硅二极管脉冲中子辐照效应的研究

对加固Ｐ＾＋ｎｎ＾＋高压整流二极管进行了脉冲中子辐照和热中子辐照。ＤＬＴＳ测量表明，脉冲中子辐照（Φｎ＝８．６×１０＾１３ｎ／ｃｍ＾２）在硅中引入的缺陷主要是双空位Ｅ４和Ｅ２缺陷，氧空位和双空位Ｅ２（Ｖ＾＝２）缺陷强度很低。氧空位密度的降低可归因于辐照缺陷的衰减和再构。脉冲中子辐照引起Ｆｒｅｎｋｅｌ对成份的增加，增加的空位密度致使复杂络合物，例如（Ｏ＋Ｖ２）或（Ｏ＋Ｖ３）缺陷的有效产生。实验结果还     

硅光电二极管在光电检测电路中的应用研究

分析了光电检测时硅光电二极管线性响应及噪声特性,给出了硅光电二极管的线性度及信噪比公式,并结合噪声En-In模型^[1],对光电二极管用于光电检测时影响电路信噪比 的因素进行了探讨。     

γ射线辐照对BJT硅器件参数的影响

研究了３种不同类型的ＢＪＴ硅晶体器件,经γ射线辐照,理化处理后,其反向截止电流,反向击穿电压,饱和压降,静态电流放大系数等电学参数的变化规律。     

与CMOS兼容的光电二极管模型及其SPICE模拟分析

本文通过对CM O S图像传感器像素内的光电二极管工作原理的讨论,提出了一种改进的半经验光电二极管SP ICE模型建立方法,并将该模型用于系统电路和仿真,比较仿真结构与实验结果说明,该模型可成功用于CM O S图像传感器系统的电路模拟.     

紫外敏感硅光伏二极管的光电转换特性的研究

在理论分析的基础上提出了用Ｃ－Ｖ法测量光伏二极管的开路电压Ｖ∝的新方法,通过该器件在有光照的Ｃ－Ｖ曲线与无光照的Ｃ－Ｖ曲线的比较分析,发现了该器件在正、反向偏压下均具有光伏效应,即具有双向光伏效应。     

Si／SiO2界面缺陷对光电二极管短波响应的影响

提出了一种新的器件结构ＭＯＰＮ,利用该器件研究了Ｓｉ／ＳｉＯ２界面缺陷对光电二极管的短波效应的影响。结果表明,提高光电二极管的短波响应的最好方法是提高ＳｉＯ２的生长质量,降低Ｓｉ／ＳｉＯ２界面的缺陷以及ＳｉＯ２中离子电荷的数量,即减小由其产生的表面电势ＶＳ０的值。     

高压二极管中子,电子和γ辐照特征的研究

本文对加固P~ nn~ 高压整流二极管分别进行了中子、电子和γ射线不同剂量的辐照,测试和分析了辐照感生缺陷的能级位置、密度及俘获截面,并研究了材料少数载流了寿命和器件正向电压等参量的变化特征及退火行为.实验结果表明.由于采用了新工艺、新材料使器件具有良好的抗辐照性能,同时NTD材料亦显示出较好的耐辐照特性.三种不同辐照源的辐照结果反映了它们各自的损伤特征.     

硅光电管光电转换特性的测量分析及应用

<正>近年来硅光电器件在各种仪器仪表上的应用日益增加,为了进一步研究硅光电管的光电转换特性,我们对硅光电二极管和硅光电三极管进行了实验测量.经过分析和研究,发现了有用的特性.可利用这些特性作电阻开关计、测量光强等应用;利用光电转换技术可以开发多种应用产品,用以测量光源的强度分布,物体的反光度、照相底片     

硅全耗尽背照式光电二极管列阵的研制

在高电阻率的N型硅衬底上制作出全耗尽背照式的光电二极管。电阻率约为15000Ω.cm的硅衬底可以得到几百微米深的耗尽区,而通过在光电二极管的正背面施加一定的偏压就可以使其工作在全耗尽背照式的模式下。背面的浅结可以得到比较好的短波响应,而相对大的耗尽宽度可以在近红外处得到比较好的响应。测试结果表明器件在偏压为30V时,1μm处的峰值响应达到0.72A/W,量子效率达90%。     

