结构参数对三量子阱超晶格单元结构伏安特性的影响

通过数值求解非平衡态维格纳函数,研究了三量子阱（three-quantum-well）超晶格单元结构共振隧穿电流-电压特性,给出了量子阱结构参数变化对其伏安特性曲线的影响．     

量子阱器件的发展及其应用

随着半导体量子阱材料的发展，量子阱器件广泛应用于各种领域。本文主要介绍量子阱的基本原理，重点从量子阱材料．量子阱激光器、量子阱虹外探测器、量子阱LED、量子阱光集成器件等方面介绍量子阱理论在光电器件方面的发展及其应用。     

InGaAs／InP量子阱材料生长后置无序技术的研究

研究了氖离子注入诱导ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ量子阱材料带隙变化的规律，研究结果表明，由氖离子注入引起量子阱带隙蓝移。蓝移的大小与量子阱的宽度，阱距表面深度，注入离子剂量，能量，及退火条件有关，研究所得的参数对设计量子阱集成光器件有重要参考价值。     

InGaAs/InP量子阱材料生长后置无序技术的研究

研究了氖离子注入诱导 In Ga As/In P量子阱材料带隙变化的规律 .研究结果表明 ,由氖离子注入引起量子阱带隙蓝移 .蓝移的大小与量子阱的宽度 ,阱距表面深度 ,注入离子剂量 ,能量 ,及退火条件有关 .研究所得的参数对设计量子阱集成光器件有重要参考价值     

汽车碰撞时间特性的仿真

随着汽车向高速化方向发展,对汽车的安全性要求越来越高,汽车在高速下的碰撞特性研究也就显得非常重要。文中讨论了汽车碰撞时车体的加速度、速度和位移的变化情况,给出了用于仿真研究的碰撞参数模型,并对汽车正面碰撞时车体的时间特性（加速度、速度）进行了仿真分析。     

一维二元光子晶体量子阱的透射谱分析

利用传输矩阵法,比较分析了(AB)m-(BACAB)n-(BA)m和(AB)m-(CBAABC)n-(BA)m一维二元光子晶体量子阱分别含双正和双负介质C的透射谱特性,并重点分析了双负介质C对光量子阱透射谱的影响。通过改变双负介质C的折射率、阱层光子晶体的周期数,得出了光量子阱透射谱随这两种因素变化的规律,从而为光子晶体理论研究及新型量子阱光学器件设计提供参考。     

含双负介质一维二元光子晶体量子阱的透射谱分析

利用传输矩阵法,比较分析了(AB)m-(BACAB)n-(BA)m和(AB)m-(CBAABC)n-(BA)m一维二元光子晶体量子阱分别含双正和双负介质C的透射谱特性,并重点分析了双负介质C对光量子阱透射谱的影响。通过改变双负介质C的折射率、阱层光子晶体的周期数,得出了光量子阱透射谱随这两种因素变化的规律,从而为光子晶体理论研究及新型量子阱光学器件设计提供参考。     

磁场对CaN/AlxCa1-xN抛物量子阱中电子态能量的影响

采用变分法,研究了外界磁场对抛物量子阱中基态能量的影响．并给出抛物量子阱CaN／AlxCa1-xN中的数值结果．研究结果表明,基态能量对磁场强度的变化很敏感,并随着外磁场的增加而增加;磁场对基态能量的贡献随着阱宽的增大而增大．     

考虑梁端碰撞效应的单跨非对称悬索桥地震响应分析

目的 研究主引桥伸缩缝处碰撞效应对大跨度悬索桥地震响应的影响。方法 以西南地区某单跨非对称悬索桥为研究对象,基于ANSYS有限元软件建立主引桥模型,采取接触单元法,研究桥梁在考虑梁端碰撞效应下的地震响应,并探究了伸缩缝间隙、碰撞单元刚度以及主引桥周期比对其影响规律。结果 主引桥间的相互碰撞会在梁端产生一个较大的碰撞力,其峰值会随着伸缩缝间隙的增大而减小,随着碰撞单元刚度的增加而增大;同时,碰撞作用使加劲梁的位移随着间隙宽度的增大而增大,随着碰撞单元刚度的增加先减小后趋于稳定,随着周期比的增大而减小;结构产生的碰撞力峰值根据地震波不同表现出不同的变化规律;塔顶位移和塔底内力基本不受参数变化的影响。结论 伸缩缝间隙和碰撞单元刚度是影响地震响应的重要参数,需要在设计中合理考虑和选择。     

超晶格量子阱的空穴跃迁与材料的光电性质

引入正切平方势描述了量子阱中的空穴运动行为。在量子力学框架内,把空穴的Schrodinger方程化为超几何方程,用系统参数和超几何函数严格地给出了系统的本征值和本征函数。结果表明,阱内的能级数目和跃迁能量与系统参数有关,只需适当调节系统参数便可望得到不同光电特性的量子阱材料。     

σ-LET curve obtained with heavy ions accelerated by HIRFL

σ-LET curve is one of the important factors for orbital SEU rate prediction. SEU cross sections of static random access memory (SRAM) IDT71256 were obtained with 35 MeV/u 36Ar ions and 15.14 MeV/u 136Xe ions, accelerated by Heavy Ion Research Facility in Lanzhou (HIRFL), fitted with Weibull and Lognormal function to obtain the whole σ-LET curve. The SEU rates of IDT71256 in geosynchronous and two sunsynchronous orbits were predicted with fitting parameters.     

