中子与氧的核反应数据

本工作收集了1982年以前的中子与氧相互作用的全截面、弹性散射、非弹性散射、辐射俘获、(n,p)、(n,a)、(n,d)等反应截面的数据,并对这些数据进行了分析和评价。给出了弹性散射的角分布和它的f系数以及非弹性散射的分立能级的截面值和角分布。     

贫金属星HD 122956的中子俘获元素丰度

根据贫金属星ＨＤ１２２９５６的中子俘获元素的观测丰度,利用贫金属星中子俘获元素丰度的计算模型,采用最小二乘法精确地确定了三种不同的中子俘获过程对该贫金属星中子俘获元素丰度的贡献,从理论上预言了贫金属星ＨＤ１２２９５６的中子俘获元素的丰度,并给出了计算结果与预测结果的比较。     

基于碳化硼慢化体和涂硼微结构中子探测器的通用中子能谱仪设计和解谱方法研究

本文提出了一种基于碳化硼慢化体和涂硼微结构中子探测器的通用中子能谱仪设计方法, 获得了计算最优慢化体厚度和探测器响应函数的通用公式, 并用蒙特卡罗方法进行了验证和修正, 可实现对中子能谱仪的快速设计. 该类能谱仪可实现各中子响应函数之间的解耦, 使每个探测器对各个分立能量区间的中子最为敏感, 具有较强适用性和灵活性. 基于该方法, 我们设计了一个用于硼中子俘获治疗（BNCT）超热中子能谱测量的能谱仪, 通过Gravel算法实现了中子能谱解析, 并提出了一种具有良好普适性的基于响应函数的预置谱设置方法. 结果表明, 该能谱仪对单能中子的峰位解析精度约为1%, 对BNCT连续谱的解析均方差约为0.76%, 具有较大技术优势和可行性.     

天然Nb的快中子辐射俘获截面

用大液体闪烁探测器和飞行时间法,相对于~(197)Au测量了0.7—1.4MeV能区天然Nb的中子辐射俘获截面.在0.5—2.0MeV能区,对~(93)Nb的辐射俘获截面进行了理论计算.     

BNCT物理剂量Monte Carlo程序系统——MCDB及算法

硼中子俘获治疗(BNCT,boron neutron capture therapy)规划软件系统MCDB(Monte Carlo dosimetry inbrain),包括医学前处理、Monte Carlo物理剂量计算和后处理。采用中心点方法确定网格的材料和密度,并自动生成Monte Carlo输入文件。MCDB借鉴并发展了一套网格几何下的快速粒子径迹算法,取得了与MCNP程序一致的剂量计算结果,计算速度较MCNP程序提高2.7~3.5倍。MCDB可进行并行计算,具有线性加速比,能够满足BNCT临床对计算时间和精度的要求。     

蒙特卡罗方法在修正中子俘获反应截面测量中的应用

作者采用MCNP4B程序,对中子俘获截面测量中,由于多次散射、自屏蔽效应等引起的数据歧离修正方法进行了研究.针对在北京大学4.5MeV静电加速器上进行的152Sm(n,γ)153Sm在22~1019keV能区中子俘获截面的测量,对其多次散射及自屏蔽效应修正因子进行了计算.     

10—100keV能区的中子俘获截面研究

以~(197)Au为标准,用飞行时间方法,测量了10—100keV能区,~3Nb、~(169)Tm、~1Ta、Ag、Hf和W的中子俘获截面.通过~7Li(p,n)~7Be反应产生运动学准直中子,用两个Moxon—Rae探测器探测俘获事件,其结果与有关文献值作了比较.     

MC方法研究颗粒变化影响B_4C/Al中子吸收性能的机制

运用MCNP和MCAM程序,选择中子能量为0.025~100eV,B4C/Al的厚度为0.1mm,B4C质量分数为30%,建立B4C颗粒度为63~90μm的B4C/Al复合材料模型,计算其中子透射系数。结果表明,对于能量≤0.1eV的热中子,B4C/Al复合材料较于理想状态中子透射系数下降11%以上;10B直接俘获是B4C/Al复合材料吸收中子的机制,而中子隧道效应则是中子穿透的机制;B4C/Al复合材料得到的直接透过材料的中子通量提高了50%,10 B直接俘获中子数减少了10%~17%。本研究将为B4C/Al中子屏蔽材料的优化设计提供理论依据。     

脉冲中子法检测煤的全水分

给出了利用脉冲中子发生器产生的快中子的非弹性散射[n,n′γ]反应和热中子的俘获[n,γ]反应,对煤的全水分进行分析的原理和方法.采用BGO(锗酸铋)探头作为γ射线探测器,通过多元回归分析方法,较好地解决了元素间的干扰问题.用脉冲中子法测得的全水分分析值与化验值的偏差不超过0.5%.     

