多晶硅发射极晶体管的数值分析及模拟

通过对多晶硅发射极晶体管（ＰＥＴ）的多晶硅及界面层导电特性的分析， 得到单晶发射区边界上电流密度与少子浓度之间的关系式，并以此为自洽的 边界条件，在单晶区数值求解一组描述晶体管电学特性的微分方程，得到晶 体管内部电势分布和载流子分布以及ＰＥＴ的端电流特性．     

多晶硅发射极锗硅合金基区HBT理论模型

对多晶硅发射极锗硅合金基区ＨＢＴ提出了一个理论模型，认为在多晶硅发射区和锗硅合金基区间存在一界面层。通过计算机模拟得到界面层的厚度取适当值时有利于增益的提高，但应降低界面态密度；随着基区中锗含量ｘ的增大增益相应增大，但由于界面态的作用，当ｘ增加到一定值时增益的提高变缓。     

穿通型光电晶体管的直流特性测试

在ｎＷ－μＷ光功率下测试高增益穿通型ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ光电晶体管的直流参数，光电灵敏度、光电增益和电流增益。以峰值波长为８３０ｎｍ的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ体激光器作光源，经光纤耦合与衰减，得到可变的光功率。测试结果表明，在３－１４Ｖ工作电压下，１μＷ入射光功率时光增益７１１３，４０－５０ｎＷ光功率时光电增为３６９３，高于国内外报道的光电探测器的同类指标。     

晶体管发射极势垒电容CTe的测试及数据处理

本文阐述了用ｆＴ测试仪，测试ＣＴｃ的原理，测度子３ＤＧ６０，３ＣＫ３和３ＣＧ２１ｃ的ＣＴｃ并对大量测试结果用微机进行了处理，测试计算结果与经验公式给出的值吻合，Ｋ在２－３之间。     

多晶硅接触薄发射极欧姆接触电极的研究

提出了制备新型多晶硅接触薄发射极晶闸管薄发射极欧姆电极的新结构－Ａｌ／Ｔｉ／Ｐｏｌｙｓｉ．结构。通过实验研究和对Ａｌ－Ｔｉ－Ｓｉ系统反应动力学的分析，解决了此结构的关键问题－Ｔｉ层厚度的确定方法及其制备工艺条件；对此结构的有效性和质量，即浅结的完整性以及欧姆接触电阻的大小进行了实验检查。采用此结构，已成功地制备出低损耗、快速薄发射极晶闸管管芯样品。     

多晶硅发射极超高速ECL移位寄存器的设计

报道了６００门和８００门两种ＥＣＬ超高速移位寄存器；介绍了多晶硅发射极双极晶体管的结构和有关先进工艺，包括深槽隔离、多晶硅发射极、钴硅化物接触和浅结薄基区等；使用这种多晶硅发射极晶体管，３μｍ特征尺寸设计的１９级环形振荡器的平均门延迟小于５０ｐｓ。给出了６００门移位寄存器的电路设计和版图设计，讨论了互连线和双层金属布线对６００门和８００门移位寄存器的最高工作频率的影响。     

穿通增强型硅光电晶体管的结构及参数优化

为克服各种常用光电探测器件的缺点, 对穿通增强型硅光电晶体管进行了结构优化和参数优化。将窄基区穿通晶体管仅在一侧与宽基区光电晶体管复合的传统结构, 改进为窄基区穿通晶体管在中间, 两侧各复合一个长度减半的宽基区光电晶体管。同时, 对不同窄基区宽度下的暗电流、 光生电流及光电响应率等随偏压变化的电学性能和光电转换特性进行仿真, 得到窄基区宽度最优参数。然后对优化后的器件在不同光强下的光生电流和光电响应率随偏压的变化进行了仿真, 分析了器件在不同光强下的响应特性。结果表明, 当窄基区宽度为0.6 μm时, 器件性能折中达到最优, 在0.5 V偏压下, 器件暗电流仅为1 μA;入射光功率密度为10^-7 W/cm²时, 器件响应率高达4×10⁶ A/W。     

光电负阻晶体管PNEGIT的研制

考虑到负阻晶体管ＮＥＧＩＴ的特点，设计和制造了在光照度１００ｌｘ和１０００ｌｘ的白炽灯光照射下输出光电流下分别达到了０．６ｍＡ和１８ｍＡ的光电负阻晶体管ＰＮＥＧＩＴ并测量了其特性。     

