固态聚合物电解质

研究了固态聚合物电解质膜中锂离子和增塑剂对其室温电导率的影响，发现加入增塑剂（ＰＣ＋ＥＣ和ＰＥＧ）可提高固态聚合物电解质膜的电导率。通过ＤＳＣ方法测量结果分析了锂离子和增塑剂在固态聚合物电解质膜中的作用机理。     

C_PCP与_w_w_CPCP的关系

本文证明了下面２个结果：（１）当Ｘ＊具有ＰＣＰ时，Ｃ＊ＰＣＰ与（ｗ＊－ｗ）ＣＰＣＰ等价；（２）Ｘ＊具有Ｃ＊ＰＣＰ当且仅当Ｘ＊具有（ｗ＊－ｗ）ＣＰＣＰ且对Ｘ＊的每个非空ｗ＊－紧凸子集Ｋ，（ｗ＊－ｗ）ＰＣ（Ｋ）含有Ｋ的一个ｗ＊－稠密Ｇ子集．     

非晶硅的二步快速退火固相晶化

我们采用二步退火法，对由等离子增强化学汽相淀积法（ＰＥＣＶＤ）制备的ａ－Ｓｉ：Ｈ膜进行退火处理，并观察了其晶化效果，由于二步快速退火方式与通常固相晶化退火法相比可大大缩短退火时间，因此具有较大的应用潜力。     

C_(60)自组装单层与多层膜的制备及其光致发光

利用Ｃ６０ 与乙二胺改性的玻璃表面进行加成反应,得到一种新的Ｃ６０ 自组装单层膜,在Ｃ６０ 自组装单层膜的基础上,将Ｃ６０ 与乙二胺反应制备了自组装双层和多层膜,并对其光致发光性质进行了研究．Ｘ 射线光电子能谱（ＸＰＳ） ,激光解吸电离飞行时间质谱（ＬＤＩＴＯＦＭＳ） 的测试结果表明,在乙二胺改性的玻璃表面上存在以化学键键合的Ｃ６０自组装单层和多层膜,并且随着膜的层数增加,Ｃ６０ 与乙二胺的键合由一维线形结构向三维网状结构转变,光致发光研究表明,Ｃ６０ 自组装膜存在与Ｃ６０ 不同的光致发光峰,且发光峰强度和位置随Ｃ６０ 自组装膜层数的不同而变化．     

C60在几种有机溶剂中的丁达尔效应与时间的关系

本文报道了Ｃ６０溶液的丁达尔效应、吸光度与Ｃ６０溶液放置时间的依赖关系，发现Ｃ６０溶液放置一定时间后，丁达尔效应消失，伴随着吸光度也发生变化，根据本文实验结果，讨论了Ｃ６０溶液的溶解平衡问题。     

球烯C60掺杂过渡金属酞菁配合物在GaAs电极上的光伏效应

在光电化学电池中测定球烯Ｃ６０掺杂的过渡金属酞菁（ＭＰｃ）在ＧａＡｓ电极上所形成异质结的光伏效应，研究不同介质及不同过渡金属酞菁对光伏效应的影响．结果表明：１）Ｃ６０与ＭＰｃ在特定的有机溶剂中可形成新的加合物，以ＵＶ－Ｖｉｓｉｂｌｅ光谱表征，在长波部分有新峰出现；２）Ｃ６０掺杂增强了ＭＰｃ在ＧａＡｓ电极上的光伏效应．与ＧａＡｓ相比，△Ｖ可增强２～３倍；３）不同介质电对对光伏效应有较大的影响，Ｉ３／Ｉ是较好的介质电对．     

金属卟啉轴向配位反应的循环伏安研究

用循环伏安法研究了氯合四－间甲基卟啉铁（Ｆｅ（Ⅲ）Ｔ（ｍ－ＣＨ３）ＰＰＣｌ），间位取代四苯基卟啉锌（Ｚｎ（Ⅱ）Ｔ（ｍ－ｘ）ＰＰ，ｘ＝ＣＨ３，Ｈ，ＯＣＨ３，Ｃｌ，ＮＯ２）的电化学性质，研究了取代基效应，轴向配体影响以及电子转移率常数，着重讨论了轴向配体与Ｆｅ（Ⅲ）Ｔ（ｍ－ＣＨ３）ＰＰＣｌ竞争配位的反应机理。     

