CMOS网络摄像头标定方法研究

以CMOS光电传感器为感光芯片的网络摄像头的应用日益普及,但仍然采用基于CCD摄像机的标定方法,这导致标定精度不高,针对这一问题,对两种摄像机的特点进行了分析对比,在经典的Tsai两步法基础上对摄像机成像模型进行了修正,并优化了摄像机参数初值,提出了适用于CMOS网络摄像头的标定方法。实验结果表明该方法提高了CMOS网络摄像头标定的精度,在实际项目中的成功应用也验证了其正确性、精确性和可行性。     

CMOS在专业摄像机领域的应用前景分析

本文在比较了CMOS和CCD的工作原理和各自的优缺点之后,通过对索尼公司应用CMOS作为感光芯片的摄像机的发展趋势研究,提出专业摄像机换“心”时代,即将来临。     

CMOS芯片OV7910设计摄像机电路

CMOS图像传感器所具有的体积小、重量轻、功耗低、高可靠、高集成、低成本、宽动态范围、抗辐射和几乎没有拖影等优点,在应用中越来越体现出实用性,CMOS取代CCD设计图像传感器成为趋势和必然。OV7910是OmniVision公司的单芯片彩色的摄像机感光元件,集成了强大的数字图像处理单元、具有逼真的色彩还原度和高灵敏度,以及在不同环境中对图像进行快速自动曝光和自动白平衡等操作的自适应能力。根据电路设计相关原理,详细介绍了利用CMOS芯片OV7910进行摄像机电路的设计。     

CMOS图像传感器技术的进展与应用

首先介绍了CMOS图像传感器的发展状况,并简单分析了影响其性能的一些因素;然后详细介绍了高填充系数技术和直接成像传感器技术,及其对CMOS图像传感器性能的改善,并对这两种技术的应用做了介绍;最后说明了CMOS图像传感器和CCD图像传感器之间将存在的长期竞争。     

CMOS数字图像传感器研究进展

CMOS图像传感器已从无源和有源像素结构发展到数字图像传感器(DPS),数字图像传感器是CMOS图像传感器的发展方向,DPS的优势在于可把整个图像系统集成在一块芯片上,构成单芯片成像系统,从而降低成本,节约系统功耗,改善成像质量.片上集成模数转换器(ADC)是CMOS图像传感器的关键部件,重点分析和比较了三类不同集成方式:芯片级、列级和像素级的原理、性能和特点.介绍了目前国内外数字图像传感器的发展现状及其未来的发展趋势.     

单片型像素探测器及其应用研究进展

单片型像素传感器将传感器和读出电路集成在同一硅片上,具有低物质量、低组装工作量和低成本的优点.近年来,单片型像素传感器在高能物理实验领域得到越来越多的关注,并已成功应用于STAR和ALICE实验中.通过商用CMOS集成电路技术和针对传感器的工艺优化,单片型像素传感器在抗辐照性能、空间时间分辨率、功耗和芯片面积等方面都取得了重大进展.本文旨在介绍单片型像素传感器及其研发过程中需要考虑的重要指标参数,并结合新工艺、新传感器结构和新读出架构对其研究进展进行概述.     

图象感器种类比较与技术应用

鉴于此,本文将首先简介CCD与CMOS传感器在原理方面的差异,再探讨领导厂商的技术发展蓝图,了解这些不同的图像传感器在应用市场上的发展趋势.     

传感器技术的研究现状与发展前景

传感器技术作为信息技术的三大基础之一,是当前各发达国家竞相发展的高技术,是进入21世纪以来优先发展的十大顶尖技术之一。传感器技术所涉及的知识领域非常广泛,其研究和发展也越来越多地和其他学科技术的发展紧密联系。本文回顾了传感器技术的发展历史．综述了近几年高端前沿的光电传感器技术和生物传感器技术的主要研究状况,并通过简述当前的应用实例,展望了现代传感器技术的发展和应用前景。     

基于CCD与CMOS图像传感新技术的研究

介绍了CCD（电荷耦合器件）与CMOS图像传感器新技术,对两者的性能特点进行了比较。最后,预测图像传感技术的发展趋势。     

应用于无透镜细胞成像系统的非线性CMOS图像传感器

本文提出了一种应用于无透镜细胞成像系统的非线性CMOS图像传感器结构。以牺牲医疗评估不关心的背景光强区域的对比度为代价,将分段式线性对比度拉伸算法集成于CMOS图像传感器芯片内,在提高细胞区域的对比度的同时提高集成度。利用可配置多频率计数器,通过对背景灰度粗量化、感兴趣细胞区域灰度细量化的方法,在ADC量化精度相同的情况下,增加了细胞光强区域的量化精度和对比度。对ADC的静态特性仿真结果表明,本文提出的非线性CMOS图像传感器满足各个模式下对精度的要求。通过Matlab仿真对比分析了片外分段式线性对比度拉伸和本文提出的芯片内部的对比度拉伸。仿真结果表明,采用本文方法形成的细胞图像精度更高、细节效果更清晰,这为后续图像数据处理提供了有利条件。     

基于CMOS图像传感器的压缩感知成像算法

近年来提出的压缩感知理论将信号采样和压缩同时进行,突破了奈奎斯特采样定理的限制,为低采样高分辨率成像提供了可能.为此,提出了一种基于CMOS图像传感器的压缩感知成像算法,采用并行处理策略对CMOS图像传感器A/D转换前的模拟像素矩阵进行压缩采样,减轻了A/D转换模块的负担,大大降低了CMOS图像传感器的功耗,并且该算法实现电路简单.仿真结果表明,所提算法能快速有效地进行测量值的获取,利用TVAL3算法重构的图像主客观质量较好.     

