铝硅面垒型半导体探测器作为标定手段的论证

对用铝硅面垒型半导体探测器作为标定手段进行了充分的论证。该探测器可以用来测试软Ｘ射线，较之于全吸收充电氙电离室，它有体积小，使用方便等优点；比金硅面垒型半导体探测器的透射率又大得多，文章对各种物理机制引出的诸修正项和各种参量测量的误差，做了认真的考虑，分析了和计算。结果表明，总精度和小１０％。     

碘化汞室温X射线探测器的研制

碘化汞室温Ｘ射线探测器的研制李正辉，邹联隆，曹瑞钦，李伟堂（材料科学系）自本世纪７０年代初Ｗｉｌｌｉｎｇ等首先用碘化汞（ＨｇＩ２）晶体制成室温半导体核辐射探测器［１］以来，该晶体在生长和应用等方面都取得了很大的进展［２～４］．由于ＨｇＩ２晶体有效原子...     

便携式Si（Li）X射线探测器的研制

报道了所研制的便携式Ｓｉ（Ｌｉ）Ｘ射线探测器，其能量分辩为１５３ｅＶ，液氮保持时间为４０ｈ，充满液氮后的重量为８．２ｋｆ，已用于携带式同位素激发Ｘ射线荧光分析仪中。     

Co~(60)γ辐照对半导体金-硅面垒探测器性能的影响

文献曾报导过高能带电粒子和中子对探测器性能的影响。并把性能的变化主要归结为体性质(如寿命,电阻率)的改变。本文则研究了对体性质影响较弱的r辐照对金-硅面垒探测器性能的影响。包括反向电流、噪声、分弁率、势垒电容和输出脉冲辐度的变化。并把它们相互联系起来进行了详细的分析和讨论。得出如下结论:r辐照后,前三个特性都变坏,并证明了这是由于表面漏电的增加所引起的;势垒电容变化不大,但略有减少;对目前所使用的硅材料,在低偏压时,γ辐照后,由于寿命的降低输出脉冲幅度也会降低。对这些变化都作了某些解释。     

真空热迁移法制备硅垂直多重结X射线探测器

用真空热迁移法，以高纯石墨作为加热元件，构成大面积均匀热板，并以纯铁为冷板，通过严格控制冷、热板的温度，形成稳定的热梯度场。采用高阻单晶硅作为探测器的基体材料，在硅片表面用激光来进行刻槽，在其表面上蒸铝后，置于热迁移场中进行热迁移。按照探测器的要求，蒸发钛－钯－银构成电极，经钝化处理后沉淀适当厚度的Ａｌ层作为窗口，构成垂直多重结Ｘ射线探测器。探测器具有良好的光谱响应，对Ｘ射线有较高的灵敏度，适于较     

基于象限探测器的瞬态高温比色测试系统标定方法研究

基于象限探测器的瞬态高温比色测试系统有着响应速度快、测温上限高等优点。本文阐述了一种K值标定的方法对其进行标定和校准,结果表明该方法有效提高了测试系统的精度。     

中子多重性探测器搭建及参数标定

该文介绍了自主设计的中子多重性探测器构成模块和搭建方法,以及相应的参数标定算法。在参数标定过程中,首先使用Am-Li中子源的相关计数率与本底计算率差值趋零化方法,提出了预延迟的标定公式;在均方差最小化基础上建立了三均分算法,进行了中子多重性死时间系数的拟合标定。根据6组252 Cf中子源获取的9个标定参数,利用中子多重性探测器对2个钚金属样品进行了测试,测试结果验证了探测器搭建方法的合理性及参数标定算法的正确性。