角重迭模型及其参量的获取

角重迭模型作为配体场理论的新分支已经得到了广泛的应用,该文就角重迭模型的基本原理、参量的化学意义和参量的获取方法进行了详细地讨论。     

ThSiO4晶体中Yb^3＋离子的自旋哈密顿参量的理论研究

从晶体场理论出发，用考虑了二阶微扰贡献的理论公式和由晶体结构数据和重叠模型获得的晶场参量，计算了ThSiO4晶体中四角对称的Yb^3 离子的自旋哈密顿参量g因子和超精细结构常数A因子，计算结果与实验很好地符合，并对结果进行了讨论。     

氘化锂中Rh2+｛A｝中心g因子和超精细结构常数的理论研究

基于晶体场模型,建立了四角对称(压缩八面体)中4d7离子的各向异性g因子g‖、g⊥和超精细结构常数A‖、A⊥的微扰公式,并应用于氘化锂(LiD)中Rh2+｛A｝中心。考虑了立方场参量Dq、四角场参量Ds和Dt对g因子的贡献,以及芯区极化常数κ和杂质离子4d和5s轨道混合引起的缩小因子H对超精细结构常数的贡献。计算表明,理论与实验符合较好,对应的参量值分别为Ds≈-313cm-1,Dt≈-52cm-1,H≈0.502,即体系具有一定程度的四角畸变和中心离子5s轨道混合。     

ThSiO4晶体中Yb3+离子的自旋哈密顿参量的理论研究

从晶体场理论出发，用考虑了二阶微扰贡献的理论公式和由晶体结构数据和重叠模型获得的晶场参量， 计算了ThSiO4晶体中四角对称的Yb3+离子的自旋哈密顿参量g因子和超精细结构常数A因子, 计算结果与实验很好地符合，并对结果进行了讨论。      

CaF2晶体中四角对称的Yb3+- F-中心的电子顺磁共振参量的理论研究

作者用考虑了二阶微扰贡献的理论公式和由光谱获得的晶场参量，计算了CaF2晶体中四角对称的Yb^3 -F^-中心的电子顺磁共振参量(g因子和超精细结构常数Ai)，计算结果与实验结果符合较好。     

稀土光谱参量的第一性原理研究

稀土离子光谱的参量化理论在目前及可预见的将来仍是精确解释和预言稀土发光材料光谱性质的唯一可行的理论,但其预言能力在没有实验数据的前提下因难以确定参量值而在应用上受到很大限制.人们先后尝试用参量的唯象模型方法或直接采用第一性原理进行光谱计算来解决,仅取得了有限的成功.参量化理论 (及其唯象模型) 和第一性原理计算相结合是...     

四角对称晶场中d3离子ZFS参量的研究

利用Ｍａｃｆａｒｌａｎｅ的三阶微扰理论,研究了ｄ＾３离子ＺＦＳ参量随四角晶场的变化。同时研究了立方晶体中＾４Ａ２态与＾２Ｅ态在拉伸畸变和压缩畸变时零场分裂（ＺＦＳ）参量的变化。     

Cr3+离子在SrLaAlO4中电子顺磁共振参量的理论研究

电子顺磁共振谱(electron paramagnetic resonance,EPR)参量对杂质离子局域结构极为敏感,对EPR参量的理论研究可以用来确定材料的离子占位和缺陷结构等.从晶体场理论出发,用高阶微扰公式和晶体结构数据和重叠模型获得晶场参量,计算出Cr3+离子在八面体晶体SrLaAIO4中的的自旋哈密顿参量g因子和零场分裂参量D,计算中所用到的参量由该晶体的光谱和结构数据获得,计算结果和实验数据较为符合,并对计算结果进行了分析.     

Ru3+离子在Y3Al5O12晶体中的缺陷结构和自旋哈密顿参量研究

采用合适的模型和参量,用适于强场低自旋（S=1/2）d5组态的微扰公式计算了4d5离子Ru3+在Y3Al5O12晶体中的自旋哈密顿参量（g因子g∥, g⊥和超精细结构常数 A∥和A⊥）.通过计算,合理地解释了这些自旋哈密顿参量并获得了Ru3+杂质中心在Y3Al5O12晶体中的缺陷结构.     

四角对称V4+离子化合物光谱和电子顺磁共振谱的理论研究

用对角化完全能量矩阵方法和微扰方法计算了分别由辛基胺(R3N, TOA)和辛基磷化物(R3PO, TOPO)二种物质在盐酸溶液中萃取的四角V4+离子化合物的光谱带和电子顺磁共振(EPR)参量. 计算结果表明, 由这二种微观理论方法计算的光谱带和EPR参量不仅互相非常接近, 而且也与实验值较好的符合. 这说明人们可以用这二种方法来研究固体中3d1过渡金属离子基团的光谱和EPR谱.     

