色八重态对协同J/ψ+γ产生过程的影响

利用双重Q^2－重标度模型给出的胶子分布函数计算并讨论了重夸克偶素的色八重态对协同J／ψ＋γ产生过程的影响。结果表明：色八重态的贡献不可以忽略，有时能超过色单态的贡献。所得计算结果与未来实验数据的比较，可以对双重Q^2－重标度模型进行检验。     

MTM与MTC模型中PGB对qq→tt过程的单圈修正

本文分别在多标度ＴＣ模型（ＭＴＭ）与带有一个标量子的ＴＣ模型（ＭＴＣ）中研究了赝标哥尔斯通粒子（ＰＧＢ）对Ｔｅｖａｔｒｏｎ上ｔｏｐ夸克对产生截面的单圈贡献．我们发现在ＭＴＭ中该贡献是显著的，当ｔｏｐ夸克的质量取１７６ＧｅＶ，色八重态ＰＧＢ的质量可以取到６００ＧｅＶ时，该修正值达到２９％，这是很有实验意义的，然而在ＭＴＣ中，该修正较小，不可观测     

色八重态机制与p-p碰撞中J/Ψ粒子的产生

计算了色单态和色八重态产生机制下高能非极化p-p碰撞中J/Ψ粒子产生的微分截面随质心系能量的变化,并与实验数据进行了对比.结果表明,仅考虑部分子融合过程,色八重态产生机制能很好地解释高能碰撞中J/Ψ粒子产生的实验数据,明显优于色单态机制,同时发现粲夸克质量取值得不同也会对产值的计算产生影响.     

√sNN＝200GeV/核子重离子碰撞中J/ψ粒子的产生与核遮蔽效应

在RHIC的PHENIX的快度接收范围内,采用EKS98和HKN04给出的束缚核子部分子分布函数,计算了√sNN＝200 GeV/核子p-Au,p-p碰撞中色八重态产生机制下J/ψ粒子微分截面随快度的变化.在RHIC能量下,最主要的粲夸克偶素产生过程是胶子融合.所得结论与实验数据对比,有助于了解胶子分布的核遮蔽效应.     

(s_(NN))~(1/2)=200GeV/核子重离子碰撞中J/ψ粒子的产生与核遮蔽效应

在RHIC的PHENIX的快度接收范围内,采用EKS98和HKN04给出的束缚核子部分子分布函数,计算了(s_(NN))~(1/2)=200 GeV/核子p-Au,p-p碰撞中色八重态产生机制下J/ψ粒子微分截面随快度的变化.在RHIC能量下,最主要的粲夸克偶素产生过程是胶子融合.所得结论与实验数据对比,有助于了解胶子分布的核遮蔽效应.     

北京谱仪J／ψ事例的Bose—Einstein关联

本文用北京谱仪获得的ｅ＾＋ｅ＾－反应产生的Ｊ／ψ事例终态，研究（π＾＋π＾＋）的对ＢｏｓｅＥｉｎｓｔｅｉｎ关联。     

强子物理中的电荷不对称性与高p^2⊥处的粒子数比

在能区Ｓ＝２０～１８００ＧｅＶ，π介子，Ｋ介子与质子反质子间的粒子数比与电荷不对称性作为横动量ｐ２⊥的函数可用标度分布（ａＱ⊥）νＫν（ａＱ⊥）中的〈ｐ⊥（Ｍｉ）〉Ｍｉ／〈Ｍ〉关联与都普勒效应得到解释．都普勒速度ＶＪ／ｃ为：Ｋ介子发射源的速度比π介子发射源的小，但比质子发射源的速度大．这是强子物理中的新的质量效应．     

LHCγ-Pb碰撞过程中的J/ψ及Υ产生(英文)

研究了ＬＨＣＰｂＰｂ过程ＣＭＳ能量为６３００ＡＧｅＶ条件下的光生Ｊ／ψ及Υ．结果表明，硬光生过程可以用于检验很多重要问题：如核中的股子分布；胶子和重夸克的Ｊ／ψ碎裂等。除此之外，光生过程还提供了一种新的检验ＥＭＣ效应的手段     