PECVD多晶硅膜的计算机模拟

在ＬＰＣＶＤ理论模型基础上，通过引进“电子温度”，对ＰＥＣＶＤ多晶硅膜进行了计算机模拟分析。结果表明，频功率和反应室气压是影响ＰＥＣＶＤ淀积速率分布的两个因素，且两者受ｐ＝ｋＷ线性关系的制约，即对于一定的射频功率，总可选择一何适的反应室气压，使淀积速率分布最佳，实验结果与理论分析相吻合。     

C60薄膜的离化团族束沉积及离子掺杂

用离化团簇束（ＩＣＢ）沉积法在石英玻璃和云母衬底上形成了Ｃ６０薄膜,ＸＲＤ测试表明膜呈多晶结构,原位电阻测试表明膜的室温电阻率超过１０＾４Ωｃｍ,具有负的电阻温度系数。用８０ｋｅＶ Ｐ＾＋,ＢＢｒ３＾＋,Ａｒ＾＋和Ｈｅ＾＋对Ｃ６０膜作剂量范围为０￣１０＾１６ｃｍ＾－２的离子注入,Ｃ６０膜的电阻率随注入剂量增加而急剧下降,磷注入具有ｎ型掺杂作用,离子与Ｃ６０分子的相互作用导致Ｃ６０分子分裂,引起薄膜     

CIS／CdS太阳电池的研制

用蒸发硒化方法制作ＣｕＩｎＳｅ２（ＣＩＳ）膜，进而制成ＣＩＳ／ＣｄＳ太阳电池，转换效率达到７．６２％，文章对制作工艺、电池性能以及显著的退火效应进行了研究。     

射频溅射制备碳氮薄膜及其结构分析

报道了用射频等离子体溅射的方法在高阻单晶硅衬底上制备碳氮非晶薄膜，并利用拉曼光谱和红外吸收谱对其进行的结构分析研究．分析结果表明该膜中氮主要以ＣＮ，ＣＮ键形式与碳结合．在对薄膜进行退火处理后，薄膜的红外透过率增加，同时还观察到ＣＮ单键的红外吸收峰．说明高温退火对ＣＮ单键的形成有促进作用     

制备CeO2纳米涂层的重复性研究

用MOD法制备CeO2纳米涂层薄膜,研究和分析了CeO2薄膜的成相重复性和表面重复性,得出了1 000℃为最佳烧结温度、烧结气氛中氧元素的摩尔百分含量为0.01%的条件;研究了不同烧结工艺对CeO2薄膜表面形貌的影响,发现随着烧结温度的提高和时间的延长,薄膜的晶粒增大,表面起伏增大,表面粗糙度也随之增大,60 min为最佳保温时间;前驱溶液的浓度也会影响薄膜的致密性,浓度过大会使薄膜出现孔洞。     

退火对薄膜P3HT-PCBM太阳能电池的光电性能影响

以吩聚噻(P3HT)/C60的衍生物(PCBM)为活性层的太阳能电池为研究对象,研究薄膜退火对电池光电性能的影响.结果表明,退火能够提高材料的结晶度,增加光的透射率,降低反射率.在140℃温度下退火,该器件光电转化效率最大.     

金刚石薄膜绝缘电阻的时间效应与表面处理

本文研究了常规热丝ＣＶＤ法生长的金刚石薄膜的绝缘电阻特性，发现薄膜从反应取出后其电阻会随时间降低至某一稳定值（时间效应）。用浓硫酸和双氧水的混合液、或氩等离子体对薄膜进行表面处理，可以提高电阻５￣６个数量级，且不再随时间变化；而氩气气氛下的加热处理效果不大。文中还提出了产生电阻时间效应的原因和提高薄膜绝缘电阻的方法。     

Effect of annealing temperature on CrN microspheres synthesized by CAP technology

CrN microspheres were synthesized by using a cathodic arc plasma source system. The obtained samples were annealed in air at temperatures of 300-800 ℃ for 60 min. The influence of annealing temperature on the microstructure and surface morphology of the CrN microspheres was investigated. The CrN microspheres were characterized by means of scanning electron microscopy, transmission electron microscopy and X-ray diffraction analysis. The results show that the CrN nanoparticles arranged into leaf-like structures before annealing. With the rising of the annealing temperature, the size of CrN crystal nanoparticals became larger. When the annealing temperature exceeded the oxidation point(500 ℃), the CrN was oxidized and the leaf-like structure was broken. With further increase of the annealing temperature(700 ℃), the arrangement of CrN nanoparticles was changed from leaf-like structure to be discrete.     

