半导体微结构间电场的研究

分析了半导体表面空间电荷层对深亚微米、纳米尺度下半导体微结构间电场的影响，并同宏观尺寸下采用的金属极板公式进行了比较．结果表明：当半导体微结构间距离在１ μｍ 以上时，可以忽略半导体表面空间电荷层对微结构间电场的影响；当半导体微结构间距离缩小到亚微米和数十纳米量级时，空间电荷层对微结构间电场分布的影响逐渐增大，此时分析电场一般不能利用金属极板公式．微结构间电场同金属极板近似公式间的相对误差与半导体材料的介电常数、掺杂浓度等因素有关．     

半导体光伏效应

我们采用电容器法,测量了半导体在脉冲单色光照射下总光生电动势的光谱分布,发现p型硅在光波波长λ>1.08μ后,总光生电动势发生变号。考虑到表面势垒的存在,以及光在半导体两个表面的反射与透射,计算了向光面光生电动势、丹倍电动势以及背光面光生电动势,认为半导体的总光生电动势为这三者的代数和。初步比较了理论计算和实验结果,并利用这结果讨论了Goodman测量少数载流子短小扩散长度方法。     

玻璃中半导体量子点的有效电场

玻璃中的半导体量子点通常是球形的纳米微粒，退极化因子在各方向均为l／3；借助于介质极化理论的一些一般结果，得到球形量子点内的有效电场；量子点内的有效电场与玻璃中的电场成正比，比例系数决定于玻璃和半导体量子点的介电常数．     

库仑电场不存在推迟效应

由求解无界空间的达朗贝尔方程而得到的推迟势公式是研究电磁辐射的重要理论基础.从求得的总电场 E(x,t)发现,t 时刻的 E(x,t)并非由带屯体系在 t 时刻的状态决定,而是由比 t 时刻稍前的时刻 t′=t-r/c(r=|x-x′|为源点 x′到场点 x 的距离)的状态决定.这种“推迟效应”表明,在 x′点,在时刻 t′的场源,要在推迟时间 t-t′=r/c 后,在时刻 t,对离它为 r 的     

台湾半导体产业群聚效应

<正>台湾的新竹科学园区、中部科学园区及南部科学园区周边有完整的高科技产学网络支持体系,包括半导体、信息硬件制造、信息软件和新兴的生物科技等产业的群聚效应显著,连结     

一类非线性边值问题及半导体中的光磁电效应

本文引入高阶项来描写载流子寿命与浓度的相关性,从而将输运过程中载流子的连续性方程化为二阶非线性微分方程,并用摄动法找到了这类边值问题的一般解,然后在一级近似下给出了解的近似解析表示式,便于在物理上进行计算和比较.     

C4H6O分子的强电场效应的ab initio理论研究

利用Ｇａｕｓｓｉａｎ９２程序，计算和讨论了在强电场下，Ｃ４Ｈ６Ｏ分子的几何构型及其电子结构的变化。计算和分析结果表明在强电场下，分子的几何构型的变化很小，然而其电子结构的变化较大。并与实验结果一致，为电化学的微观理论观察提供了有力的证据。     

关于电场推迟效应的讨论

在电磁学教材中,库仓电场E_库不存在推迟效应,感生电场E_库存在推迟效应而使得总电场E=E_库E_库存在推迟效应是作为结论写出的,并未加以证明。本文从电磁场的基本理论出发,证明了以上结论。     

强电场脉冲致细胞膜电穿孔的观察

用强电场脉冲处理动物细胞后,可使小分子物质台盼蓝进入细胞内,通过扫描电镜观察到细胞膜上有电致孔洞,证实强电场脉冲能引起电穿孔,穿孔率较高,穿孔直径在0.05-1.5μm,经研究作者得到了较佳的实验条件,并得到了形态学证据初步分析了电穿孔形成的机理。     

强电场放电常压合成NH3研究

应用超强窄脉冲电场在整个反应器内形成的强烈流光放电,在常压条件下使N2,H2发生电离、分解反应,产生大量的自由原子、离子、自由基等,形成非平衡等离子体,在定向化学合成反应模型的控制下合成了NH3,合成NH3浓度可达5000μL/L.     