硅温敏二极管研制

由硅材料电阻率的选择、结面积设计的不同，试制几种温敏二极管，在恒定电流下，测量室温至１２０℃温度范围内正向电压Ｖｆ与温度Ｔ的关系，测试结果表明，Ｖｆ－Ｔ特性曲线线性优良，在恒定电流为５０μＡ下，灵敏度最高的可达２．７０ｍＶ／℃．根据测试结果，对提高灵敏度等特性进行一些讨论．     

γ射线辐照降解壳聚糖的研究

采用γ射线辐照分子量为４５０ｋｄ天然壳聚糖溶液,分析了辐照强度及辐照时间与降解产物粘均分子量,还原糖分子及分子量均一性之间的关系,并通过分级得到了若干平均分子量的低聚壳聚糖,结果表明,降解产物粘均分子量及还原糖分子量随着辐照强度及辐照时间的增加而减小,并且降解产物分子量的均一程度随着辐照剂量的提高而提高。     

硅光二极管光电检测电路的研究与设计

为了满足对较微弱光信号高精度的检测要求,在详细分析了硅光二极管光电检测电路的线性响应及噪声特性的基础上,提出了对相关器件选型和电路设计形式的基本要求,并以硅光二极管探测器件DET36A及低噪声、高精度运放芯片ICL7650为例设计测试了一种可方便嵌入应用于微弱光环境下的光电检测电路。经过实验测试表明,在0.1～10 Lux低照度弱光照射下,该电路具有较好的低噪声输出特性和良好的线性响应。     

快速低漂移光电流放大器的研制

本文结合硅光电二极管的特性通过实例讨论了光电流放大器设计中的一些问题。较详细地论述了运算放大器参数对放大器特性的影响,並从理论上进行了推导计算。对噪声电压的影响也作了一些讨论,得出了测定元件参数的参考方法。最后给出了放大器的测试结果和在光电高温计中的应用情况。     

Co~(60)γ辐照对半导体二极管和三极管性能的影响

本文首先研究了CO~(60)γ辐照对国产面结型硅二极管正向伏安特性的影响,发现在小电流区域正向特性变好;大电流区域变坏,进一步分析了所以如此的原因,采用了适当的模型,从理论上解释了伏安特性的变化。还研究了反向伏安特牲的变化及其在室温下的恢复。也发现在辐照下势垒电容的变化很小。本文还研究了的γ辐对国产面结型三极管共基极和共发射极h参数的影响,并作了理论上的分析。还比较了辐照前后的α_(cb)与I_e关系曲线的变化以及α_(cb)与f关系曲线的变化,并分析了变化的原因。     

热处理对电子辐照硅中多稳态缺陷的影响

利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）对电子辐照区熔硅中多稳态缺陷进行研究的结果表明，经２ｈ１０００℃温度退火后，观测到在Ｅｃ－０．４４ｅＶ能级中的多稳组态由４０％减少到１０％左右。这一实验结果为稳态缺陷不是Ｐｓ－Ｃｉ结构，而是Ｅ中心自身在晶场应力下显示稳态特性的设相提供了有说服力的证明。     

肮频二极管掺金,掺铂和12MeV电子辐照性能的研究

对高频二极管掺金，掺铂和１２ＭｅＶ电子辐照试验结果进行了对比分析研究，实验研究结果表明：掺金器件有最佳的ＶＦ－ＴＲＲ折裹曲线，但高温特性却最差掺铂器件有最佳的高温特性，但ＶＦ－ＴＲＲ折衷曲线却最差；全面衡量器件各参数，１２ＭｅＶ电子辐照最有利于器件参数的最佳化，据化，提出了不同类型的高频二极管少子寿命控制技术的优选方案。     

界面二氧化硅层对二极管辅助硅基磁电阻效应影响的研究

本文制备了二极管辅助的晶体硅磁阻(magnetoresistance,MR)器件,研究了界面二氧化硅层的磁阻放大作用及器件在硅基磁电子器件中的可能应用.通过有与无二氧化硅层的实验对比,发现引入二氧化硅层后器件的磁阻在室温和1.2T磁场下达到了527%,磁阻性能提升了76%以上.通过对无磁场作用下伏安特性的测量,证明了氧化硅层的引入增加了界面电阻,通过等效电路分析,对相关机理进行了讨论.这项工作将为硅基磁电子器件的可能应用提供一种新的方法.     

无平面结敏感区硅光二极管

研制了在平面ＰＮ结内无敏感区的硅光探测器，测量了这种新结构器件的光电转换特性，说明在光照下，器件的光电流不为零值。