E2PROM辨别原理及其实现

本文介绍了ATMEL公司所生产的几种不同类型E2PROM的存储方式及相应的读写操作,结合实际应用中存在的问题,提出了一种解决方案,既可以使同一设备能够兼容型号不同的存储器,又能够使不同的设备灵活使用各种类型的E2PROM.本文主要介绍了其实现的辨别原理及相应的软件设计说明.     

串行E2PROM在变频器中的应用

文章介绍一种参数写入串口E2 PROM的方法及串行E2 PROM同MITEL公司所产SA86 6芯片的接口电路。因串行E2 PROM自身体积小、接线方便 ,从而通过这种方法可有效地减小变频器控制电路 ,提高系统可靠性及灵活性 ,且无需大量编程。     

串行E2PROM在自动调线机控制系统中的应用

介绍了24C16串行E2PROM的基本结构和工作原理,描述了自动调线机控制系统的设计方案,并详细介绍了系统数据在24C16上的存储方案和算法,实际结果表明,采用该方法设计的自动调线机,具有抗干扰能力强、使用简便、成本低等特点.     

三种串行E2PROM的特性及其微控制器的接口与应用

以93LC46、24LC01B和DS1971为例,分别介绍了采用3线、2线和单线协议进行数据传输的串行E2PROM芯片的引脚特性、外围电路及其工作原理;阐述了它们与单片机的接口连接和构成廉价存储器应用系统的方法.     

串行E~2PROM的多CPU系统共享

本文探讨了一种多ＣＰＵ共享串行Ｅ２ＰＲＯＭ的模块化设计方法，使得系统设计简单可靠，软件编制容易     

串行E^2PROM的应用及通讯可靠性的实现

介绍了流驱动和拓扑结构的IP交换、体系结构、它们的工作过程，分析了它们所具有的基本特点，在此基础上对其性能作出了比较与分析。     

三种串行E^2PROM的特性及其微控制器的接口与应用

以93LC46，24LC01B和DS1971为例，分别介绍了采用3线，2线和单线协议进行数据传输的串行E^PROM芯片的引脚特性，外围电路及其工作原理，阐述了它们与单片机的接口连接和构成廉价价存储器应用系统的方法。     

串行E2PROM的应用及通讯可靠性的实现

介绍了I2 C总线及通讯协议 ,给出了基于I2 C总线的串行E2 PROM在单片机系统中的实际应用方法 ;并就串行E2 PROM在实际系统应用中存在的通讯可靠性问题进行了分析 ,提出了串行E2 PROM在系统应用中提高通讯可靠性的有效解决方法。     

pLEDMOS导通电阻及阈值电压的热载流子退化

研究了不同漂移区长度及不同栅场极板长度的厚栅氧化层pLEDMOS器件由热载流子效应导致的导通电阻及阈值电压的退化现象及机理.实验结果表明,增加漂移区长度能改善器件的导通电阻的退化,但加速了阈值电压的退化;增加栅场极板长度可以同时改善导通电阻和阈值电压的退化.借助TCAD仿真软件,模拟分析了不同漂移区长度及不同栅场极板长...     

89C2051单片机与24LC系列E~2PROM接口技术

89C2051单片机与Microchip公司的24LC系列串行E~2PROM结合,构成内部2KBROM和外部电擦除64KB数据存储空间,是中小单片机应用系统较为理想的方案。本文较为详细地介绍了24LC系列串行E~2PROM芯片的工作原理及其与89C2051单片机的硬件连接和软件编程。     

二线制串行存储器25045及其在包装机中的应用

介绍了串行快擦写存储器25045功能、特点、工作原理以及25045在包装机控制器中的应用，并编写了相应的软件。     

低掺杂多晶硅薄膜晶体管阈值电压的修正模型

对低掺杂多晶硅薄膜晶体管的表面势进行分析,将表面势开始偏离亚阈值区、沟道电流迅速增加时所对应的栅压作为晶体管的阈值电压.考虑到多晶硅薄膜的陷阱态密度为单指数分布,通过对低掺杂多晶硅薄膜晶体管的表面势进行求解,推导出一个多晶硅薄膜晶体管阈值电压解析模型,并采用数值仿真方法对模型进行了验证.结果表明:新模型所得到的阈值电压与采用二次导数法提取的阈值电压相吻合.     

基于FPGA的E2PROM读写控制设计及实现

介绍了12C总线的工作原理以及时序要求．利用FPGA强大的逻辑控制功能和VHDL语言的灵活性，对E^2PROM的I^2C总线控制器进行了设计．采用模块化和状态机相结合的设计方法，给出了各个模块的设计思路．利用QUARTUSⅡ软件对设计程序进行了仿真，并将程序下载到实验开发板上对系统进行了验证，给出了仿真和验证的结果．     

一种新型正负倍压双输出电荷泵电路的设计

采用电荷泵电路实现电压倍增的原理,设计出一种新型正负倍压双输出电荷泵电路,该电路可以将＋5 V电源输入转换为广泛应用于接口电路中的±10 V电源电压,尤其适用于无法使用到±10 V电源的场合.该设计采用6μm铝栅工艺库对该电路进行了仿真,其仿真结果与理想值基本一致.     

非对称Halo的异质栅SOI MOSFET阈值电压解析模型

为了改善MOSFET的短沟道效应和驱动电流，首次提出了非对称Halo掺杂的异质栅SOIMOSFET结构，这种结构在沟道源端一侧注入浓度较高的杂质，再由具有不同功函数的两种材料拼接形成栅极．通过求解二维电势Poisson方程，建立了全耗尽器件表面势和阈值电压的解析模型．研究表明，该结构能有效抑制漏致势垒降低和热载流子效应，且在沟道长度小于100nm条件下，阈值电压表现出明显的反短沟道特征，在Halo和栅材料界面附近的电场峰值使通过沟道的载流子的传输速度显著提高，解析模型与二维数值模拟软件MEDICI所得结果吻合度较高．     

最小二乘拟合计算有机薄膜晶体管阈值电压的研究

通过制备了一个基于并五笨为有源层的顶栅底接触OTFT器件获取电流电压实验数据,并运用电流电压特性曲线理论拟合计算方法计算其阈值电压.研究发现,采用不同的拟合方法得到的阈值电压值有较大的差异.若选取转移特性曲线线性区距中心1/2范围内测试点进行最小二乘拟合计算出的阈值电压能减少采用其他拟合方法的固有不准确性,而且与其他方法得到阈值电压最接近.