的n型多孔硅(n-type porous silicon,n-PS)表面以改善其发光性能和稳定性。通过扫描电镜(SEM)、傅里叶变换红外吸收光谱(FT-IR)及在室温于500~700 nm范围内荧光光谱研究n-PS表面Al钝化后的表面结构、形貌及光致发光性能(PL),探讨Al在n-PS表面的钝化作用,并通过改变电压和时间研究钝化条件对PL性能的影响。研究结果表明:多孔硅经Al钝化后其表面结构显得更加致密均匀;与钝化前相比,其发光强度加强,约为钝化前的2倍,且分别在钝化电压为18 V及钝化时间为60 min或钝化电压为25 V及钝化时间为30 min左右时,其发光强度较高。     

核电厂奥氏体不锈钢设备的表面处理——酸洗钝化

本文章针对核电厂奥氏体不锈钢设备的表面处理酸洗钝化进行了分析,分析了酸洗钝化的机理以及酸洗钝化后形成的钝化膜被破坏的主要原因,同时指出了酸洗钝化的注意事项,对提高核电厂奥氏体不锈钢设备表面的耐腐蚀性具有重要的指导意义。     

扫描速率对阳极钝化曲线的影响

研究了扫描速率对临界钝化电流密度、维钝电流密度及稳定钝化区的影响。结果表明，扫描速率越快，临界钝化电流密度、维钝电流密度越大，稳定钝化区越小。     

松节油作为液相钝化介质的应用研究

在高压半导体器件台面钝化的实验中,采用松节油作为液相钝化介质,结果表明,钝化效果显著。而且松节油用作液相钝化介质,具有无毒、安全、经济的优点,值得推广应用。     

锌铁合金三价铬蓝白钝化工艺

在酸性条件下对锌铁合金进行钝化,其工艺流程为:除油、浸蚀、抛光、电镀和三价铬钝化.采用正交试验讨论了钝化液中各组分及工艺条件对钝化效果的影响,得出了最佳钝化配方.对钝化结果进行结合力和盐雾试验,结果表明经钝化后的锌铁合金的耐腐蚀性能得到大幅度提高,符合工业生产和美观的要求.     

苯并三氮唑（BTA）钝化膜对铜的缓蚀作用探讨

通过单一BTA钝化处理和BTA与辅助添加剂复配对比试验,正交法安排BTA钼酸盐复配液钝化试验,表面活性剂对钝化效果的影响试验来探讨BTA钝化膜对铜的缓蚀作用。     

硅片不同表面钝化工艺的稳定性研究

研究分析了热氧化钝化,用PECVD双面沉积SiNx:H膜钝化以及碘酒钝化三种表面钝化工艺的稳定性,通过WT-2000少子寿命测试仪对采用这三种钝化工艺的单晶硅片,多晶硅片以及物理提纯硅片在暗条件不同储存时间的少子寿命进行测量,分析得到三种表面钝化工艺的效果以及稳定性。研究结果表明:碘酒钝化效果好,用PECVD双面沉积SiNx:H膜钝化和热氧化钝化稳定性好。     

镀锌层无铬钛盐的蓝色钝化

探讨了镀锌层钛盐溶液钝化替代传统的铬酸盐镀锌层蓝色钝化的工艺和形成蓝色钝化膜的机理.通过对镀锌层钛盐溶液pH值、温度和钝化时间的优选试验,获得了色泽均匀、耐腐蚀性能优良的蓝色镀锌钝化膜层.蓝色镀锌钝化膜表面成分分析的结果表明:钛盐溶液获得的钝化膜主要成分为Zn4Si2O7(OH)2·2H2O,SiO2,TiO2和ZnO等.受钛盐溶液pH值、温度和钝化时间的影响,镀锌钝化膜的外观色泽(从蓝色向彩色)、膜层表面微观形貌、成分和耐腐蚀性能均发生变化.     