~(10)B快中子反应截面理论计算

本文对~(10)B的10—14MeV中子弹性散射的一组最新实验数据进行了光学模型分析,由此获得了一套较好的中子光学势参数,并应用它计算了15—20MeV的中子弹性散射截面。在此基础上进一步用Hauser-Feshbach统计理论系统地计算了中子非弹性散射和各带电粒子道的截面,得到了与现有实验资料基本相符的结果。     

14 MeV中子反应和远离核研究

指出了中子源的重要性,扼要地说明了加速器中子源的特点。简单地介绍了14MeV中子引起的核反应,发现了14MeV中子可以引起重核的奇异(n,2p)反应,并以此为基础,形成了合成和研究重丰中子新核素的一条物理思想和生成、分离鉴别技术路线;先后合成和研究了^185Hf、^237Th、^175Er和^197Os等四种重丰中子新核素。     

用MCNPX计算ADS金属靶散裂中子产额及散裂源中子效率

为了分析加速器驱动系统（ADS）中质子束能量对金属靶散裂产生的中子产额及靶内中子能谱、靶表面的泄漏谱的影响,利用MCNPX对ADS的重金属铅靶、钨靶在不同能量的质子束轰击下的中子产额、中子能谱及靶表面的中子泄漏谱进行了模拟计算,与国际上其他研究机构的模拟结果进行了比较,结果相近.并对铅靶、钨靶的中子产额及泄漏谱进行比较,模拟结果是钨靶的中子产额较铅靶的中子产额大但中子泄漏谱计数较铅的小.结合MCNP5还对一个次临界基准体系中散裂源中子相对于裂变中子的效率进行了计算.     

14.7MeV中子在^9Be核上散射微分截面的测量

用伴随粒子飞行时间谱仪，测量了１４．７ＭｅＶ中子在９Ｂｅ核上的弹性及２．４３ＭｅＶ能级的非弹性散射微分截面．给出了从１５～１３５°（实验室系）范围内散射截面的数据，以及散射角分布的勒让德系数．对中子通量衰减、电子学死时间和初级束形状等作了修正．实验数据的总误差为４．０％～７．０％，其中统计误差为０．５％～３．５％．     

14MeV中子(n,~3He)反应截面的系统学计算

对14MeV中子的(n,~3He)反应截面的系统学特性作了研究,并得列了反应截面随不对称参数(N—Z)/A的增加而缓慢下降的趋势.在对实验数据分析、评价和拟合的基础上给出了一套经验参数.利用导出的系统学经验公式计算了一些核素的(n,~3He)反应截面,与实验结果比较符合较好.最后讨论了(n,~3He)反应的机制.     

抛物柱形量子点中电子拉曼散射的研究(英文)

以GaAs材料为例,利用有效质量近似和微扰理论研究了抛物柱形量子点中的电子拉曼散射.考虑电子完全限制在量子点内,导带和价带为分立的抛物形能带.研究了跃迁的选择定则.计算结果表明,微分散射截面是散射频率、柱面半径和量子点本征频率的函数.确定并解释了散射谱的最大值.由于量子受限效应,散射谱的最大值随着限制势频率的增大而增大.     

200 MeV内p+60Ni核反应的计算与分析

以现有p+60Ni核反应的实验数据为基础,利用自行研制的大型程序MEND从理论上系统地计算了200MeV能区内p+60Ni核反应的反应截面、弹性散射角分布、能谱和6种轻粒子(n、p、α、d、t、3He)出射的双微分截面.与实验数据及ENDF/B6评价库比较发现,文章理论计算的结果与实验数据基本一致;与ENDF/B6相比,文章增加了3He的计算,将能区上推到了200 MeV,结果更接近实验敷据、更全面.     

量子实际气体的熵和Baierlein猜测

本文对互作用为L—J(12—6)势的稀薄量子气体(~4He及~3He气体)进行计算,计算结果表明,在2K以下,费米气体、甚至玻耳兹曼气体都有违反Baierlein猜测的行为。通过计算各散射分波对熵的贡献,本文分析了Baierlein猜测对量子系统不成立的原因以及可能成立的条件。     

高能核-核碰撞中带电粒子的赝快度分布

用柱模型研究了高能核-核碰撞中产生的带电粒子的赝快度分布，蒙特卡罗方法计算的结果表明，柱模型对实验给出的赝快度分布中的涨落现象给出了较好的解释．模型计算结果与200AGeV的质子，^16O和^32S与溴化银中心碰撞，14．6A和3．7A GeV的携Si与溴化银中心碰撞，以及158A GeV的208Pb-^208Pb中心碰撞的实验数据符合。     

PCS颗粒测量技术中不同粒径颗粒的相互影响

在光子相关光谱(photon correlation spectroscopy，简称PCS)颗粒测量技术中，由于不同粒径颗粒的散射光强分布差异巨大，导致在多分散颗粒系中，进行颗粒粒度分布(particle size distribution，简称PSD)测量时，某些占有足够多数量的颗粒，由于其散射光强度相对微弱而被忽视，从而影响粒度分布的计算结果．     

非共面对称不等能几何条件下电子离化He的(e,2e)反应

运用修正后的BBK理论计算了入射能为64.6eV非共面对称不等能几何条件下,电子入射离化氦原子的三重微分截面,计算结果与实验结果进行比较发现两者符合的较好。从碰撞的微观机理上分析了影响出射电子角分布的原因。