DyFe11-xMnxTi赝三元化合物的结构和磁性

研究了Mn部分替代DyFe11Ti中的Fe对化合物结构和磁性的影响.利用真空电弧熔炼和真空热处理制备了DyFe11-xMnxTi(1.0≤x≤5.0)化合物样品.X-射线衍射和热磁曲线测量表明:用Mn部分取代DyFe11 Ti中的Fe仍保持ThMn12型结构,且具有较好的单相性;晶格常数a和单胞体积V随Mn含量的增加而增大;在DyFe7Mn4Ti化合物的热磁曲线上观察到了补偿点;随着Mn含量的增加,化合物在4.4 K温度下的饱和磁化强度逐渐减小,在某一成分点为零.而后随Mn含量的继续增加而增大.     

掺杂对锰氧化物La_(0.67)Ca_(0.33)Mn_(0.9)A_(0.1)O_3(A:Cr,Co,Fe,Cu)结构的影响

采用固相反应法制备了La0.67Ca0.33Mn0.9A0.1O3(A:Cr,CoFe,Cu)系列样品;利用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对系列样品进行了表征,结果表明:样品单相性很好;以元素Cr,Fe,Co替代时,样品呈现较均匀的颗粒,而元素Cu替代时样品呈大片状结构,空洞半径按替代元素Cr,Co,Fe,Cu的顺序逐渐变大,说明替代元素与Mn离子的半径之差Δ是影响样品空洞半径及缺陷的重要因素.     

LaMn1-xZnxO3的磁性研究

本文报导了钙钛矿型锰氧化物LaMn1-xZnxO3(LMZO,0≤ x≤0.33)的结构和磁性,发现Zn部分替代Mn抑制了LMZO的铁磁性.居里温度TC和磁化强度随Zn含量的增加而一致地降低,且在x=O.15附近出现奇异点.考虑了Zn替代Mn引入的双交换作用、磁稀释作用和晶格效应几方面因素,对上述结果做了定性的解释.     

(Mn1-xCox)65Ge35(x=0.2～0.5)合金的磁热效应

在氩气的保护下用熔炼法制备了(Mn1-xCox)65Ge35系列合金,通过X射线衍射和振动样品磁强计研究了样品的结构和磁熵变.结果表明,(Mn1-xCox)65Ge35系列合金在Co含量x=0.2时,样品为正交结构,磁矩反铁磁排列; 当Co含量0.2≤x≤0.5时,样品为六角结构,磁矩铁磁排列.随着Co含量的增加,合金的居里温度在250～302K范围内变化.在低磁场(0-1.5T)下,(Mn1-xCox)65Ge35系列合金的最大等温磁熵变为1.7J·kg-1·K-1.     

金属间化合物SmFe11-xMnxTi的结构和磁性

研究了Mn部分替代SmFe11-xMnxTi中的Fe对化合物结构和磁性的影响,利用真空电弧熔炼和真空热处理制备了SmFe11-xMnxTi（x=2．0,3．0,4．0,5．0,6．0）化合物样品,室温粉末样品的X射线衍射扣热磁曲线测量表明：2．0≤x≤6．0成分范围内的SmFe11-xMnxTi化合物具有ThMn12型结构,且具有良好的单相性．随着Mn替代量的增加,单胞体积增大,所有上述成分范围的化合物都存在自发磁化现象,SmFe11-xMnxTi化合物的居里温度随Mn替代量的提高迅速下降,化合物在4．4K温度下的饱和磁矩和过渡金属次晶格磁矩随Mn替代量的增加而单调减小。     

Mn掺杂CuCrO_2纳米粉体的室温铁磁性（英文）

利用固相反应与球磨相结合的方法,制备了(Cu1-xMnx)Cr O2(0≤x≤6 at%)和Cu(Cr1-yMny)O2(0≤y≤6at%)两个系列的纳米粉体.结果表明,所有样品都具有3R-Cu Cr O2铜铁矿单相结构.晶格膨胀说明Mn离子已分别固溶到(Cu1-xMnx)Cr O2的Cu亚晶格中和Cu(Cr1-yMny)O2的Cr亚晶格中,这在X射线光电子能谱的分析中得到了进一步的证实.B位Mn掺杂样品具有室温铁磁性,磁性源于Cr3+-Mn3+离子对间以空穴为媒介的双交换相互作用.Cu MO2(M=Cr,Mn)铜铁矿纳米粉体的饱和磁化强度比文献值高出约一个数量级,并随着Mn含量的增大而逐渐减小,主要受到3个因素的共同影响:M-M离子对数目、M-M离子间距及空穴浓度.     

Ni_(1-x)Mn_xO稀磁半导体的磁性研究

通过X射线吸收近边结构(XANES)、超导量子干涉仪和第一性原理计算研究了脉冲激光沉积法(PLD)制备的Ni1-xMnxO(0.01≤x≤0.05)薄膜的微观结构和磁学性质.X射线吸收近边结构表明,当x≤0.03时,掺杂的Mn替代了NiO晶格中的Ni原子,并且以混合价态(+2/+3)的形式存在.当x0.03时,掺杂的部分Mn离子形成了类Mn2O3杂相.磁性测量表明,随着Mn含量从0.01增加到0.03,Ni1-xMnxO薄膜的饱和磁矩从0.3μB/Mn增加到了0.45μB/Mn.基于第一性原理计算,我们提出Mn3+离子之间通过Ni空位表现出了铁磁性耦合,Mn2+离子之间则通过超交换作用表现出了反铁磁耦合.     

用XANES研究Ga1-xMnxN稀磁半导体的Mn原子的局域结构

利用基于实空间多重散射的XANES研究了Ga1-xMnxN(x=0.01,0.25,0.10)稀磁半导体中Mn原子的局域结构.结果表明在低Mn含量(摩尔浓度)的Ga0.990Mn0.010N样品中,Mn原子替代了GaN中的Ga,以替位形式存在.当Mn含量增加到0.025时,部分Mn原子处于被4个Ga所包围的间隙位,并与替位Mn原子形成了MnGa-Mn1二聚体.当Mn含量进一步增加到0.100时,样品中的Mn原子主要以Mn团簇形式存在.     

用XANES研究Ga_(1-x)Mn_xN稀磁半导体的Mn原子的局域结构

利用基于实空间多重散射的XANES研究了Ga1-xMnxN(x=0.01,0.25,0.10)稀磁半导体中Mn原子的局域结构.结果表明在低Mn含量(摩尔浓度)的Ga0.990Mn0.010N样品中,Mn原子替代了GaN中的Ga,以替位形式存在.当Mn含量增加到0.025时,部分Mn原子处于被4个Ga所包围的间隙位,并与替位Mn原子形成了MnGa-MnI二聚体.当Mn含量进一步增加到0.100时,样品中的Mn原子主要以Mn团簇形式存在.     

La0.67Ca0.33Mn1-xCrxO3(0.0≤x≤0.15)中的输运机制与CMR效应研究

研究了Mn位掺Cr体系La0.67Ca0.33Mn1-xCrxO3(0)(0.0≤x≤0.15)的庞磁电阻(CMR),发现Mn位掺Cr时零场电阻率曲线出现附加峰,随着Cr含量的增加,起始电阻率峰值逐渐减弱,附加峰急剧上升.在磁场作用下,两个电阻率峰值被强烈压缩,导致CMR效应中出现双峰,并且CMR效应的温区大大拓宽,从低温到接近室温.这个结果表明:Mn位元素替代是调整CMR效应的有效方法.