半导体物理

本书是一本教材，系统地介绍了半导体物理的理论知识。为了使学生能更好地理解和应用这些理论和概念，本书还对一些基于半导体的重要系统的原理进行了简单的解释。全书共分10章。第1章半导体简介，介绍了半导体的定义和重要性、半导体理论的基础和一维理想结晶固体的量子态；第2章理想半导体的量子态，重点介绍了三维半导体的量子态；第3章纯半导体的激发态和含杂质半导体的量子态；第4章均相半导体的统计学；第5章半导体中的迁移现象；第6章光效应；     

太阳能半导体制冷因素的研究及其性能优化

以探讨影响太阳能半导体制冷因素为主线,对太阳能半导体制冷性能进行了优化探讨.分析了太阳能半导体的应用前景和工作原理.对影响太阳能半导体制冷性能的因素包括太阳辐射强度、太阳能电池板的光电转换效率、半导体制冷热端散热方式、半导体制冷系统的设计工况、蓄电池的工作状态、半导体制冷电臂的结构以及热电材料的优值系数进行了系统分析.对太阳能半导体制冷系统提出了一些建议和优化措施.     

高功率半导体激光器阵列及其应用

介绍了高功率半导体激光器阵列的国内外研究情况,概述了高功率半导体激光器研究中所面临的关键性技术问题———半导体激光器阵列条、高功率半导体激光器阵列的散热技术及其光耦合技术,指出降低半导体激光器的生产成本是提高我国国际竞争力的重要手段。     

NSRL在半导体表面和界面的同步辐射研究进展

综述了国家同步辐射实验室在半导体表面和界面的同步辐射光电子能谱研究．其中包括碱金属在半导体表面的吸附及其对半导体表面氧化和氮化的催化作用;稀土金属在半导体表面的吸附及其界面形成;Ⅲ-V族半导体表面的钝化及其与金属界面研究;半导体表面的磁性超薄膜研究;与Ⅱ-Ⅵ族半导体有关的异质结能带排列     

抢占发展先机培育壮大科技产业集群

半导体照明产业是半导体发光技术和传统照明产业相结合的新兴产业，是最具发展前景的高技术产业之一。目前，国内外半导体照明产业发展迅猛。半导体照明技术是光电子产业的核心技术之一。随着第三代半导体材料氮化镓的突破和发光二极管(LED)的问世，半导体照明以其节能、环保和长寿命的优异特点正在引发一场新的产业革命——照明革命。     

浅议半导体照明产业人才需求分析

本文首先分析了半导体照明产业人力资源总量及分布，探讨了国内半导体照明企业员工的学历结构与半导体照明产业人才的缺口，进而对当今半导体照明产业人才需求进行系统的分析。     

Schottky势垒中的电中性能级、平均键能和费米能级

基于第一原理赝势能带计算。采用电中性能级和平均键能方法计算了7种不同半导体的Schottky接触势垒高度，结果表明2种方法都可用于计算金属-本征半导体的接触势垒高度。文中用于确定接触势垒高度的“本征半导体基态费米能级EF^S,i”不同于半导体物理中所指的“本征费米能级Ei”．n型半导体接触势垒、p型半导体接触势垒和本征半导体势垒，三者在接触界面附近的费米能级都是“钉扎”于本征半导体基态费米能级EF^S,i，是此三者的接触势垒高度大致相同的原因。     

中国半导体业渐入佳境

中国半导体市场的成长速度远高于世界平均水平,成为全球半导体企业竞相争夺的市场。据市场研究机构 Gartner-Dataquest 报告,预计2006年中国半导体市场生产总值将达220亿美元,中国最迟于2008年成为世界最大半导体市场。潜力巨大的中国半导体市场,吸引了海内外投资者和供应商纷至沓来。     

利用半导体致冷片研制小型电冰箱

阐述了半导体制冷技术的发展和原理,应用半导体制冷技术制作了半导体冰箱,并进行了实验测试.     

自主可控视角下中国半导体产业链风险及对策研究

从半导体产业链和产业特征出发,梳理中国半导体产业链存在的风险点,并从实现半导体产业自主可控角度提出政策建议.研究发现,中国半导体产业链关键节点面临风险为上游原料硅晶圆全球寡头垄断、晶圆加工工艺不先进、半导体设计软件对外依赖度高、半导体加工设备仪器自给率低;风险形成的原因为起步晚并遭到发达国家技术封锁、研发投入还有待加强...     