PVD工艺对IGZO薄膜结晶化的影响

在G4.5实验线上, 采用射频磁控溅射法, 通过优化成膜时的温度、功率、气体流量比、退火温度和膜层厚度等参数, 以XRD, HR-TEM, NBED 和EDS进行表征, 研究制备结晶IGZO的工艺参数及其对薄膜晶体管(TFT)电性的影响。结果表明, 当IGZO膜层厚度达到3000 ?以上时结晶效果明显, 且不受其他因素影响; 成膜功率对IGZO结晶现象有加强作用, 功率越高越易结晶; 成膜温度和氧气/氩气(O₂/Ar)气体比例对IGZO结晶影响不大; 成膜完成后经过600℃的退火处理可有效地促进IGZO的再结晶。通过优化IGZO成膜条件, 制备出迁移率达29.6 cm²/(V·s)的背沟道刻蚀结构IGZO TFT, 比非晶IGZO TFT提高约3倍, 显著地改善了IGZO TFT的电学特性。     

退火对反应离子镀ITO薄膜光学特性的影响

选用R.I.P.工艺,以Sn、In为蒸发物.以Gs-I型全息干板为基片,在200℃的条件下制备出ITO薄膜.经退火处理表明:退火有助于提高ITO薄膜的可见、近红外光的透射率,但退火温度有一阈值;退火不利于提高ITO薄膜的近红外反射率.     

退火对大面积CdTe多晶薄膜薄膜的影响

对近空间升华法制备的大面积(30×40 cm~2)CdTe多晶薄膜用不同方法进行退火处理,用XRD、C～V、I～V等研究了退火条件,退火方式对薄膜结构和器件性能的影响.结果表明:刚沉积的CdTe多晶薄膜呈立方相,沿着(111)方向择优取,向而退火后(111)(220)(311)等峰都有不同程度的增加.在纯氧气氛下,400℃退火还出现了新峰.随着退火温度的增加,电导激活能降低.经过连续退火装置在400℃下退火30分钟的电池,1/C~2和V成线性关系,具有较高的掺杂浓度、较理想的二极管因子和较高的转换效率.     

退火温度对溅射Al膜微结构及光学常数的影响

用直流溅射镀膜工艺在室温Si基片上制备了250nm厚的Al膜,并用X射线衍射及反射式椭偏光谱技术,对薄膜的微结构和光学常数在不同退火温度下的变化进行了测试分析。结构分析表明:退火后的Al膜均呈多晶状态,晶体结构仍为面心立方;随着退火温度由室温20℃左右升高到400℃,薄膜的平均晶粒尺寸由22.8nm增加到25.1nm;平均晶格常数(4.047)略比标准值4.04960小。椭偏光谱测量结果表明:2600～8300光频范围内,退火温度对折射率n影响较小,对吸收系数k的影响较为明显。     

PPC强化混凝除蓝藻除色度效果及致因研究

用高锰酸盐复合药剂对太湖水除蓝藻除色度的试验结果表明,其强化混凝作用使得除蓝藻除色度的效果显著,并强化了后续过滤处理的效果．在此基础上,探讨了高锰酸盐复合药剂强化混凝的致因,认为高锰酸盐复合药剂强化混凝可有效去除蓝藻和色度,是其核心组分高锰酸钾的主体作用与复合成分在水中协同作用的共同结果,即新生态水合二氧化锰的作用、蓝藻有机胶质层与有机物涂层的破坏、杀藻灭活、难溶化合物的吸附共沉作用以及阳、阴离子对混凝过程中pH值平衡的作用等,