软错误缓解动态部分可重构的抗单粒子方案

随着基于静态随机存储器(static random-access memory,SRAM)型现场可编程门阵列(field programmable gate array,FPGA)广泛应用于航空航天领域,太空辐照环境下FPGA产生单粒子翻转(single event upset, SEU)问题的概率日益提高,从而导致FPGA出现单粒子闩锁现象引起功能紊乱。针对该问题,基于SRAM型FPGA的架构诱发SEU机理分析,对传统三模冗余(triple module redundancy, TMR)的方案进行改进,设计一种逻辑上采用TMR进行备份、系统上采用软错误算法缓解执行,同时采用局部纠错和动态可重构的方法进行抑制的方案。皮秒激光注入试验结果显示,采用所提供方案的FPGA较传统方案试验电流平稳,验证了该方案可以有效对SEU进行抑制。     

σ-LET curve obtained with heavy ions accelerated by HIRFL

σ-LET curve is one of the important factors for orbital SEU rate prediction. SEU cross sections of static random access memory (SRAM) IDT71256 were obtained with 35 MeV/u ³⁶Ar ions and 15.14 MeV/u ¹³⁶Xe ions, accelerated by Heavy Ion Research Facility in Lanzhou (HIRFL), fitted with Weibull and Lognormal function to obtain the whole σ-LET curve. The SEU rates of IDT71256 in geosynchronous and two sunsynchronous orbits were predicted with fitting parameters.     

Geant4模拟半导体器件的单粒子效应

利用Monte Carlo软件Geant4模拟了质子和中子在半导体静态随机存储器模型中的输运过程。根据入射粒子的能量选择不同的物理模型,并采用强迫碰撞方法,模拟了高能质子和中子与硅原子的相互作用及其次级反应过程,给出了0.1~2 GeV超高能质子、中子和14 MeV中子辐照器件时存储单元灵敏区内的能量沉积,并根据具体器件的临界能量,得到了器件在不同能量的高能质子和中子辐照下引起的单粒子翻转截面和多位翻转截面,计算结果与文献资料结果符合较好。     

辐射易敏SRAM型FPGA在导航卫星中的适用性实验研究

利用兰州重离子加速器提供的86Kr离子束流开展了百万门SRAM型FPGA的单粒子效应实验研究.获得了该器件配置存储器和片内Block RAM的重离子翻转截面,给出了与国外同类实验结果显著差异的原因分析,证实了该器件对单粒子效应的极端敏感性;对三模冗余、动态刷新等容错机制的有效性进行了动态测试,结果表明采用的组合加固措施能显著降低系统的功能错误截面,基本消除了配置存储器额外引入的敏感性,达到了与同类专用集成电路接近的抗辐射水平;结合导航任务特点和实验结果,对SRAM型FPGA在导航卫星上的适用性进行了分析,提出了将加固设计与自主完好性监测相结合的应用思路.     

高能中子诱发半导体器件产生单粒子翻转的模拟计算

随着半导体及电子工艺技术的迅速发展,器件向着小尺度、低电压、低电荷、高集成度迈进,大气中子对航空及地面的电子系统造成的单粒子效应越来越显著.本文采用PHITS2.24蒙特卡罗程序及其事件发生器功能,借助于核反应模型与截面数据,验算了描述器件发生单粒子翻转能力的MBGR参数,并采用大气高能中子能谱,对SRAM器件的单粒子翻转率进行了计算与分析.这为我们今后模拟大气中子产生的各类单粒子效应提供了基本方法,也为将来开展相应的辐照实验提供了理论基础.     

基于Web的网络管理的研究与实现

提出了一种实际应用WBM的方案（SEU－MGMT），介绍了SEU－MGMT系统的体系结构和实现中的技术重点，讨论了CORBA在这种技术上的应用，并提出了WBM的局限性，SEU－MGMT系统经过多种环境下的试运行，具有较好的性能，可以进行有效的网络管理，该系统的使用范围很广，具有 很大的应用前景。     

一种新型的抗单粒子翻转的D触发器

介绍了两种已有的主从型边沿D触发器,它们具有很强的抗单粒子翻转能力.在此基础上提出了一种新型的抗单粒子翻转的D触发器的结构.该结构综合了上述两种结构的优点,在抗辐射性能上得到了有效的改进,减少了面积.     

抗软错误SRAM单元设计

随着半导体工艺技术的发展,节点电容和电源电压的减小加剧了软错误对集成电路设计的影响.高能带电粒子入射SRAM单元敏感节点引起的软错误可能通过改变基于SRAM的FPGA的存储单元配置而改变芯片功能.在此类型FPGA芯片内,SRAM单元存放着FPGA的配置数据,因此增强SRAM的抗软错误性能是提升FPGA芯片可靠性的最有效...     

一种静态RAM双帧存结构的图形系统及应用

针对高速图形显示系统的应用要求，设计了一种采用静态RAM的双帧存结构的高速图形显示系统，双帧存的逻辑控制和显示控制器由FPGA实现，基于该系统的双帧存结构，提出了一种实现图形叠加的新方法，该方法通过两幅图形数据分别写入不同帧存的方式，实现两幅图形的叠加．进一步提出了一种实现复杂图形分割成两部分分别生成显示的方法，该方法使图形处理器的图形处理性能加倍．