GaAs（100）面上气相淀积生长GaS钝化膜

用加热分解α－Ｇ２Ｓ３的方法在ＧａＡｓ（１００）表面上气相沉积了准单晶的ＧａＳ钝化膜。俄歇电子能谱深度分布测量表明,长成的膜与衬底间界面清晰。用紫外光电子能谱和低能电子能量损失谱结合的方法得到了完整的ＧａＳ／ＧａＡｓ异质结能带结构图,即价带偏移１．５ｅＶ,导带偏移０．３ｅＶ,界面附近存在０．４ｅＶ的能带弯曲。气相淀积方法简单实用,有希望发展成为ＧａＡｓ器件制作的有用工艺。     

用XPS测量ZnS0.8Te0.2／GaP半导体异质结的价带偏移

应用Ｘ射线光电子能谱(ＸＰＳ）对分子束外延生长的ＺｎＳ(０．８)Ｔｅ(０．２)／ＧａＰ半导体异质结进行直接法测量，得其价带偏移值为１．５ｅＶ；采用芯态能级技术法测量，得其价带偏移值为１．４５ｅＶ在测量误差范围内，两种方法测得的结果相一致．     

SiO_2／SiO界面能级位移光电发射的研究

芯层光电子能谱（ＸＰＳ）和价带光电子能谱（ＵＰＳ）是研究不同半导体之间界面价带落差的有效手段，由ＳｉＯ２／ＳｉＯ界面处的芯层和价带光电子能谱，我们确定ＳｉＯ２／ＳｉＯ界面能级落差为２．０ｅＶ，覆盖引起能带位移为０．９ｅＶ，同时发现ＳｉＯ和ＳｉＯ２中的化学组分是较复杂的。     

光生电压谱方法对ZnSe／GaAs异质结导带偏移的研究

实验采用光生电压谱方法对ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结界面的光跃迁进行了观察，在光子能量略低于ＧａＡｓ带边的地方，光生电压谱出现了一个峰，通过分析电子与空穴的分离在界面上形成电偶极层对光生电压谱造成的影响，指出该谱峰对应着界面处电子从ＧａＡｓ价带顶跃迁至ＺｎＳｅ导带底的过程，表明ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结的能带排列属于错开型，并得出在温度小于７０Ｋ的低温下ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结导带偏移值为１５０ｍｅＶ±     

纯钛酸铋晶体和掺铝钛酸铋晶体的光吸收谱

用自动分光光度计测量自己生长的光折变晶体钛酸铋（ＢＴＯ）光吸收谱．结果表明,室温下纯ＢＴＯ晶体的吸收谱在２．２～３．２ｅＶ之间存在一个宽吸收峰,说明在晶体的带隙内存在一个间接跃迁能级,离导带顶大约２．２ｅＶ;掺铝后该吸收峰消失,光折变效应也随之消失．     

电子辐照NTD FZ Si等温退火特性

本文报导了关于高阻Ｎ型区熔ＮＴＤ－Ｓｉ－Ｐ＾＋Ｎ结二极管经电子辐照后的等温退火特性，获得５个缺陷能级：Ｅ１＝０．１６ｅＶ，Ｅ２＝０。．２７ｅＶ，Ｅ３＝０．３１ｅＶ，Ｅ４＝０．３７ｅＶ６和Ｅ５＝０．４２ｅＶ，结果表明Ｅ３和Ｒ４有比其它３个能极更好的热稳定性。     

碱金属夹层对半导体异质结能带偏移的影响

用光电发射的方法研究了碱金属夹层对Ｇｅ和Ⅲ－Ⅴ族半导体异质结形成和能带偏移的影响．实验表明，价带偏移（ΔＥｖ）与夹层厚度有关．０．５ＭＬＣｓ和１ＭＬＮａ可使Ｇｅ／ＩｎＰ（１００）及Ｇｅ／ＧａＡｓ（１００）的ΔＥｖ的值分别增加０．２０ｅＶ和０．１８ｅＶ．碱金属与衬底相互作用而引起的界面偶极矩的改变是导致ΔＥｖ改变的主要原因．     