全离子注入锗光电晶体管的研制

采用锗材料研制出了工作在 1.55μm波长的全离子注入光电晶体管 .选用 (12 0 keV ,2 .5× 10 12 cm- 2 ) +(2 6 0keV ,5× 10 12 cm- 2 )的硼注入和 16 0keV ,5× 10 14 cm- 2 磷注入 ,6 50℃ 15s快速退火 ;采用聚酰亚胺作为钝化膜以及台面结构 .NPNGe光电三极管的hFE=4 0～ 180 .在波长为 1.55μm、功率为 0 .7μW的光照下得到了 4 0 A·W- 1的响应度     

区熔再结晶制备多晶硅薄膜太阳电池

研究了区溶再结晶（ZMR）设备及其工艺特点。在覆盖SiO2的重掺P型单晶硅衬底上用快速热化学气相沉积（RTCVD）在其上沉积一层很薄的多晶硅薄膜,用区熔再结晶法对薄膜进行处理,得到了晶粒致密,且取向一致的多晶硅薄膜层。以此薄膜层为籽晶层,再在上面以RTCVD制备电池活性层,经过标准的太阳电池工艺,得到了转换效率为10．21％,填充因子为0．6913的电池产品。     

微晶硅膜MIS结构光位敏探测器的研制

采用快速退火工艺，促使非晶硅膜固相晶化，获得具备器件质量的微晶硅膜，以此晶化膜作基本材料，采取侧向光伏效应的工作模式，以金属－绝缘体－半导体（ＭＩＳ）结构成功地研制出了一维微晶硅膜的光位敏探测器，实验结果表明，该器件具有非晶硅器件与晶体硅器件互补兼容特色。     

射随器输出电阻的分析

根据射随器实际上是共集电极放大器这一特性,采用共集电极放大器的低频小信号h参数等效电路分析了射随器的输出电阻.     

聚丙烯酸酯涂层胶与硅橡胶的共混研究

为改善聚丙烯酸酯类涂层胶(AR 502)的低温手感和拒水性,本文采用了 AR 502与硅橡胶(106)共混方法。着重以 SEM 法和溶解度参数法研究了二者的相容性,共混体形态结构及共混比对共混体拒水性、手感等性能的影响。在10/90～15/85(106/AR 502)共混比范围内制得了具有优良拒水性和低温柔软手感的涂层织物,其拒水性由10%提高到90%,刚度由44mm 降低到33mm。     

闪光对焊机可控硅无触点交流自动调压控制系统

本文讨论了LM—150型闪光对焊机的自控系统。通过试验得到了预期的效果。文中给出了设计思想,操作原理和电路分析。     

等离子体增强CVD氧化硅和氮化硅

利用红外吸收谱等微观分析对氧化硅和氮化硅薄膜的成分和结构进行了研究。采用高频Ｃ－Ｖ测试和准静态离子电流法测量了氧化硅、氮化硅及其复合膜的界面特性，结果表明ＰＥＣＶＤＳｉＯ２－ＳｉＮ双层结构的复合膜对半导体器件表面有良好的钝化效果。     

激光辐照加工的硅氧化结构的受激发光(英文)

我们用1064nm脉冲激光在硅表面加工出小孔结构,再作高温退火处理形成硅氧化纳米结构,发现该结构在692和694nm波长处有很强的光致受激发光(PL).通过进一步实验发现:该PL发光有明显的阈值表现和光泵线性增强效应,证明该PL发光确实是光致受激辐射.我们提出氧化界面态模型来解释光致受激发光机理,在氧化界面态与价带顶空穴态之间形成粒子数反转.这项工作为硅基上发光器件的光电子集成研发开辟了新的途经.     

Ti注入硅合成硅化物层精细结构分析

Ｔｉ离子注入硅化物已能得到特性优良的硅化物薄层，采用了深度分辨率高的掠角背散射和沟道技术发现注入层是３层结构，表面～１２０ｎｍ为合成的连续硅化钛多晶薄层，在该层中晶格无程度达到４０％～５０％，中间层厚度约为２００ｎｍ的高密度的晶格损伤区，晶格损伤率在硅与硅钛界面处最高，其值可达到７７％，并且随深度的增加而下降；第３层则是低密度晶格损伤层，束流密度的变化对晶格损伤率有一定的影响。