半导体外延掺杂的深度分布——"修正的"余误差分布

在制造半导体器件的外延工艺中,外延生长时通常要掺入杂质.如果杂质的扩散系数很小,杂质在外延层中的深度分布是均匀的;如果杂质的扩散系数较大,半导体在外延生长过程中,杂质还有较明显的扩散,也会扩散到衬底中去.杂质浓度随深度分布不仅和杂质的扩散系数有关,还和外延生长速度及外延生长时间有关.从理论上推导出掺杂外延生长时杂质浓度深度分布表达式——"修正的"余误差分布;并根据该表达式绘出不同扩散系数和不同外延生长条件下的杂质浓度深度分布图;讨论了由杂质浓度深度分布确定扩散系数的实验条件.     

液相外延掺氮磷化镓绿色发光材料

引言磷化镓是目前主要采用的绿色发光材料。国外对于汽相外延制取此材料作了不少努力,但目前效率最高的材料是由液相外延形成p-n生长结而制得的。我们为了获得优质的绿色发光材料,选取了液相外延;同时为了提高产量,在试用双池法之后也采用过一次外延加扩散的办法,还采用过薄熔料过补偿法。将这三种方法制得的p-n结材料制成的发光二极管进行比较时发现,双池法和过补偿法做的p-n生长结均可获得好的亮     

用“三步扩散法”实现PN结隔离工艺的研究

本文对常规PN结隔离工艺提出了一种简单易行的改革方案。其主要特点是采用“三步扩散法”实现硼隔离扩散,减薄了掩蔽硼隔离扩散所需的二氧化砖层厚度,从而缩短了高温热处理时间和生产周期,并有利于光刻质量的提高;采用本方案,还可以减薄外延层厚度,从而提高集成度、减少隔离寄生电容和集成晶体管集电区的体电阻,以利于电路性能的提高。     

双补偿p-n结GaAs红外发光二极管

双补偿p-n结(即p-n结两边均为两性杂质所补偿)发光二极管具有p-i-n三重结构。这种发光二极管的主要特点是具有较高的外量子效率。因为si在GaAs中是两性杂质,我们用液相外延法,在GaAs中掺Si制成双补偿p-n结GaAs红外发光二极管。其发光外量子效率比其他几何形状相近的二极管有明显的提高。较好的半球型发光二极管在没镀增透射膜(Si0)的情况下,外量子效率达到了15％。这种双补偿p-n结是用液相外延法,在生长过程中由于温度的降低Si在GaAs中转型而形成的.在开始生长温度较高时Si占据Ga的位置,形成n型层,当温度较低时Si就占据As的位置,因此大约在低于850℃时外延生长层为p型层。     

InP/InGaAsP双异质结激光器

本文介绍了InP/InGaAsP双异质结激光器的制作及其特性。在通常的液相外延系统中用两相溶液法生长双异质结构晶片,适当的选择四元系外延层的组分及外延层的掺杂浓度,掌握Zn在外延片中的扩散规律,做好欧姆接触,结果制成了在室温下连续工作的条形激光器。室温最低脉冲阈值电流密度J_(th)=1800A/cm~2,室温直流阈值在200—300mA之间,激射波长1.35μm,主峰半宽5。     

物理冶金法单晶硅片双面磷吸杂实验研究

对物理冶金法提纯的单晶硅太阳能电池的生产工艺中,在磷扩散制备PN结时进行了双面磷吸杂实验研究。结果表明,与常规的磷吸杂扩散相比,双面磷吸杂效果明显,吸杂后硅片的少子寿命及其制成电池片的转换效率均有提高。     

基于双离子注入法的新型PSD结构

在分析半导体光电位置敏感探测器(PSD)传统结构的基础上,采用双离子注入方法,研究一种新型的PSD结构.这种新型结构通过在N型硅衬底分别注入一种高剂量、低能量的硼离子和另一种高能量的硼离子形成,离子注入后在1 050℃扩散炉中氧气保护退火2h,形成浅和低掺杂的PN结.实验结果表明,新型PSD结构可获得较高的位置分辨率、较小的响应时间误差及非线性.     

pN结正向伏安特性的研究

本文分析了PN结加正向电压时载流子的扩散、漂移及复合的物理机制,并总结出伏安特性的统一表达式,该式适用于任何注入情况。     

PN结正向伏安特性随温度变化的实验设计

讨论了不同温度下PN结的正向伏安特性的测量方法,设计了利用TH-J型PN结正向压降温度特性测试仪研究PN结正向伏安特性曲线随温度变化的实验,定性地分析了PN结正向伏安特性随温度变化的规律;利用Excel进行指数拟合测定了波尔兹曼常数,并确定了常温下PN结的反向饱和电流,从而定量地描述PN结的正向伏安特性曲线,取得了较为准确的实验结果。     

