氦氖混合气体受激光发射器

本文报导一个氨氖混合气体受激光发射器的实驗結果。这种类型受激光发射器的工作原理,見文献[1—3]。我們的实驗得到肯定的結果:已观察到相干光振盪現象,輸出光功率达0.5毫瓦,波长6328(?),受激光发射光束的夹角小于3×10~(-3)弧度。     

瞬时大功率红宝石受激光发射器

一采用调变受激光发射器的品质因数——“调Q值光闸”——而获得巨大功率的输出,是1961年以来常用的方法。最近E.R.Peressini改用“增益光闸”,也得到良好效果。调Q值的光闸,通常采用Kerr盒或转镜,两者各有优缺点,本文报导的器件是用转镜法的。转镜法的镜子转速一般在25,000 r.p.m.以上,有高达950,000 r.p.m.者。对于发光时间的量测,大都用双线示波器,限于仪器的时间常数,量测难准,且亦不能对发光物质的一定区域之发光过程进行探讨。有用高速转镜照相法或用象转换照相设备对受激光作分析研究的,但未涉及到大功率的输出。     

激光诱导荧光法研究受激粒子的碰撞能量转移

受激粒子之间由于碰撞而发生能量转移的现象时有发生。在几种类型的荧光谱线中,除了共振荧光和直跃线荧光中的粒子来源于激发     

产生受激光发射的工作物质

自1960年Maiman首先实现了红宝石的受激光发射以来,在寻找产生受激光发射的工作物质及改进器件的结构与性能方面,做了许多工作,取得了丰硕的成果。目前,实现受激光发射的工作物质已不下五十种之多,其中包括气体、液体(有机溶液)和固体等不同状态和不同结构的物质;输出波段已从紫外2542埃伸展到红外35微米;实现了低温和室温的连续操作器件;红宝石的输出能量已达500焦耳,已制成输出能量为113焦耳的玻璃受激光发射器,运用光开关技术,红宝石的脉冲峯值功率已从5仟瓦剧增至10亿瓦;半导体工作物质的出现,大大     

气体受激光发射器的波型分离

关于气体受激光发射器的单波型振荡的输出花样,已有过详细的理论分析和一些实验观察。本文报导我们分离单波型的方法,及对单波型振荡输出花样的观察结果。若对圆形孔谐振腔和方形孔谐振腔分别采用圆柱座标(r,ф,z)和直角座标(x,y,z),且z轴都与谐振腔的轴线重合,则单波型花样在腔端面处的振幅分别为: 圆形孔谐振腔(非共焦球面腔):     

纯氙与氦氙的受激光发射

自从第一个氦氖气体受激光发射器研究成功以后,相继有许多其它气体激射振荡和负吸收的报导,其中最突出的要算是纯氙与氦氙的受激光发射。本文报导我们在纯氙与氦氙气体受激光发射的实验,大部分的工作偏向于发展直流器件。受激光发射器的结构所有的受激光发射放电管都是采用透明的石英材料。放电管的总长度,短的有25厘米、内径约为3毫米;长的有210厘米、内径为10毫米,两端有Brewster角的石英光学平面窗。直流放电管采用过渡玻璃,装有间热式氧化物阴极和镍圆柱空心     

银膜与介质膜的氦氖受激光发射器

最先观察到气体材料的受激光发射就是氦氖混合放电。迄今为止,氦氖受激光发射器的发展也是最全面而且最成熟的。虽然产生振荡的波长有十多种,但是其中以6,328埃、1.1530微米及3.39微米为主要的受激光。所有的实验报导,无论是内腔式或是外腔式,都是采用十三层介质膜、石英放电管、光学的Brewster窗与反射镜及精密的微调装置等。这里简单介绍我们在氦氖受激光发射方面的实验。大部分工作偏向于发展用直流激励,这样使受激光发射器出现于充气管范畴;采用十三层介质膜的反射镜,得到6,328埃的输出,     