Ni在酸性介质中钝化的现场X-射线衍射

采用θ-2θ型粉末衍射仪对Ni在H2SO4介质中的钝化过程进行了现场X-射线衍射(XRD)观测,同时收集Ni电极/溶液界面两侧的XRD谱图,采用差谱法分析Ni钝化前后界面两侧的结构变化.结果表明,钝化电位下,更多的H2O分子进入Ni电极表面及附近,其数目随钝化电位的升高而增大.H2O分子参与Ni的钝化过程,在Ni的钝化过程中起着重要的作用.钝化膜的厚度随着钝化电位的升高而增大.     

锌镀层铬酸钝化的成膜机理和钝化膜薄膜干涉成色的探讨

1、锌镀层的铬酸钝化过程,是在固—液(金属—溶液)界面上进行的多相化学反应过程。低铬钝化的铬酐浓度小,更是必须考虑扩散作用对钝化过程的影响。2、表面活化剂是铬酸钝化液形成彩色钝化膜的必要条件。氯离子和硫酸根离子是有效的活化离子。常用的表面活化剂有食盐、氯化铵、硫酸、硫酸钠和硫酸锌等,其添加量须随六价铬浓度的提高而相应增加,随六价铬浓度的降低而相应减少。在低铬钝化中,卤素离子(Cl~-、Br~-、I~-)都表现出活化剂的作用,其中尤以氯离子为佳。它使钝化时成膜速度加快,钝化膜色彩鲜艳,给合力好。卤素离子和硫酸根离子的作用是:在它们存在下,六价铬难以使锌表面形成保护性氧化膜,从而使界面上锌和六价铬的反应迅速进行,界面上PH值迅速升高,从而形成一定厚度的彩色钝化膜。3、低铬钝化和高铬钝化是有内在联系的,低铬钝化是从高铬二次钝化演变而来的,只要具备六价铬、活化剂和一定的酸度等条件,都可以产生彩色钝化膜。但是两者在铬酐浓度、酸度和成膜方式上又有区别。下列低铬钝化配方是有效的:铬酐5克/升,氯化钠2.5—3克/升,硫酸0.3—0.5毫升/升。4、总结并讨论了铬酐浓度、活化剂及其浓度、酸度(或PH值)、温度、浸渍时间(液相成膜时间)和工件与钝化液的相对运动等因素对低铬钝化的影响,并     

镀锌层三价铬与六价铬钝化膜的性能

为了以三价铬替代镀锌层钝化溶液中的六价铬,实现镀锌工艺的清洁生产,利用中性盐雾实验(NSS)、Tafel曲线和扫描电镜对镀锌层三价铬和六价铬钝化膜的耐腐蚀性能、电化学行为、耐高温性能和表面结构进行了比较研究.NSS实验结果表明,三价铬钝化膜的耐腐蚀性能高于六价铬钝化膜,NSS时间可达84 h;Tafel曲线表明,三价铬钝化膜的腐蚀速率低于六价铬钝化膜,耐高温性能则高于六价铬钝化膜;SEM照片显示,三价铬钝化膜的表面形貌为致密结构,高温处理后膜层变化不大,而六价铬钝化膜表面为疏松的网状结构.     

316L和316LN不锈钢在高温高盐溶液中钝化膜的性能研究

利用电化学及扫描电子显微镜（SEM）对316L与316LN两种不锈钢在高温高盐环境中的耐蚀性能进行了对比研究,利用Mott-Schottky曲线研究了两种材料的钝化膜半导体特征,借助X射线光电子能谱（XPS）研究了316LN不锈钢的钝化膜结构以及N元素在钝化膜中的分布状态。结果表明：在高温高盐环境中,两种材料形成的钝化膜都为n型半导体;316LN不锈钢形成的钝化膜耐点蚀性能更好,其钝化膜内缺陷浓度更低,N元素会在钝化膜中富集。最后利用点缺陷原理对316LN钝化膜的耐蚀机理进行了研究。     

氢化非晶硅膜在半导体器件表面钝化上的应用

本文叙述一种新的钝化膜——氢化非晶硅(a—Si:H)薄膜在硅半导体器件表面钝化上的应用。发现这种薄膜复盖于器件表面可以使PN结的反向漏电流明显减小,器件的小电流h_(FE)有较大幅度的提高。试验了三种不同的钝化方案,并对其钝化效果作了比较。根据实验结果,初步探讨了这种氢化非晶硅薄膜的钝化机理,指出其良好的钝化作用在于这种薄膜具有半绝缘、电中性和富含氢的特点。给出了钝化器件的长期可靠性试验结果。     