Rashba效应影响下半导体量子点中强耦合极化子的声子平均数

采用改进的线性组合算符方法，研究了Rashba效应影响下半导体量子点中强耦合极化子的光学声子平均数．导出在电子-体纵光学声子（LO）强耦合时抛物量子点中极化子的光学声子平均数、振动频率、相互作用能和有效质量随受限强度和Rashba自旋-轨道耦合常数的变化．数值计算结果表明Rashba自旋-轨道相互作用使极化子的有效质量、基态能分裂为上下两支，随耦合常数的增加极化子基态能量、有效质量表现为增加和较少两种截然相反的情形；Rashba自旋-轨道相互作用影响下强耦合极化子的光学声子平均数随量子点的受限强度、电子声子耦合强度增大而增大，极化子的相互作用能随受限强度的增加先急剧增加，当达到极值后随受限强度的增加而急剧减少．     

电场效应所引起的螺距收缩

对负性胆甾相液晶在电场作用下，织构交替变化现象作了进一步的实验观测，并从理论上对各感应面阈值电压与外场频率的关系及螺距收缩对阈值电压的影响作了初步的探讨     

强脉冲电场处理对花生油品质的影响

采用强脉冲电场（电场强度0~50 kV/cm）处理花生油,分别测定了不同贮藏期花生油酸价、过氧化值和羰基价的变化情况,同时采用GC - MS以及GC对脂肪酸进行了定性定量分析. 结果表明：强脉冲电场处理后,花生油的酸价及过氧化值随电场强度的增加而增大,羰基价无明显变化;在贮藏期油样发生氧化酸败,各值随贮藏时间的延长而不断增加,PEF处理有效降低了其氧化速率. 强脉冲电场处理对花生油的成分有一定影响,超过40 kV/cm的电场处理后能一定程度地保留脂质中不饱和脂肪酸及其营养价值.     

贵金属/半导体异质结中的光致自旋电流效应研究

自旋电子材料因能同时对电子的自旋和电荷两个自由度实施操控,在构筑以低功耗、超高速、大容量和超宽带为特征的新一代信息处理技术中展现出巨大的应用潜力.然而,通过掺杂过渡金属元素和稀土离子而形成的传统稀磁半导体和钙钛矿锰氧化物往往因结构缺陷导致的居里温度不高、自旋磁矩和自旋极化率偏低等不足,阻碍了自旋电子材料的商业化应用.近年来,在高纯半导体上沉积贵金属薄膜所形成的贵金属/半导体异质结中,通过使用偏振光激发该类异质结可产生纯自旋电流.这种基于逆自旋霍尔效应(ISHE)、可在室温下运行的、非接触和非破坏型的自旋极化激励方法理论上可获得高于50%自旋极化率,引起了人们的广泛关注.文章主要介绍光致自旋电流形成机制和测试方法,以及入射光圆偏振度、光强、入射角度等参数对光致自旋注入效率的调控机理,介绍杂质介导和声子介导对光致自旋输运的贡献,最后提出增强光致自旋电子极化率的可行方案,可为揭示自旋载流子产生、注入和输运相关的自旋动力学核心科学问题以及研制高性能自旋电子器件提供有益的参考.     

半导体中的广延缺陷电子性质、器件效应及结构

广延或结构性缺陷是对结构完整性的永久偏离，即对实际晶体原子的正确部位的永久性偏离。研究半导体的一个中心议题是与研究各种缺陷以及它们对材料的性质和电子器件工作的影响相关的。有关半导体中广延缺陷的电子性质（即位错、堆积缺陷、晶粒间界和沉淀）和这些缺陷对各种各样电子器件的影响的课题几十年来一直引起人们广泛的兴趣。     

半导体-金属复合结构中的异常磁电阻效应分析

从电磁方程的解析解出发,分析高对称性vander Pauwdisk装置的异常磁电阻效应,重点研究该体系的几何非均匀性与物理非均匀性对整体磁电阻效应的影响．通过定义三个非均匀参数表征体系的非均匀性,给出该装置中电磁输运性质随非均匀系数的变化．计算结果表明,体系的磁电阻比值在一定的几何非均匀结构下达到最优化,整个装置在磁场下呈现出良好的开关效应．同时,材料在迁移率和电阻率上的非均匀性对异常磁电阻效应产生明显影响．特别地,组分电阻率的差别导致异常磁电阻效应出现符号翻转．     

采用附加高频电场增强维格特效应

报道了在诱导二向色片的同时附加高频电场的方法能够有效地增强维格特效应·由实验得出了二向色性角与附加电场频率和电场强度的关系,并且发现附加外电场能有效消除热负效应的影响·当电场强度为3200V/m,电场频率为1365MHz时,二向色性角可增大约7倍·利用量子微扰理论和自由电子振子模型,解释了二向色性的成因和附加高频电场增强维格特效应及消除热负效应的机理·     

硅射频金氧半导体效应晶体管

世界范围内蜂窝网络的迅速扩大掀起了电讯系统的革命。从模拟射频技术到数字射频技术的转换使得利用现有的频谱、视频业务量的持续增加，进而导致了基于文本信息、图形甚至流式视频数字传送的持续增加。数字网络的开发要求电讯系统向多载流子射频功率放大器迁移。