Nd~(3+)激活无机玻璃态受激光发射器工作物质的研究

近年来受激光发射器工作物貭有了迅速发展,在固体工作物貭中除了无机及有机螢光晶体外,最近国外在无机玻璃中观察到受激光发射現象。虽然首先产生受激光发射的紅宝石已被广泛应用,但是把Cr_2O_3作为激活剂加入到玻璃介貭中,因玻     

激光双线激发La(Ⅰ)荧光研究受激粒子的碰撞能量转移

通常热助和阶跃荧光的产生均是能级上粒子碰撞能量转移的的结果。在某些情况,这种粒子碰撞能量转移可以达到相当强烈的程度。基于这一事实,我们曾经利用粒子碰撞能量转移所产生的荧光测量能级跃迁的分支比,并取得了较好的结果。据我们所知,有关这种碰撞能量转移影响因素的系统研究尚未见报道。本文利用La-Ne空心阴极灯作为原子化     

受磷蛋白的空间结构及其分子动力学模拟

受磷蛋白通过可逆的磷酸化来调控肌浆网钙泵活性, 它在生物体中的空间结构一直是一个受关注的焦点. 本文通过总结受磷蛋白空间结构的研究进展, 利用分子动力学方法对其空间结构进行了系统的模拟和研究. 我们将核磁共振所得到的风铃草结构单链的前22个残基取出, 并且分别保持原始结构; 而对第16位进行磷酸化, 第9位进行单点突变, 从而得到3个不同的肽段. 通过在水环境中进行10 ns的分子动力学模拟, 我们发现原始结构的第3~15个残基很好地保持了螺旋结构, 而第16位残基的磷酸化和第9位残基的突变会减少周围残基呈现螺旋状态的几率, 这与一些具体实验中的结论一致. 这一变化也可能是降低受磷蛋白对肌浆网钙泵活性抑制作用的原因.     

杂散电流的危害及其预防措施

杂散电流虽小,一般很容易被人们所忽视.但是,它的危害却很大,小到能腐蚀金属外壳,缩短使用寿命,大到可以引起瓦斯、煤尘爆炸事故.因为多年从事煤矿井下轨道运输管理工作,对杂散电流的产生和预防提出几点粗浅认识.     

阿哈罗诺夫-卡谢效应

本世纪初相对论和量子力学的问世,引起了物理学的一场翻天覆地的大革命。从原则上讲,经典电磁理论是不受这场革命影响的唯一的一门物理理论。但它与量子力学也有一点小小的不一致,这就是所谓A、B之争,即磁势A和磁场B到底哪一个更为本质。这样就促使物理学家提出井用实验验证了阿哈罗诺夫-玻姆效应(AB效应)及其电磁对偶阿哈罗诺夫-卡谢效应(AC效应)。     

激光诱发荧光技术及其应用

自从1960年第一台激光器问世以来,激光技术发展十分迅速,其中之一就是随着可调谐染料激光器的出现而发展起来的激光诱发荧光(laser inducedfluorescence,以下简称LIF)技术. 所谓LIF方法,就是用波长和我们所要探测的样品(分子或原子)的吸收线相匹配的激光,去辐照样品,使样品共振吸收激光光子而处于激发态,并发出荧光辐射,如图1所示.然后用滤波器或单色仪加上     

脉冲准分子激光PZT铁电薄膜沉积及其特性研究

随着大规模集成电路的迅速发展,要求集成器件向三维器件及多功能器件发展.由于铁电薄膜具有非挥发性(non-volatility)、抗辐照性(radiation-hardness)、电极化特性,因此,铁电薄膜及其在微电子和光电子领域中的应用研究已成为当前国际上新型功能材料与集成器件的热点,如铁电随机存储器(FERAM)、动态随机存储器(DRAM)、薄膜电容、SAW器件及红外探测器等.     

