CIS／CdS薄膜太阳电池工艺探讨

本文介绍了用固态源硒化法制备ＣＩＳ太阳电池的工艺和技术关键,对如何提高ＣＩＳ膜的附着性和降低表面粗糙度提出了一些看法和改进措施,并对各环节中造成电池串联电阻过大的因素进行了讨论。     

多重p-i-n a-Si太阳电池

一种新型的a-si太阳电池已被研制出。该种电池是由多重p-i-n单元电池组成,其开路电压V_oc几乎和p-i-n单元数成正比。     

一种用于制冷的新型太阳能电池——CdS／CdTe

CdS/CdTe多晶薄膜电池是一种利用CdS的优良窗口效应和CdTe良好的光电转换而做成的一种层叠的异质结薄膜太阳电池，是适用于制冷、新型、高效率、低成本的太阳能电池，具有低缺陷、能隙大、稳定性好的特点，并且制作工艺简单、经济，易于大面积沉积，而且还具有环保价值。综述了CdS/CdTe多晶薄膜太阳能电池的特性及它的发展，同时还归纳了一些适应大面积和低成本的生产工艺。     

Cu-In膜成分偏析对CIS膜结构的影响

为了研究Cu-In薄膜中的局部偏聚现象及其对硒化后CuInSe2(CIS)薄膜中各元素分布和组织结构的影响,采用中频磁控溅射工艺,溅射Cu-In合金靶,制备了总体Cu/In原子数比接近1的Cu-In预制膜,并在硒气氛下硒化制备了CIS太阳能电池吸收层。采用扫描电子显微镜和能量弥散X射线分析技术对Cu-In预制膜及CIS薄膜的表面形貌、成分进行了观察和分析,采用X射线衍射和Raman散射谱表征了薄膜的组织结构。结果表明:Cu-In预制膜主要由Cu11In9相组成,但存在豆状的富In区;在总体Cu/In原子数比接近1时,硒化后可得到各元素分布均匀、具有化学计量比的CIS,且晶体结构为单一的黄铜矿相。CIS薄膜的导电类型为P型,电阻率达到1.2kΩ.cm。     

溶液生长法制备CdS薄膜

介绍了用溶液生长技术制备ＣｄＳ薄膜的方法,用此方法在玻璃衬底上获得了淡黄色的ＣｄＳ薄膜,薄膜为混合立方和六方晶系结构。     

CdS多晶薄膜的制备及其性能的研究

采用化学池沉积法,同时在３种衬底上沉积ＣｄＳ薄膜,利用电镜,透射光谱,Ｘ射线衍射和微电流高阻计等方法对沉积膜进行了测试分析,算出ＣｄＳ薄膜的能隙宽度Ｅ０和电导激活能Ｅα。结果表明：沉积膜表观均匀,密实,结晶取向性以ＳｎＯ２玻片衬底为佳;     

新世纪,新的能源利用形式——太阳能电池

地球正面临着能源枯竭的危机.燃烧石油和煤炭等矿物燃料所产生的废气,正使人们遭受着愈来愈严重的环境污染.因此,开发无污染的新能源是人类生存与发展的重大课题.     

我国黄淮地区太阳房实验研究

本文祥细介绍了《郑州实验性太阳房》的研究,设计及测试情况,并根据测试结果对该太阳房进行了经济技术分析和评价。     

辉光功率对硅薄膜太阳能电池串联电阻的影响

采用RF—PECVD在不锈钢衬底上制备了一系列NIP结构的硅薄膜太阳能电池,得到本征层的辉光功率分别是4W,7．2W,9W,20W,40W。用磁控溅射在P层表面蒸镀ITO透明电极,用太阳能模拟器做光源,测试了电池的串联电阻等性能参数。结果表明本征层辉光功率对电池串联电阻的影响显著。在相同条件下制备了本征单层膜系列样品并进行表征。通过对薄膜性质的分析,运用三相混合模型和渗流理论解释了串联电阻随本征层辉光功率变化的原因。     

用自然温标来研究太阳能锅炉的最佳热力学设计

本文以自然环境为参照系,提出自然温标:温位=T—T_和比温位φ=/T_a这两个概念。本概念适于(火用)分析法,并可简化对问题的分析和表述。本文还以此概念研究了太阳能锅炉以及具有线性热损的单容集热装置的最佳热力学设计,导出准则关系式击φ_m/φ=φ+2,和最佳集热效率η_(Qop)=(φ+1)/(φ+2)。     

GRM复合材料太阳能热水器外壳及工艺研究

ＧＲＭ复合材料太阳能热水器外壳是以镁质胶凝材料为主料,加入改性剂和增强纤维,复合不同的保温材料制成。本文详细介绍了原材料的选取、硬化反应机理、生产工艺过程及其性能指标,并对该产品进行了长期使用效果考察,预测了其开发应用前景。     

双源真空蒸发制备CdS/CuInSe_2多晶异质结薄膜太阳电池

用双源真空蒸发制备CdS/CuInSe2多晶异质结薄膜太阳电池,并对电池的性能进行测试.在AM1.5,100mW/cm2的碘钨灯下,对1cm2的太阳电池测得其最大转换效率为6.2%.     

多晶硅薄膜太阳电池效率影响因素的研究

研究了影响单晶硅衬底的多晶硅薄膜太阳电池转换效率的因素,得到该种电池的快速热化学汽相沉积（RTCVD）的最传教条件,同时改进了制备薄膜太阳电池的若干工艺问题,得到了转换效率为14．08％的太阳电池,其填充因子为0．808。     

Surfatron和Surfaguide对a-Si电池氢化的研究

本文利用表面波等离子体发生器对a-Si电池氢化并与射频等离子体氢化的结果进行比较。