4H-SiC(000(3×3)重构的原子能态

为了探索SiC表面的结构和原子的能态,在650℃条件下,用低能电子衍射(LEED仪),观察到4H-SiC(0001)(3×3)重构面的LEED图样,利用配备有XPS设备的电子能量分析器,记录SiC(0001)(3×3)重构的角分辨X射线光电子能谱(XPS),得出该结构中Si2p和C1s的能态结构,进而发现SiC(0001)(3×3)重构面仅由硅原子形成,是在扭转的硅增层上的Si四聚物.通过比较体内和表面Si2p态的光电子能谱,得出表面Si2p态的漂移能量.     

4H-SiC（0001）（3×3）重构的原子能态

为了探索SiC表面的结构和原子的能态,在650℃条件下,用低能电子衍射（LEED仪）,观察到4H-SIC（0001）（3×3）重构面的LEED图样,利用配备有XPS设备的电子能量分析器,记录SIC（0001）（3×3）重构的角分辨x射线光电子能谱（xPs）,得出该结构中Si2p和Cls的能态结构,进而发现SIC（0001）（3×3）重构面仅由硅原子形成,是在扭转的硅增层上的Si四聚物。通过比较体内和表面Si2p态的光电子能谱,得出表面Si2p态的漂移能量。     

点缺陷对4H-SiC的影响

碳化硅(SiC)是一种新型的宽禁带半导体材料,但在实际生产过程中存在各种缺陷.通过第一性原理平面波法计算了4H-SiC薄膜上的碳空位缺陷(VC)和硅空位缺陷(VSi)的态密度从而得出不同缺陷对4H-SiC材料的影响.并在此基础上计算了磷原子和硼原子掺杂,得出两种不同的掺杂类型对4H-SiC材料造成的影响;并计算了缺陷的...     

总能计算6H-SiC(0001)(3×3)表面结构特性

本文用第一原理性的密度泛函理论,对6H-SiC(0001)(3×3) 表面再构的原子结构进行了研究.总能计算表明,再构层中的Si原子存在扭转现象,扭转角度为5.4°;无扭转的驰豫模型是一个能量的亚稳结构,它的形成能比扭转模型的高0.7 eV.     

6H-SiC(0001)衬底结构对GaN膜结构的影响第一原理研究

用从头计算方法总能理论研究了6H-SiC(0001)(3×3)R30°衬底上生长的GaN薄膜的界面结构特性.计算结果表明:GaN膜为Ga极性的纤锌矿结构;6H-SiC(0001)衬底表面台阶引起的GaN岛合并在薄膜中产生边界堆垛失配(SMBs),而这种SMBs缺陷随着薄膜生长厚度的增加可以消除.     

新型4H-SiC肖特基二极管的仿真与分析

设计了斜面结构碳化硅肖特基二极管(4H-SiC SBD)并且在器件中加入场环结构,通过基于半导体物理理论的计算机辅助设计软件(Silvaco-TCAD)分析计算了常规结构和新结构SiC-SBD器件的V-I特性、击穿电压、温度热学分布。对比计算结果,可知新结构SiC-SBD器件击穿电压提高至2300V,导通电阻减小,温度热学分布明显优于常规结构SiC-SBD器件。     

Si(111)(2×1)清洁重构表面

研究了Si(111)(2×1)清洁重构表面,计算了此表面的弯曲模型和修正的π—键链模型的能带结构。结果表明,修正的π-键链模型与实验符合很好。     

一种基于第一性原理的4H-SiC结构缺陷计算模型

本文运用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理计算方法,根据原子尺度上的缺陷特性研究了4H—SiC的位错结构模型,并对4H—SiC基面位错的结构进行分析。建立了一种模型。文章简要介绍了4H-SiC材料中结构缺陷的分子动力学模拟方法,势能模型及主要技术细节。     

10 MeV高能电子辐照对4H-SiC晶体结构和电学性质的影响

本文研究了10 MeV电子辐照对4H-SiC的晶体结构和电学性能的影响.X射线衍射和拉曼光谱分析结果表明:1.29×1019、2.60×1019和3.90×1019 cm-2的电子辐照剂量对样品的晶体结构和晶型无显著影响,剂量达到5.20×1019 cm-2后,样品内部会产生轻微的晶格畸变.通过非接触式电阻测量仪分析样...     

