金属掺杂对半导体薄膜光学性质的影响

研究了射频溅射法制备的半导体膜的光学特性.通过样品透射谱分析,发现在半导体In2O3材料中掺入金属Fe颗粒的薄膜中,电子的带间跃迁由In2O3的直接跃迁变为间接跃迁;随Fe所占体积份数的增加,局域态尾变宽,带隙变窄.这是由于掺入Fe颗粒后,母体材料与金属颗粒的界面处表面态增多,以及母体材料的非晶化引起的.     

Zn1-xCdxSe/ZnSe多量子阱光伏效应研究

测量以GaAs为衬底的Zn1-xCdxSe／ZnSe应变层多量子阱在不同温度下（18～300K）的光伏谱,研究Zn1-xCdxSe／ZnSe多量子阱的光伏效应和带间激子跃迁,实验结果表明,Zn1-xCdxSe／ZnSe量子阱具有显著的量子限制效应,从18K直至室温,都能观测到清晰的激子跃迁峰,说明Zn1-xCdxSe／ZnSe是制作室温下工作的蓝绿激光器等发光器件的合适材料。     

正弦共振微扰下的量子跃迁

量子跃迁中微扰理论处理的条件是作用时间较短(th/H'FI/),考虑正弦共振微扰作用任意时间长的情况,计算出在这种情况下量子跃迁几率.     

量子盘的电偶极跃迁

介绍盘形量子点模型并对其电偶极跃迁进行了研究.在柱坐标系下求解电子本征波函数和本征能量,并在此基础上得出了选择定则、跃迁几率、跃迁速率和吸收系数.简介了量子盘模型向量子阱、量子线的过渡.     

一种用作分子电子材料的螺杂环化合物

设计并合成了一种具有螺环结构的高熔点有机分子。这种分子能够和银形成络合物薄膜，并具有很好的热稳定性和电双稳特性。络合物薄膜 8V电压作用下，可以从高阻态转变成低阻态，跃迁时间为15ns。     

稀土石榴石晶体磁光效应微观机制研究

本文用量子理论计算了RE:YIG(RE=Ce,Pr)晶体薄膜中RE离子经晶场和交换作用劈裂后的能级和波函数及4f~n→4f~(n-1)5d~1电偶极跃迁几率,进而计算了该晶体的Faraday旋转,计算结果与实验完全符合.结果表明,RE:YIG晶体的磁光效应主要来自RE离子4f~n→4f~(n-1)5d~1的电偶极跃迁;晶场与交换作用起着重要作用.     

电场和线度对纳米管电子量子跃迁矩阵元的影响

在有效质量近似下详细推证了强均匀外电场作用下纳米管中电子的能量和波函数,在此基础上,得到光波辐照下电子的跃迁矩阵元.以CdS/HgS/CdS纳米管为例,讨论了线度和外电场对它的电子跃迁矩阵元的影响,结果表明:相同线度的纳米管在不同能带不同能级间的量子跃迁矩阵元,要比同能带不同能级的跃迁矩阵元约大1万倍;纳米管矩阵元均随电场增大而减小,电场较小时变化较快,而电场较大时变化较慢;在电场一定的情况下,纳米管矩阵元均随线度增大而增大.     

四层单电子垂直耦合量子点的基态跃迁

用精确对角化的方法研究了处于外磁场中四层单电子垂直耦合量子点系统.我们以总自旋S=0为例计算了基态跃迁随外磁场的变化关系.我们发现在强耦合情况下基态会随着外磁场的增大出现不连续跃迁,而在弱耦合情况下就不会产生基态跃迁.     

基于调制光谱研究GaN的光学特性

利用调制光谱技术研究了以分子束磊晶法成长于GaAs基板上的GaN薄膜的光学特性。结果表明,在PR、CER及PzR谱线中均可观察到激子跃迁信号E0与旋轨道分裂信号(E0+Δ0),且分裂量Δ0约为22 meV。在15³00 K的温度范围内均可观测到激子跃迁信号E0、自旋轨道分裂信号(E0+Δ0)及DA-Pair信号;但温度在400 K和500 K时谱线中只存在激子跃迁信号E0与DA-Pair信号,而观察不到信号(E0+Δ0)。随着温度的升高,样品的跃迁信号E0与自旋轨道分裂信号(E0+Δ0)逐渐向低能量反方向移动。     

直接带隙Ge/Si_(1-x)Ge_x量子阱中激子态和带间光跃迁

利用有效质量近似和变分原理,对直接带隙Ge/Si1-x Gex量子阱中激子态和带间光跃迁进行研究.结果表明:直接带隙Ge/Si1-x Gex量子阱中带间光跃迁能、激子复合时间和基态振子强度依赖于阱宽和Si1-x Gex中Ge含量.当阱宽大于30nm时,跃迁能、激子复合时间、振子强度对Ge含量和阱宽的变化不敏感;基态线性光极化率随着Ge含量的增加而减小,同时光极化率峰值所对应的光子能量减小.