磁性石榴石薄膜的液相外延生长机理

为了对磁性石榴石薄膜液相外延过程中熔质成分作定量的评估,本文根据扩散-反应方程,建立了熔质浓度分布模型,研究了液相外延生长中熔质R_2O_3(R代表稀土元素)和Fe_2O_3的浓度在PbO/B_2O_3作为助熔剂的熔体中的变化状况,以及薄膜线性生长速率与生长温度的关系.     

晶闸管铝镓闭管扩散工艺的计算机模拟

为了对晶闸管特性进行计算机模拟,有必要对其P区的杂质浓度分布建立准确而便于计算的模型。文中对形成P区二段式杂质分布的铝镓分步闭管扩散工艺进行了讨论。对较低浓度铝的最终分布着重考虑它在扩镓过程中的再分布,而对高浓度镓的最终分布则着重考虑扩散系数的变化。与实验样品的扩展电阻探针测试数据进行比较后表明,本工作所用模型与实验结果有较好的吻合,适宜于在实际工艺过程中使用。     

n/n~ GaAs LPE层中L_P-N_D关系的测量和分析

本文采用等光强表面光伏法对掺锡的n/n~ GaAS液相外延层空穴扩散长度Lp和施主浓度N_D。关系作了测量,求得可供器件设计参考的经验公式.把Lp换算为空穴寿命τ_p后,用公式τ_p~(-1)=τ_(HSP)~(-1) Brn Cn n~2拟合了τ_p和电子浓度n的关系曲线,算出由带隙内复合中心所决定的少子寿命τHSR、带间辐射复合系数Br和带间俄歇复合系数Cn。     

软件产业的技术扩散与网络效应

技术扩散是解决软件产业技术落后的重要解决途径,并在扩散路径上呈现出“S”形特征。网络效应,作为网络经济时代的一个重要特征．会不同程度影响技术扩散。以“结构-行为-绩效”的产业组织分析范式为基础,对网络效应影响软件产业的技术扩散从理论上做了阐述．并在此基础上对企业和政府如何应对这种影响提出了一些建议。     

适用于获得砷硼浅结的快速热退火解析模型

利用Boltzmann-Matno变换方法,求解与浓度有关的扩散方程,得到了砷硼快速热退火再分布的解析模型.实验证明本解析结果较好地符合快速热退火再分布的实际规律.     

Effects of diffusion time and diffusion gradient strength on the mean diffusivity of water molecules in healthy human brain

Diffusion time and diffusion gradient strength are two important parameters of pulsed gradient spin echo (PGSE) that is the most commonly used method in diffusion-weighted magnetic resonance imaging. However, the effects of the diffusion time on the mean diffusivity (MD) in previous studies are controversial. In this study, a new experimental protocol was designed to evaluate the effects of the two parameters on the results of PGSE. It was found that MD decreased significantly with the increased diffusion time or increased diffusion gradient strength, which cannot be explained by the previous theories. Through theoretical analysis, we found the flaw in the pulsed gradient spin echo (PGSE) method, which is the explanation for the controversial results of diffusion time obtained by others.     

真空扩散焊接(VDW)法制作扩散偶在研究原子扩散中的应用

利用扩散偶来研究碳、氮原子和氧原子在钢中的扩散是一种很有用的方法［１］。本文作者利用真空扩散焊接工艺来制作扩散偶，并为此设计制作了一台小型真空扩散焊接设备。已使用这种方法制作的扩散偶研究了碳、氮原子在不同成分钢中的扩散规律，并测出了这些原子的扩散系数。     

具有内部接头的高电流密度超导螺管的扩散焊

本文介绍了用扩散焊连接超导螺管导线的结果,接头位于绕组内。接头及磁体测试结果表明,该磁体无锻炼地达到短样性能,并能无退化地承受高达1.68T/s的充电速率。     

基于前后向扩散的图像去噪方法的研究

文章介绍了各向异性前向扩散、后向扩散以及前后向扩散的基本原理,针对前后向扩散中的恒定参数使图像细节模糊的缺点,对前后向扩散中的系数自适应改变的前后向扩散算法,并通过实验证明了自适应前后向扩散在消去噪声的同时更好地保留图像的细节信息,且具有更高的信噪比。