过渡金属Cd掺杂4H-SiC的磁性和光学性能研究

基于第一性原理密度泛函理论(DFT)的广义梯度近似(GGA)的平面波赝势法(PBE),计算了4H-SiC的本征体系、过渡金属元素Cd单掺杂4H-SiC体系的电子结构、磁性和光学特性.结果表明,在掺杂浓度为1.359×1021 cm-3情况下,产生了0.6μB的磁矩,Cd掺杂均为p型掺杂,掺杂后体系仍为间接带隙材料,但是...     

多模态视角下文化宣传片字幕翻译的连贯重构

文化宣传片是结合文字、声音和图像的多模态文本。其字幕翻译具有典型的多模态性,译者需结合多模态特征采用翻译策略以实现连贯翻译。前后文连贯策略需遵循“就近原则”而“并”,使译文简洁而“删”。图文连贯策略要求译者合理安排信息顺序,适当意译和删减口号式文字。文化连贯策略则通过增加文内注释补充必要的文化信息。通过以上翻译方法便能实现文化宣传片字幕翻译的连贯重构。     

闪锌矿GaN/AIGaN耦合量子点中的类氢杂质态

在有效质量近似下,运用变分法计算了闪锌矿GaN/AIGaN耦合量子点中类氢杂质的施主束缚能.数值结果显示了类氢杂质的施主束缚能很大程度依赖于杂质位置和耦合量子点结构参数,当杂质位于量子点中心时,施主束缚能最大,而且随着中间垒宽的增加,杂质束缚能保持着先增加,然后不变的趋势.     

三维量子环的电子能态

本文通过较精确地求解能量本征方程获得三维量子环的电子能态．数值结果表明：当量子环外半径和环高给定时,量子环能级能量会随环内径的增大而增大;当环内径和环高（或环外径）给定时,能量会随环外径（或环高）的减小而增大．当环外径增大到一定程度时,能量对外环的依赖关系不再明显．     

4粒子团簇态的可控隐形传态

为实现4粒子团簇态更加经济和安全的隐形传态,提出2种利用6粒子团簇态为量子信道的可控隐形传态方案,分别是3方参与的可控隐形传态方案和4方参与的可控隐形传态方案.在控制者同意信息传输的情况下,2种隐形传态方案成功的概率是一致的,为4|a|2,即选用最大纠缠的6粒子团簇态为量子信道时,传输成功率为100%.通过2种方案的对比发现,控制方的增多可以有效地提高信息传输的安全性,但同时会使接收方还原原始信息的操作更加复杂.     

基于4粒子纠缠态的未知3粒子态概率量子隐形传态

使用4粒子纠缠态作为量子信道,在对4粒子纠缠态的纠缠系数方面并没有做确切要求的前提下,完成了未知3粒子纠缠态的隐形传态.在传输过程中,发送方对2对粒子进行Bell测量并公布结果,然后再对4粒子中的一个粒子作Hadamard操作之后,也对其进行测量,且将测量结果通过经典信道公布.接收方引进2个辅助粒子并实施一次控制非操作,再进行一组适当的幺正变换,便可实现未知3粒子纠缠态的概率量子隐形传态.     

立方相GaN/β-SiC(100)(2×1)混合界面的电子结构

讨论了含有一个混合层的GaN/ β SiC(10 0 ) (2× 1)重构界面模型 ,在此基础上提出了 (2× 1)混合界面在层轨道表象中的微扰势形式 ,计算了立方相GaN/ β SiC(10 0 )异质结中N/Si界面的电子结构和波矢分辨的层态密度 ,详细讨论了混合界面的原子结构对界面电子结构和层态密度的影响 .结果表明 :混合界面降低了表面态的对称性 ,能量简并消失并产生新的界面态 .层态密度计算结果显示 ,几乎所有界面态都局域在界面附近 ,界面上新形成的化学键使半共振态在界面的一侧高度局域 ,在另一侧为扩展态     

M_2Cl_4(PH_3)_4(M=Cr、Mo、W)分子的DFT计算

采用密度泛函理论(DFT)研究M_2Cl_4(PH_3)_4(M=Cr、Mo、W)分子,在D_(2d)对称约束下进行结构优化和能量解析,三种化合物的M—M键长分别是C—Cr1.737A,Mo—Mo2.157A,W—W2.286A.能量解析表明:E_(Cr—Cr)相似文献   

多模叠加态|ψ(3)〉q的Nj-Y最小测不准态

根据新近建立的多模压缩态理论,对一种新型的三态叠加多模叠加态光场|ψ(3)〉q的不等幂次Nj-Y最小测不准态进行了详细研究.结果发现当压缩次数Nj和Nj分别满足一定的条件时,态|ψ(3)〉q总是恒处于不等幂次Nj-Y最小测不准态.