HCO_3~-/CO_3~(2-)浓度对X70管线钢钝化行为的影响

采用动电位扫描法、循环伏安法研究了X70管线钢在不同浓度的NaHCO3 /Na2 CO3 溶液中的钝化行为。结果表明 ,材料在该体系中具有明显的钝化现象 ,随溶液浓度升高 ,X70钢钝化变得困难。利用Parkins的边界条件 ,确定了X70钢在 1mol/LNaHCO3 0 5mol/LNa2 CO3 溶液中发生应力腐蚀开裂的敏感电位区间为 - 5 6 0～ -6 5 0mV。X70钢在钝化过程中表面发生的反应比较复杂 ,电极过程包含Fe的阳极溶解、生成钝化膜、钝化膜的化学溶解三种过程。用X 射线衍射分析了X70钢在活化钝化过渡区表面钝化膜的组成 ,证实了对电极过程的分析     

提高化学镀铜层表面性能的方法探讨

用化学氧化及苯并三氮唑（ＢＴＡ）钝化处理的方法来提高化学镀铜层的表面抗氧化、耐腐蚀和耐磨性能。并与铬酸盐钝化处理方法进行了对比，得出ＢＴＡ可取代铬酸盐的钝化处理方法；化学氧化处理略逊于ＢＴＡ或铬酸盐钝化处理方法。此外，对化学氧化和ＢＴＡ钝化处理方法的机理也进行了探讨。     

增强不锈钢表面耐蚀性的研究进展

不锈钢是使用范围广泛且环保的一种耐蚀材料,但不锈钢在空气中自钝化形成的氧化膜的耐蚀性不佳,因此后续钝化处理是提高不锈钢表面耐蚀性的重要方法.本文综述了提高不锈钢表面耐蚀方法的研究进展.介绍不锈钢的钝化机理、硝酸钝化方法与柠檬酸钝化方法的最佳工艺.总结动电位极化曲线、电化学阻抗谱、Mott-Schottky曲线、循环伏安法和磨损-电化学腐蚀共五种不锈钢钝化膜耐蚀性测试方法.梳理塑性变形对不锈钢耐蚀性的影响,强调适度的塑性变形能够提高不锈钢耐蚀性.展望不锈钢钝化处理及塑性变形增强不锈钢钝化效应的研究趋势.     

酸性溶液中碳钢上钝化膜的生成和溶解

碳钢上的钝化膜为不均匀膜,其稳定性比纯铁的钝化膜低,并随酸度的降低和钝化时间的增长而增加。在0.8V钝化一个半小时后,开路电位衰减曲线出现两个平台。采用方波迭加法模拟了电流振荡现象。     

Al_2O_3膜钝化晶体管的快中子辐照效应

由于Al_2O_3钝化膜具有密度大,对Na~ 离子的阻挡能力强,介电常数约为SiO_2的二倍等优点,因此,我们采用直流反应溅射法对3CK和3CG型小功率管进行了Al_2O_3膜的钝化处理,将钝化了的和未钝化的晶体管进行高能电子,快中子辐照.电子辐照结果表明:钝化晶体管比未钝化晶体管抗辐射能力提高了近半个数量级.     

a-SiC:H/a-Si:H复合膜对半导体器件钝化作用的研究

本文简述了用α-SiC:H/α-Si:H复合膜钝化硅平面器件的钝化机理,并成功地应用于硅平面小功率晶体管的表面钝化,实验表明,钝化后的器件反向漏电流降低了2～3个数量级;小注入下的电流放大系数提高了3～4倍;室温—200℃的BT实验表明,未钝化的器件200℃时的电流放大系数比室温时增加了300％,而钝化后的器件只增加了75％。这些结果主要归因于钝化膜中原子态氢在到达SiO_2-Si界面处与界面处悬挂键结合,降低了界面态密度。