晶体管二次击穿特性研究

主要从器件的结构与制造角度,详细地讨论了与抗烧毁有关的大功率开关晶体管的二次击穿及其改善措施,并介绍了一种新型的大功率晶体管结构,对投片生产具有实际的指导意义．     

功率晶体管二次击穿无损测试研究

根据功率晶体管二次击穿的物理变化过程，设计出可行的二次击穿无损测试系统，并对系统各部分电路的工作原理作了介绍。     

基于二次选择匹配的神经网络集成构造方法研究

研究12种基于二次选择匹配的选择性神经网络二次集成构造方法.分析了两次集成中所用选择方法的匹配关系及第1级结构中选择性神经网络集成个体的个数对神经网络集成效果的影响.仿真结果表明,通过采用二次选择匹配以及一定的集成个数可以保证个体具有较高的精度、差异度,并减少过拟合对集成结果的影响,提高神经网络的集成精度.     

开关电源中功率晶体管的二次击穿及防护

本文分析了晶体管二次击穿的现象和产生原因，并结合开关电源的设计及生产实际，介绍了缓冲回路的应用及其它有关晶体管防护措施。     

二次击穿效应

论述了半导体器件工作在二次击穿区域内的特性，研究和总结了可见效应及电效应，这些效应与器件结构及各种工作条件下的电场及载流子分布有关，证明在具有中等和高电阻率的厚集电极情况下，可见损坏面积大，而电变化及损坏较之薄集电极外延层的情况小．     

集成稳压器实用技术

介绍常用集成稳压器的较实用的方法,并对其设计做些阐述。     

功率晶体管二次击穿无损测试研究

根据功率晶体管二次击穿的物理变化过程,设计出可行的二次击穿无损测试系统,并对系统各部分电路的工作原理作了介绍     

改善高频大功率晶体管二次击穿提高fT的特殊设计方法

本文主要讨论改善高频大功率晶体管正偏（电流集中型）二次击穿并以３ＤＡ１５０、３ＣＡ１５０型高频大功率晶体管为例，介绍一种特殊的版图设计方法，使发射结面积得到充分利用，有效地提高了电流容量，消除了大电流时发射极电流集边效应，改善了电流集中型二次击穿，减慢了大电流时β０的衰减程度，从而相应地提高了特征频率ｆＴ。     

巨型功率晶体管二次击穿检测

概述了双极功率晶体管二次击穿机理.介绍了二次击穿的测试电路和测试方法.讨论了降低电流型二次击穿的方法和防止电流型二次击穿的电路改进措施.     

硅二极管I-V特性及二次击穿计算

利用时域有限差分方法 ,求解了一维半导体器件内部载流子所满足的耦合、非线性、刚性偏微分方程组。得出了发生二次击穿的判据应以空穴电离率为准 ,而不是通常认为的以电子电离率为准的结论 ,并构造了一种准确、快捷地计算半导体器件反偏I-V特性曲线的方法。     

超突变结构变容二极管雪崩击穿电压的研究

在改进的超突变结变容二极管掺杂分布模型的基础上，对超突变结构的雪崩击穿电压进行了理论研究并用二分法进行了详细的数值计算，得出了实用的击穿电压和交叉浓度的关系曲线及数据表。本文的推导和计算充分考虑了现行变容管的制作工艺，从而获得了优于Ｋａｎｎｍａ和Ｓｏｕｋｕｐ的掺杂分布模型和计算结果。     

穿通型pn结二极管的击穿电压

提出了一种确定穿通型二极管轻掺杂区一系列参数的方法，在大量数值计算基础上，获得了有效率电离率系数随硅单边穿变结轻掺杂区材料导电类型和电阻率变化的经验公式，把这种解析方法与有效电离率参变量相结合所得结果大电压范围内与数值计算结果符合得相当好。     

非接触交流调压器谐波分析及计算机仿真研究

非接触交流调压器利用晶闸管移相控制可方便地调节输出电压的有效值,由于其采用非线性控制方式,使得输出电压和电流存在大量的高次谐波。通过对非接触交流调压器工作过程的分析,推导出其数学模型。编写了计算机仿真和高次谐波计算程序,仿真和计算结果令人满意。     

加直流电压调节器保护彩电机电源器件的试验研究

以“汤姆逊”彩电为例，分析了由于电网电压波动造成的电源部分的故障；对所设计的直流电压调节器进行了分析论述，给出了试验曲线。     

在无水氨气中氮化的氧化物击穿特性的研究

本研究采用在无水氨气中进行氮化氧化物的方法,提高了氧化物的击穿特性.对击穿机理及其处理程序的关系作了较详细的阐述,同时采用照相蚀刻技术,显微镜观察和扫描电子显微镜检测、能谱图等手段、取得了一批较准确的数据和样品.获得在无水氨气中氮化的氧化物击穿特性得到改善的结果,并指出击穿的碰撞电离机理和氮化对改善击穿特性的要点以及控制永久性击穿的决定因素.     

基于辩识模型的自动电压调节器

本文利用参数辩识的思想对一单机无穷大电力系统进行辩识以获得其数学模型,同时在辩识过程中考虑了噪声的影响,从而使得到的模型更能准确地反映实际系统。在辩识模型的基础上按最小方差控制原理设计了一离散型自动电压调节器。为避免出现静态偏差,采用了离散最小方差控制与连续积分控制相结合的方式,收到了良好的效果。这种控制方式实现非常简单。仿真结果表明,在各种情况下其性能均优于常规PI调节器,因此具有较高的实用价值。     

中间退火对薄SiO_2膜电击穿特性的影响

本文研究中间退火处理对薄SiO_2膜电击穿特性和高频电容-电压特性的影响。结果表明,在温度θ=950～1100℃和时间t=0～90分钟范围内,薄SiO_2膜的缺陷密度和固定电荷密度随中间退火温度升高和时间增长而减少。与常规后退火比较,中间退火能更有效地改善干氧氧化膜的电击穿特性,也能改善湿氧氧化膜和TCE氧化膜的电击穿特性。经中间退火处理的干氧氧化膜,其固定电荷密度也稍有降低。     

两头发电机电压自动调节器原理及设计

本文研制设计了适合绕线式定转子并联自励磁两头发电机的电压自动调节器,分析了其工作原理,给出了变转速、变负载运行工况下电压调节器励磁电容量的计算公式。使用样机进行的稳态及动态实验证实了理论的正确和调节器的实用。     

关于电脑控制的自动调压直流稳压电源的探讨

本文着重阐述电脑控制的自动调压直流稳定电源的工作原理,并说明研制和应用的有关问题