重新氧化氮化n—MOSFET‘s断态栅电流的温度特性

对采用迅速热处理方法制备的重新氧化氮化ｎ－ＭＯＳＦＥＴ’ｓ的断态栅电流Ｉｇ的温度特性进行了实验研究和理论分析，研究表明，在合适的氮化和重新氧化条件下，Ｉｇ随温度增另可保持几乎不变，这归因于重新氧化部分恢复了Ｓｉ／ＳｉＯ２界面处相应于空穴发射的氮化感应致使势垒高度的降低，从而使得在升高的温度下，热空穴主的增另几乎抵消了雪崩区空穴产生的减小。     

非对称栅压在负栅极-源漏极交叠结构超薄沟道双栅器件中的应用

为了研究纳米尺度器件中量子力学效应对传输特性及动态特性的影响,在器件模拟软件TAURUS中实现了量子修正的漂移扩散模型(QDD),并对具有负栅极-源漏极交叠结构的超薄沟道双栅器件进行了数值模拟。结果显示:非对称栅压的控制方法使得器件具有动态可调的阈值电压,能够动态地适应高性能与低功耗的要求。通过优化栅极与源漏区的交叠长度可以降低栅极电容,从而提高器件的动态特性,提高电路的工作速度。     

非对称栅压在负栅极-源漏极交叠结构超薄沟道双栅器件中的应用

为了对纳米尺度器件中量子力学效应对传输特性及动态特性的影响进行研究,该文在器件模拟软件TAURUS中实现了量子修正的漂移扩散模型(QDD),并对具有负栅极源漏极交叠结构的超薄沟道双栅器件进行了数值模拟。结果显示非对称栅压的控制方法使得器件具有动态可调的阈值电压,能够动态地适应高性能与低功耗的要求。通过优化栅极与源漏区的交叠长度可以降低栅极电容,从而提高器件的动态特性,提高电路的工作速度。     

MOS器件直接隧穿栅电流及其对CMOS逻辑电路的影响

随着晶体管尺寸按比例缩小,越来越薄的氧化层厚度导致栅上的隧穿电流显著地增大,严重地影响器件和电路的静态特性,为此,基于可靠性理论和仿真,对小尺寸MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor)的直接隧穿栅电流进行研究,并通过对二输入或非门静态栅泄漏电流的研究,揭示直接隧穿栅电流对CMOS(complementary metal oxide semiconductor)逻辑电路的影响.仿真工具为HSPICE软件,MOS器件模型参数采用的是BSIM4和LEVEL 54,栅氧化层厚度为1.4 nm.研究结果表明:边缘直接隧穿电流是小尺寸MOS器件栅直接隧穿电流的重要组成成分;漏端偏置和衬底偏置通过改变表面势影响栅电流密度;CMOS逻辑电路中MOS器件有4种工作状态,即线性区、饱和区、亚阈区和截止区;CMOS逻辑电路中MOS器件的栅泄漏电流与其工作状态有关.仿真结果与理论分析结果较符合,这些理论和仿真结果有助于以后的集成电路设计.     

适应零电流分断控制的动态分断过程研究

在大量试验的基础上,提出智能交流接触器零电流分断控制的最佳控制区域,并对接触器分断过程进行探讨.建立基于神经网络的智能交流接触器分断过程动态预测模型,从而提出智能交流接触器分断过程动态计算与分析的新方法,为产品研究开发及虚拟优化设计奠定基础.     

高介电栅介质ZrO2薄膜的物理电学性能

采用脉冲激光沉积方法在Si衬底上沉积了ZrO2栅介质薄膜,X射线衍射分析表明该薄膜经过450℃退火后低介电界面层得到抑制,仍然保持非晶状态;电学测试显示10 am厚ZrO2薄膜的等效厚度为3.15 nm,介电常数12.38,满足新型高介电栅介质的要求,在-1 V偏压下Al/ZrO2/Si/Al电容器的漏电流密度为1.1×10-4A/cm2.     

一种改进的共源共栅电流源的设计

以基本的镜像电流源电路结构为基础,通过改进提出了一种改进的共源电流源,并应用到1.8GHz的VCO中,对VCO的振荡频率与电流源的关系作了研究,并以TSMC0.25μm工艺库在Hspice中进行了仿真,确定了MOS管的尺寸和电流源的静态指标,仿真结果表明基本达到VCO的要求。     

基于反向恢复电流的绝缘栅双极型晶体管模块动态结温估测方法

针对传统结温估测方法响应速度慢、测量误差大问题,采用绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor, IGBT)模块的反向恢复电流作为温敏电参数,提出一种新型结温估测方法。分析了IGBT模块结温和负载电流对反向恢复电流的影响机理,并建立了三者间的理论关系。考虑实际工况并采用试验数据拟合得到IGBT模块的结温预测模型,通过比较试验测量数据与预测模型计算结果的差异,证实了采用反向恢复电流提取IGBT模块动态结温的估测方法具有较高的估测精度和较快的响应速度。     

泄漏电流测试仪交流漏电流示值误差测量结果的不确定度评定

调节泄漏电流测试仪输出漏电流，设输出漏电流为IN，再由数字多用表读出实际值IN。从而计算出示值误差，本次评定以Ix=1mA为例。     

对称薄膜双栅MOSFET温度特性的研究

文章对薄膜双栅MOSFET器件的温度特性进行了研究。首先对其进行理论分析,得到亚阈值电流、阈值电压和饱和电流等随温度的变化关系,并计算出理论结果,再用Medici模拟仿真加以验证,比较了不同温度下的输出特性、饱和漏电流、阈值电压与温度变化的关系,验证结果表明两者是一致的。     