飞秒激光诱导周期性表面结构及其应用

近年来,飞秒激光微纳加工技术引起了科学界的广泛关注.飞秒激光脉冲凭借其超短脉宽及超强的瞬时功率,较传统的激光加工有着明显的优势:几乎可以加工任何材料,非接触加工,非热加工,加工精度高,能够加工亚微米级结构和三维复杂结构,加工过程耗能低.飞秒激光加工材料的过程中会产生周期性的表面结构,这些表面结构会对材料的表面性能产生明显的影响,并且在国防、医疗、高端制造等多个领域具有巨大的应用潜力.因此,国内外研究人员对飞秒激光诱导周期性表面结构进行了系统深入的理论研究和实验研究.本文简要阐述了飞秒激光的基本特点及飞秒激光微纳加工的独特优势,对近年来关于飞秒激光诱导周期性表面结构(laser induced periodic surface structure,LIPSS)的理论与实验研究进行了综述,并阐述了这种周期性表面结构对材料表面浸润特性、光学特性以及表面拉曼增强的影响和研究进展,最后对LIPSS未来的研究方向进行了预测和展望.     

掺铬锰钨酸锌单晶及其激光特性

对掺铬钨酸锌(ZnWO_4:Cr~(3+))室温和低温下的光谱和激光性质已做过研究,在77K下实现了连续可调谐激光输出.采用固态介质中退火工艺后,晶体透光性能极大改善,室温下用红宝石激光器泵浦已获得270μJ的近红外激光输出.但是晶体的光损伤阈值低,限止了这种晶体的实际应用,为此我们开展了双掺杂敏化的研究,不仅使激光输出能量提高3倍,而且抗强光损伤能力大为增强.     

激光激发共振跃迁的下能级集居数变化现象及其应用研究

一、前言 近年来,空心阴极放电条件下的激光激发原子荧光技术已在激光光谱学研究领域中得到广泛应用。与传统方法相似,在这些研究中获得的信息都是共振跃迁的上能级发射的直跃线非共振荧光。在激光照射空心阴极放电等离子体系统时,共振跃迁的下能级集居数如何变     

新型激光晶体Nd∶Gd_(0.8)La_(0.2)VO_4的生长及其激光性能的研究

激光二极管(简称ＬＤ)泵浦的固体激光器具有效率高、体积小、输出稳定、寿命长的优点,在军事、工业、医学和科研等领域有广泛的应用,是近年来国内外激光领域的一个研究热点.目前在这个领域中,Ｎｄ∶ＹＶＯ4晶体的激光器已商品化.Ｎｄ∶ＧｄＶＯ4激光晶体与Ｎｄ∶ＹＶＯ4相比,具有吸收系数大[1],热导率高[2],激光性能优良[3]等优点.由Ｎｄ∶ＧｄＶＯ4通过离子替代形成的Ｎｄ∶Ｇｄ0.5Ｌａ0.5ＶＯ4晶体[4],与Ｎｄ∶ＧｄＶＯ4相比,其吸收半宽较大.为把两者的优点相结合,我们生长了Ｌａ掺杂量为20%的晶体,即Ｎｄ∶Ｇｄ0.8Ｌａ0.2ＶＯ4,并对其性…     

先生远去 缅怀长存──悼谢希德教授

不管她是所长、校长、还是院士,人们对谢希德教授最亲切的称呼始终是谢先生。 谢希德先生于１９２１年３月 １９日出生于福建省,早年随父亲谢玉铭教授在北京。谢玉铭当时在燕京大学任教,是颇有建树的物理学家,可以说,在２０年代的成果使他与诺贝尔奖擦肩而过。 １９４６年希德先生毕业于厦门大学,次年进入美国史密斯学院,两年后获硕士学位,再过两年又获麻省理工学院物理哲学博士。麻省理工学院是世界上数一数二的高等学府,能在两年内获博士学位,足见她天赋之高。学成后,即与英国生化学家、研究中国科技史最著名学者李约瑟的高足…