乙肝患者血清HBVDNA与e系统相关性的研究

用聚合酶链反应检测１３２例ｅ系统阳性慢性乙型肝炎患者血清ＨＢＶＤＮＡ．结果表明，ＨＢｅＡｇ阳性组，ＨＢＶＤＮＡ阳性率达８９．９％；抗－ＨＢｅ阳性组，ＨＢＶＤＮＡ阳性率为６８．３％．ＨＢＶＤＮＡ阳性患者的丙氨酸水平显著高于ＨＢＡＤＮＡ阳性患者，结果表明大部分抗－ＨＢｅ阳性患者体内仍存在ＨＢＶ复制及病情进展．     

Ge,Si的形变势及其应变层异质结的带阶

采用从头赝势能带计算方法研究了（００１）界面应变对Ｇｅ、Ｓｉ能带结构、平均键能和带阶参数的影响．计算了相应的形变势,并利用形变势的研究结果,采用平均键能方法计算了Ｇｅ／Ｓｉ应变层异质结在不同生长厚度ｈ（或平行晶格常数ａ∥）情况下的价带带阶和导带带阶．     

三电子原子体系基态能量的关联变分计算

用形式上比较简单的径向关联波函数计算了三电子原子体系Ｌｉ、Ｂｅ＋、Ｂ２＋和Ｃ３＋的基态能量，对于Ｌｉ原子，其结果为－２０２．５８７６ｅＶ，比用Ｈａｒｔｒｅｅ－Ｆｏｃｋ自洽场方法得到的最好结果－２０２．２５５６ｅＶ和苟清泉等人用他们设计的原子解析波函数计算得到的结果－２０２．３４５ｅＶ均好，更接近实验值－２０３．４８８３ｅＶ。     

硒在水稻中的积累与分布的研究

以Ｎａ２ＳｅＯ３作为硒肥，通过盆栽试验研究了Ｓｅ（ＩＶ）在水稻中的积累与分布规律以及Ｓｅ（ＩＶ）对水稻生长及产量的影响．结果表明．水稻从秧苗移栽到分蘖盛期这一段生长期内对Ｓｅ（ＩＶ）的吸收比分蘖后期至成熟期快；Ｓｅ（ＩＶ）在成熟期水稻中的分布为：根＞叶＞茎＞籽粒；土壤施Ｓｅ（ＩＶ）量低于３０ｍｇ／ｋｇ时，Ｓｅ（ＩＶ）对水稻的生长有一定的促进作用，产量也有较明显提高，当高于３０ｍｇ／ｋｇ时，水稻的生长开始受到不良影响，其产量也开始下降．要使水稻籽粒（精米）含硒量达到对人体足够且安全的范围内的适宜土壤施入Ｎａ２ＳｅＯ３量为每亩１１．８～４７．６ｇ．     

SnO2纳米晶簇室温带隙测定

实验测定了平均直径６ｎｍ和１０ｎｍ的ＳｎＯ２纳米晶簇室温带隙值，得到其大小分别是３．４９３ｅＶ和３．３０７ｅＶ并与有效质量近似法计算结果进行对比研究。     

极大平面图与外可平面图的同构不动边

图Ｇ的一条边ｅ称为Ｇ的同构不动边，如果当且仅当ｅ’＝ｅ．若ｅ＝ｕｖ是Ｇ的同构不动边，则对Ｇ—ｅ的任一自同构映射。都有π（｛ｕ，ｖ｝）＝｛ｕ，ｖ｝文中证明了，除Ｋ３Ｖ（Ｋ１＋Ｋ１；）外的极大平面图和除Ｐ２ＶＫ１，Ｐ３ＶＫ１外的２－连通外可平面图都含有同构不动边．     

GaAs高过超能量态电子自旋相干动力学研究

研究了9.6K低温下、本征GaAs高过超能量态电子自旋相干动力学的浓度依赖,发现当光子能量为1.57 eV,载流子浓度增大至2.65×1017 cm-3时电子自旋相干量子拍的相位翻转180°.理论计算表明量子拍的相位翻转为区分轻、重空穴系统提供了重要依据,当载流子浓度大于2.6×1017 cm-3时,量子拍的振幅主要起源于重空穴价带导带跃迁,当载流子浓度小于2.6×1017cm-1时,量子拍的振幅主要起源于轻空穴价带导带跃迁.因而,分别在轻空穴价带导带系统和重空穴价带导带系统实验测量电子自旋相干动力学成为可能,实验数据表明在轻空穴价带导带系统测得的电子自旋相干弛豫时间明显大于在重空穴价带导带系统测得的电子自旋相干弛豫时间.     