PN结反向电流的温度特性

本文全面介绍了PN结反向电流及其温度特性的理论     

基于母线电流脉动的无刷直流电机断相故障诊断法

无刷直流电动机断相后运行的危害很大,将故障及时地发现与定位,对提高航空稀土永磁(REPM)无刷直流电动机(BLDCM)运行的可靠性及对装备的保障效能,意义十分重大。基于此,在对无刷直流电动机运行与控制特性进行专门的研究后,提出了利用无刷直流电机自身固有的相电流换相脉动特性,通过分析脉动的母线电流,并结合Hall位置信号来诊断与定位断相故障的方法。经过Matlab仿真和实验,验证了理论分析的正确性,为后续稀土永磁无刷直流电动机的断相故障诊断与保护装置研究,提供了科学地参考。     

用温度调制空间电荷限制电流法研究GD-a-Sic∶H膜的隙态密度

本文用温度调制空间电荷限制电流法测得了 GD-a-Si_(1-x)C_x∶H 膜不同碳含量 x 时的隙态密度,得到了光处理前后隙态密度的变化情况,发现强光照后存在有光诱导缺陷态效应,文中还就该方法本身的优越性进行了讨论.     

极化电压与铁电场效应晶体管漏极电流的稳定性关系

设计了具有金属/铁电体/半导体结构的铁电场效应晶体管（FFET）,并对其特性进行了仿真.结果表明,当Vg=0时,Pr和Ps/Pr的值决定了漏极电流的大小.当Pr增加时,Id随之增大.当FFET饱和极化后,Ps/Pr值增加,Id增大.FFET可以在特定极化电压（Vp=1.5 V）极化后,实现漏极电流的稳定输出,减小了Ps/Pr变化对FFET器件性能的影响.该漏极电流稳定输出时的极化电压值受到矫顽场Ec的影响,且Vp随Ec的减小而降低.     

基于表面势的有机薄膜晶体管漏电流的解析模型

考虑到有机薄膜晶体管(OTFT)带隙中存在指数分布的陷阱态密度,提出了基于表面势的电流解析模型.在模型建立过程中,使用薄层电荷近似区分扩散电流和漂移电流;采用泰勒展开来实现表面势的解析求解,得到较高的求解精度.基于变程跳跃理论,即载流子在局域态之间的热激活特征的隧穿输运机理,解释了OTFT的转移特性和温度特性.模型计算...     

直流系统断路器通断特性的研究应用

该文通过对直流保护电器的通断特性的研究,以及国家电网公司对于新装和运行中的直流保护电器的相关规定,提出了研制变电站额定电流100A以下等级直流断路器、熔断器分断力和级差配合的硬件装置,并提出了设计流程,同时通过测试、仿真分析、实验等技术措施针对直流断路器和断路器之间、直流断路器和熔断器之间、熔断器和熔断器之间进行级差配合的及具体的设计方案。因变电站直流系统的供电内容多,回路又分布广,往往有许多支路在一个直流网络中需要设置断路器或熔断器来进行保护,并分成三到四级串联,其它馈电线路引起断电事故的原因是当下级用电设备在直流系统运行过程中出现了短路故障时,会经常性地引起上一级直流断路器越级跳闸,造成通讯中断、调度瘫痪和变电站一次设备如高压开关、变压器、电容器等的事故。     

螺旋升流式反应器流态特性的数值模拟

为了分析螺旋升流式反应器去除COD及N、P效果好的原因,利用计算流体力学(CFD)商用软件PHOENICS对螺旋升流式反应器厌氧段的流态特征进行了模拟研究.研究结果表明:螺旋升流式反应器内流体流态为以螺旋方式上升的推流流态和完全混合流态,其中推流流态约占65%.反应器兼有PFR和CSTR 反应器的特点,使其具有较好的处理能力.     

高k栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究

对高k栅介质SOI nMOSFET器件的PBTI退化和恢复进行实验研究, 并且与pMOSFET器件的NBTI效应进行比较, 分析PBTI效应对阈值电压漂移、线性及饱和漏电流、亚阈摆幅和应力诱导漏电流的影响。结果显示, PBTI的退化和恢复与NBTI效应具有相似的趋势, 但是PBTI具有较高的退化速率和较低的恢复比例, 这会对器件的寿命预测带来影响。 最后给出在PBTI应力条件下, 界面陷阱和体陷阱的产生规律及其对器件退化的影响。     

T-C模型中纠缠原子与相干态光场相互作用的场熵演化特性

利用全量子理论,研究了一对纠缠原子与相干态光场相互作用中场熵的演化特性.讨论了原子间偶极-偶极相互作用、光场强度与2原子纠缠度对场熵演化特性的影响.结果表明:原子间偶极-偶极相互作用强度增加使场熵的演化周期增大;初始光场强度增加,场熵平均值先增大后减小,振荡周期变大;场熵平均值随初始纠缠度增大反而减小,但振荡幅度随初始纠缠度增大而增大.     

透平叶栅二次流瞬态特性的新测试方法

为了解决常规粒子图像测速系统（PIV）对小于20％主流速度的弱次流场进行测量时无法得到可靠矢量场的问题,通过调整第二束片光使其沿主流方向偏移1～1．5mm来跟踪粒子运动,实现了对高速流动中弱二次流瞬态速度场的可靠测量．在此基础上,组合调制4束激光片光的触发时序和空间位置,使不同时间触发的片光能跟踪粒子的运动,再结合2套互相关CCD和偏振光技术,可获得3组高时间分辨率的连续瞬态矢量场,从而实现了对非定常二次流质点运动及涡系结构演绎过程的跟踪测量．