纳电子器件的纳米碳管构成技术进展

电子信息技术是当前世界重大科技需求中最具重要性、创新性及高科技属性的研究领域，当今发达国家国民生产总值增长的很大部分与电子产业有关。半导体集成电路器件工业的增长速率一般为GDP增长的几倍，在21世纪内可能成为全球的第一产业。半导体集成电路的发展方向是尺寸更小，从而使运行速度更     

纳米量子器件研究的若干前沿问题

纳米量子器件是目前纳米物理学与纳米电子学领域中最重要的研究方向。人们预测，该领域中的任何一项具有实质意义的突破性进展，都极有可能在全球范围内触发一场新的信息技术革命。所调纳米量子器件，是指基于各种量子力学现象，如量子尺寸效应、量子隧穿效应、库仑阻塞效应、光学非线性效应以及量子信息处理等设计并制作的固态纳米电子器件、光电子器件、集成电路乃至量子计算机等。本将着重介绍目前纳米量子器件研究中的若干活跃前沿以及我们应采取的对策。     

纳米尺度的数据存储

对当前的磁、光存储技术及基于扫描探针显微镜（SPM）的超高密度存储技术进行了介绍，并对它们各自的存储机理及发展前景进行了分析比较。磁、光存储技术将追求更小的信息位尺度，面临接近其原理上的起顺磁效应限制和光的衍射极限的限制。SPM具有原子级分辨及纳米加工能力，被广泛应用于信息的存储机理研究及存储器件的设计，成为超高密度信息存储的研究热点。     

自下而上装配的纳米电路

当传统硅芯片向其物理极限冲刺时．研究人员正在通过化学途径探寻下一代个型电路——     

介观耦合电路的量子压缩效应

随着纳米技术和纳米电子学的飞速发展,电路以及器件小型化的势头越来越强烈,近年来已达到原子尺寸的量级.显然,当电子的输运尺度达到一个特征尺度,即电子的非弹性碰撞尺度时,必须考虑其量子力学性质及电荷的非连续性质.因此,在纳米电子学中对电路及器件建立一个正确的量子理论已经是十分迫切的任务了.当然,最为简单然而又是十分重要的工作是将LC电路量子化,这一工作可以通过与经典简谐振子量子化的方法做类比而得以完成,其中谐振子的坐标相当于电路中的电荷.最近,我们提出了一个考虑电荷量子效应的介观电路量子化的方法,讨论了有耗散的介观电路的量子涨落.本文给出了无耗散介观耦合电路中各个回路的电荷、电流的量子涨落,发现这些电流与电荷的量子涨落之间存在着压缩效应对于一个经典的无耗散的并且其中一个回路中有电源ε(t),电感电容组成的电容耦合电路(电感耦合电路也可以等效成电容耦合电路).按照Kirchhoff定律,可以写出其运动方程为L_1(d~2q_1)/dt~2+q_1/C_1+q_1/C_2-q_2/C_2=ε(t),L_2(d~2q_2)/dt~2+q_2/C_2-q_1/C_2=0 (1)其中q_1(t)和q_2(t)是两个LC型电路中的电荷;L_1,C_1和L_2,C_2是两个回路中的电感和电容,C是这两个回路的耦合电容.如果ε(t)=0,可以把该运动方程写成简单的Hamilton形式