两种快凝AlFeX（V，W）Si合金的组织性能

采用喷射沉积坯轧制和ＲＳ／ＰＭ粉末挤压坯轧制的２种工艺制各了Ａｌ－８．５Ｆｅ－１．３Ｖ－１．７Ｓｉ和Ａｌ－８．５Ｆｅ－１．３Ｗ－１．７Ｓｉ合金的板材，并通过透射电镜，扫描电镜和力学拉伸实验研究了板材的组织性能．结果表明，综合性能ＡｌＦｅＷＳｉ合金优于ＡｌＦｅＶＳｉ合金的喷射沉积坯轧制板材．     

700—2000eV电子对氧分子的散射全截面绝对测量

介绍中能电子与氧分子的散射全截面测量，给出７００—２０００ｅＶ电子对氧分子的绝对散射全截面，高于１６００ｅＶ能区没有同类数据的文献报道．实验结果的系统误差和统计误差各为３％．对结果与已有的实验和理论结果作了比较．     

电子和质子辐照Tc氧化物高温超导体的不同特性

用２００ＫｅＶ质子，４００ＫｅＶ和８ＭｅＶ电子分别辐照ＹＢａＣｕＯ高Ｔｃ超导材料，其影响是不同的．质子注入使零电阻温度从８６．７Ｋ提高到８９．８Ｋ，而剂量为２．２５×１０１４电子／ｃｍ２的８ＭｅＶ的电子辐照却使超导体的零电阴温度下降３Ｋ左右．当电子辐照剂量为１．３５×１０１５ｅ／ｃｍ２时，超导体变成绝缘体．用高分解电镜对４００ｋｅＶ的电子辐照分况进行实地在线研究，发现当剂量到１．０×１０２６ｅ－／ｃｍ２时，氧化物超导体中的品相出现非品化，而其原来为非品区域处处出现有序化．     

亚硒酸钠和抗坏血酸的配合对受冷稻苗某些生理生化特性的影响

０５ｍｇ／Ｌ的亚硒酸钠（Ｎａ２ＳｅＯ３）与５ｍｇ／Ｌ的抗坏血酸（Ｖｃ）配合，根施稻苗，可提高受冷稻苗可溶糖和可溶蛋白质的含量，降低电解质渗漏率，增强ＳＯＤ活性，提高稻苗抗寒力，体现了Ｎａ２ＳｅＯ３与Ｖｃ适当配合的协同效应．     

微波等离子体炬原子发射光谱法测定铝铍铬钼钒锆

用微波等离子体炬原子发射光谱法对Ａｌ，Ｂｅ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｖ和Ｚｒ进行了测定，样品用超声雾化法引入。考察了实验条件的影响，建立了测定的最佳条件，测定Ａｌ，Ｂｅ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｖ和Ｚｒ的检出限分别为５．３ｎｇ／ｍＬ，０．４７ｎｇ／ｍＬ，６．０ｎｇ／ｍＬ，３．６ｎｇ／ｍＬ，５．３ｎｇ／ｍＬ和６０ｎｇ／ｍＬ，线性范围为２～４个数量级，考察了一些共存物对测定的影响。     

快凝Al－8．5Fe－1．3V－1．7Si合金高温下的相稳定性

采用透射电镜研究了快速凝固Ａｌ－８．５Ｆｅ－１．３Ｖ－１．７Ｓｉ合金在６００℃长时间热暴露后强化相的转化行为．结果发现，高温下稳定性极好的Ａｌ１２（Ｆｅ，Ｖ）３Ｓｉ相在６００℃时粗化速率明显加快．在有些强化相颗粒粗化的同时，伴随部分小尺寸颗粒的溶解．随热暴露时间的延长，强化相体积分数减小，粗化的颗粒外形由球形变为多边形，半共格关系遭到破坏．热暴露２００ｈ后，在基体中有异常粗大的Ａｌ１３（Ｆｅ，Ｖ）形成，该相为底，Ｘ单斜结构，相内为孪晶结构．