有限状态机实现CMOS成像系统驱动时序

介绍Cypress公司的CMOS图像传感器IBIS5-A-1300的特点以及卷帘快门工作模式,并以其为成像核心,以MaxⅡ系列CPLD芯片EPM570T144C5为平台,搭建CMOS成像系统。采用有限状态机的方法设计并实现了系统在卷帘快门模式下的驱动时序。提供了设计方法、流程,进行了系统仿真、分析和成像实验,由所得结果可以证明该方法效果较好。     

图像传感器CMOS的性能及发展趋势

自20世纪90年代以来,互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器随着大规模集成电路技术的提高,发展势头也越来越强劲。主要介绍了CMOS图像传感器的工作过程,通过CMOS与电荷耦合器件（CCD）的性能参数对比,凸显出了CMOS的性能优势,并指出了CMOS的发展趋势。     

偏振干涉成像光谱仪中CCD的成像分析

光谱仪采集目标像的干涉图最终需要通过CCD系统来成像,为了能得到更高的图像分辨率和成像质量,需要不断优化CCD成像系统。偏振干涉成像光谱仪CCD成像系统一般包含两个部分：一是通常所说的光学成像系统,另一部分是CCD图像传感器采样记录系统。本文通过分析和描述CCD的采样过程。来讨论光谱在CCD成像过程中的频谱传输特性,并论述由于离散采样过程带来的频谱混迭对CCD成像系统中成像质量的影响。     

线结构光传感器的精度分析及优化设计

文章首先建立了线结构光传感器的数学模型,并通过成像关系分析建立了CCD敏感面积、测量范围及传感器结构参数间的联系,进而对传感器的测量误差进行深入分析。考虑到随机误差在实际应用中不易被修正,所以又建立了与传感器独立结构参数之间的关系,利用最优化方法得出了传感器独立结构参数的最优解,通过仿真法对优化结果进行验证,并给出了设计实例。     

CCD图像传感器原理

CCD（Charge Coupled Devices，CCD）自70年代初诞生以来，已迅速发展成为最常用的固体图像传感器，且广泛应用于科技、教育、医学、商业、工业、军事和消费领域。它是图像采集与数字化的关键器件。本文介绍了CCD图像传感器成像原理、工作原理、结构等，并对其电路组成及相关电学参数进行了说明。     

有源像素CMOS图像传感器非均匀性研究

有源像素CMOS图像传感器在许多领域有着重要的应用,但其非均匀性问题影响着成像质量,非均匀性控制一直是器件研发过程中需要重点考虑的问题之一。在分析CMOS图像传感器的工作原理的基础上,对非均匀性的来源及其表现形式进行了深入的分析,提出了3套不同层次的均匀性优化设计方案,分别从像素级、列级、芯片级三个不同的角度来评价非均匀性问题。研究结果对于设计高均匀性的图像传感器具有指导意义。     

高速CCD数据采集系统的驱动电路设计

以CCD图像传感器IL-P3为例,设计一种可调节曝光时间的CCD驱动电路.CCD作为光电转换式图像传感器,以其灵敏度高、动态范围大、光谱响应宽、功耗低、分辨率高和采样速度快等一系列特点成为现代电子学和现代测试技术中最活跃的传感器.在CCD应用技术中,用于产生CCD驱动时序的设计,是CCD数据采集电路设计的关键之一.     

一种应用于CMOS图像传感器的快速自动曝光控制方法

针对应用于CMOS图像传感器的传统固定步长自动曝光方法曝光过程缓慢的缺点,设计了一种快速自动曝光控制方法.在相同光照强度下,CMOS图像传感器的曝光强度值与增益值和曝光时间的乘积的比值是一个常量值,基于这一感光特性,根据当前的曝光时间、增益值和图像强度统计值判断出当前的光照强度,基于光强范围查找表,得到最优曝光时间,从而实现快速自动曝光调节.经过MATLAB算法评估,这种曝光方法在暗光情况下正确曝光平均帧数为3.6帧,而传统曝光方法需12.6帧;强光情况下正确曝光平均帧数为3.6帧,而传统曝光方法需要8.8帧.经过FPGA实际验证,这种方法能够很好地应用于CMOS图像传感器,在保证图像正确曝光的情况下实现快速调节曝光时间和增益值.     

基于CMOS图像传感器IBIS5-A-1300 的成像系统设计

介绍CMOS图像传感器IBIS5-A-1300的内部结构、主要特征和工作过程;对CameraLink接口的原理和优势做了简介;在此基础上结合Xilinx的FPGA芯片设计了一款成像系统,对系统的软硬件设计过程做了说明,并对其可行性做了简要分析。