MgO：Fe^3＋晶体四角占位的局域畸变

建立了ＭｇＯ：Ｆｅ３＋晶体中的四角对称由荷补偿占位的局域结构与零场分裂参量的关系，从而从电子顺磁共振实验数据导出了结构信息．     

钇铁榴石中Fe~(3+)离子的吸收光谱和EPR零场分裂研究

本文在晶体场理论的基础上．用晶场自旋——轨道耦合矩阵对钇铁榴石（YIG）中Fe3+（3d5组态）离子的吸收光谱，基态分裂常数，零场分裂参量D进行了统一计算．所得结果与实验符合较好，说明自旋——轨道耦合作用是导致基态分裂的主要原因，解释了被认为是一个理论疑惑的Fe3+离子零场分裂参量D问题。     

毛细管中高阶参量过程的理论描述

提出了毛细管中高阶光学参量过程的理论模型。该模型在传统的高阶参量过程理论模型的基础上，自洽地考虑了毛细管中光导波模式特征和激光束对毛细管中光学导波模式激发效率的影响，得到了毛细管中高阶光学参量过程的相位匹配条件。利用这个理论模型概略地分析讨论了毛细管中高阶光学参量过程的最近的实验结果。     

过渡离子Fe^3＋在KMgF3中局域晶体结构理论的研究

通过对角化能量矩阵研究了KMgF3：Fe^3＋系统的EPR谱．引入了双层配体模型,即6个F离子为第一层配体和8个K离子为第二层配体,来描述KMgF3：Fe^3＋系统．通过同时模拟第二和第四个EPR参量D和（a-F）,在理论上发现了沿C3轴的一个K^＋离子向Fe^3＋离子的移动,并且这个移动导致了第一层的六个F配体的移动．用Fe^3＋-F^-键和C3轴的夹角θ1和θ2描述这个畸变．在室温下,得到两个畸变角△θ1=5．54～6．07°,△θ2=-4．60～5．00°．这个结果与重叠模型估计的角度具有可比性．     

运动依赖强度耦合J-C模型的场熵演化

利用量子理论,研究了运动依赖强度耦合J-C模型的场熵的动力学特性,讨论了原子相干性、原子运动和场模结构参量对场熵演化的影响.研究结果表明,场熵大小与运动原子在能级上的初始分布和场模结构参量大小有关;场熵的演化周期随着场模结构参量的增大或原子运动速度的增大而缩短.     

Al2O3：Ni^2＋晶体的局域结构研究

应用配位场理论、微扰理论以及叠加模型，建立了零场分裂(Zero-Field Splitting)参量D与Al2O3：Ni^2 晶体局域结构之间的关系式，并通过计算零场分裂参量D值，发现掺Ni^2 离子的Al2O3晶体上、下三棱锥分别产生了沿C3轴的压缩畸变和伸长畸变，零场分裂参量计算结果与实验符合．     

d~3电子在立方对称下的能量矩阵和g因子四阶微扰公式及应用

本文通过引入两个共价因子Ｎ１、Ｎｅ推导了包含Ｒａｃａｈ参量Ａ的能量矩阵。并用高阶微扰方法推导了ｇ因子四阶微扰公式，在此基础上，计算了ＧａＡｓ：Ｃ２＋０的晶场光谱和顺磁ｇ因子。其理论值和实验结果吻合较好。本文结果表明，对于半导体，Ｒａｃａｈ参量Ａ对晶场光谱和ｇ因子的贡献不可忽略。     

S=1 Ising自旋玻璃的晶场效应

本文应用有效场理论,直接计算了S=1、具有无规交换作用,并包含晶场效应的Ising自旋玻璃的热力学参量。     

具有Dzyaloshinskii-Moriya作用和晶体场作用的Heisenberg模型的临界性质

利用平均场近似的方法,研究了具有Dzyaloshinskii-Moriya(DM)作用和纵向晶体场作用的自旋S=1的Heisenberg 模型的临界性质,得到了该系统的相图.研究结果表明:所研究系统存在三临界点,并且约化晶体场作用参量和约化 DM作用参量分别连续变化时,系统的三临界温度不随相应参量单调变化,约化三临界温度分别存在一个最小值.系统的这种临界性质可以解释为系统的交换耦合作用、晶体场作用DM作用之间相互竞争的结果.     

AgBr：V^2＋晶体中的V^2＋—VM四角中心局域结构的研究

采用同时考虑中心ｄ＾３离子和配体旋轨耦合作用贡献的双旋轨耦合参量模型，通过计算ＥＰＲ参量Ｄ和ｇ因子，估算出ＡｇＢｒ：Ｖ＾２＋晶体中的Ｖ＾＋－ＶＭ四角中心的局域结构参量ΔＲ，并与只考虑中心ｄ＾３离子旋轨耦合作用的传统单旋轨耦合参量模型的结果作了比较。研究表明，当配体含有大的旋轨耦合系数时，其以ＥＰＲ参量的贡献不能忽略。