半导体（砷化镓）激光照射对犬创伤愈合及细胞免疫机能的影响

以犬为试验动物研究了半导体 (砷化镓 )激光照射创面对皮肤缺损创愈合以及血液中酯酶染色阳性淋巴细胞数的影响。结果表明 ,用波长 890nm ,平均功率 2mW ,峰值功率 5W的半导体激光照射创面可使边长 2cm的正方形犬皮肤全层缺损创平均提前 3.5 1d愈合 ,并使血液中酯酶染色阳性淋巴细胞数明显提高     

半导体激光器中产生的光脉冲红移啁啾的消除

对啁啾脉冲在单模线性色散光纤中的非线性传输演化过程进行了解析分析和定量的数值计算．结果表明,在单模线性色散光纤正群速色散区,用输入光脉冲产生的兰移啁啾可以消除半导体激光器中产生的光脉冲红移啁啾     

半导体激光器与单模光纤的耦合研究

对半导体激光器与单模光纤的耦合问题进行了研究。文中对采用自聚焦透镜对及采用薄透镜与自聚焦透镜组合来提高耦合效率的方案进行了理论分析，导出了各自方案中各组件的最佳空间位置，并给出了相应的实验结果。     

激光作用下岩石内的温度分布

根据电磁波与物质相互作用的半经典理论，通过解不稳定导热微分方程，导出在激光作用下岩石内的一种温度分布，其结果可作为研究激光破岩的基础。     

Sb掺杂对电纺ZnO纳米纤维的结构与发光性质的影响

Sb掺杂ZnO纳米纤维材料在光电、气敏效应、P型导电等方面具有优异的性质。本文利用静电纺丝方法制备了不同Sb掺杂浓度的ZnO纳米纤维,研究了掺杂对纤维的形貌、结构以及发光性质的影响。发现随着掺杂浓度的提高,纤维的直径增加,晶粒尺寸变大。XRD和Raman的测量表明在掺杂浓度较高的情况下有杂相Zn,Sb2O12的存在。发光测试研究表明,随着掺杂浓度的提高,样品的发光呈现先增强后减弱的变化规律,并且样品发光伴随较强的激光热效应,对于未掺杂样品,由于其直径最小激光的热效应最为显著。     

真空烧结SrTiO3系多功能瓷涂覆的研究

采用真空烧结使 Ｓｒ Ｔｉ Ｏ３ 系基片充分半导化,研究了氧化物（ Ｎａ２ Ｏ）及其它两种复合氧化物（ Ｐｂ Ｏ Ｂｉ２ Ｏ３  Ｂ２ Ｏ３ 、 Ｍｎ Ｏ Ｂｉ２ Ｏ３）为扩散剂对半导化的（ Ｓｒ Ｃａ） Ｔｉ Ｏ３ 基陶瓷压敏、介电特性及显微结构的影响     

半导体器件模拟中的时间拓展

利用计算机进行半导体器件模拟时，最大限制是所需CPU时间特别长。对此，提出了一种适应于半导体器件电磁波效应计算机模拟研究的时间拓展方法，可在满足精度（10％）的范围内将计算时间缩短45％以上。     

施受主杂质Nb,Mn共掺BaTiO_3陶瓷的制备方法及其PTC特性

采用固相法制备施主杂质 Nb和受主杂质 Mn共掺的 Ba Ti O3 陶瓷 ,应用固体物理的无序系统理论解释了 Ba Ti O3 陶瓷的半导化机理 ,并以此为指导选择了较合适的施主 Nb的掺杂量。讨论了受主杂质 Mn的摩尔浓度与陶瓷 PTC性能的关系     

手持式数字皮辊加压力测试仪的研制

介绍了手持式数字皮辊加压力测试仪的原理、元器件参数选择方法及测试头应变梁的设计依据．该仪器主要由３１２位液晶显示器、双积分型模数转换器、高灵敏度半导体应变片等组成，具有外形小、精度高、耗电省、使用方便等特点．     

由稳定化合物熔化焓提取二元系活度

本文从二元系中稳定化合物与液相平衡关系入手，导出了由稳定化合物的熔化焓计算二元第活度的新公式，通过对In-Sb二元系的活度计算验证了本方法的可行性，并用这一新方法预报了半导体Ga-As二元系的活度。