用分形理论计算高能多重产生中粒子动量分布的维数

用推广的分维计算式计算在高能质子 反质子碰撞中产生的末态粒子动量分布的维数，在质心系能量Ｓ＝５４０ＧｅＶ下，求得中心区的分维数是二维的     

J/Ψ粒子产生中的核遮蔽效应与胶子的分布函数

通过计算RHIC的PHENIX上d-Au、p-p碰撞中,色八重态机制下J/Ψ粒子产生的微分截面随快度的变化,并与实验数据对比,研究了两种不同的束缚核子部分子分布函数.结论表明:与HKN04相比,EKS98的曲线更接近实验数据,尤其在反遮蔽区,HKN04给出的胶子分布可能偏低.     

重离子碰撞J/ψ粒子产生中的核介质效应

利用色八重态产生机制和不同的核介质效应模型,在RHIC-PHENIX和HERA-B的运动学范围内,计算了重离子碰撞中J/ψ粒子产生截面比的y分布,以及在xF<0范围内a(xF)的xF分布,并与最新公布的实验数据进行了对比,显示出不同的核介质效应模型对截面的影响相差很大.结论对于验证xF<0时核介质效应模型的适用性、研究夸克--胶子等离子体的形成标志具有重要意义.     

Sb吸附在GaAs（110）（1×1）—Sb（1ML）表面上的电子态特性

采用紧束缚的ｓｐ＾３ｓ模型本电子态，用散射理论的格林函数方法研究了Ｓｂ吸附在ＧａＳＡｓ（１１０）表面上的电子特性，计算结果表明：在－１２ｅＶ－＋２ｅＶ的能区内有９个表面态存在，对于这样的金属／半导体系统仍有带隙存在，其带隙宽度为０．４ｅＶ左右；体系的性质表现为半导体的性质，而不表现出金属的性质。     

存在集中分布界面态的异质结的C—V特性研究

提出用高频Ｃ－Ｖ法测量半导体异质结中集中分布的界面态的能位位置的方法，并分析了测试温度以及由异质结的能带偏移所引起的载流子积累对测试结果的影响，有这一方法对ＧａＳ／ＧａＡｓ和ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ两种异质结进行了测试，发现在这两种异质界面上均存在集中分布的界面态，其能级位置分别为Ｅｃ－０．４１ｅＶ，Ｅｃ－０．５１ｅＶ。     

快度中心区动量分布分维数的计算

应用推广的分维计算式，讨论了在高能强子—强子碰撞中产生的末态粒子动量分布在快度中心区的分维数，发现在质心系能量为１１．５～９００ＧｅＶ时，其值为２．     

LHCγ—Pb碰撞过程的J／ψ及γ产生

研究了ＬＨＣＰｂ－Ｐｂ过程ＣＭＳ能量为６３００ＡＧｅＶ条件下的光生Ｊ／ψ及γ。除此之外,光生过程还提供了一种新的检验ＥＭＣ效应的手段。     

组分含量对PVG膜剂量计偏差的影响

对辐射致色薄膜剂量计（ＰＶＧ膜剂量计）的辐照响应过程进行了研究,计算出了ＰＶＧ膜剂量计中孔雀绿（ＭＧ＾＋）的辐射化学产额Ｇ（ＭＧ＾＋）当膜中组分隐色孔雀绿（ＬＭＧ）的量含量为８０μｍｏｌ·ｇ＾－１,有机卤代物（ＲＸ）与ＬＭＧ的质量比为０．５时,其Ｇ值为０．２３６μｍｏｌ·Ｊ＾－１,考查了膜中组分ＬＭＧ和ＲＸ的量含量变化对Ｇ（ＭＧ）的影响,表明ＰＶＧ膜剂量计中由于ＬＭＧ和ＲＸ的量含量波动而引起的偏差     

反质子与原子核的电荷交换反应

本文研究在扭曲波冲量近似下，反质子与原子核的电荷交换反应Ａ（ｐ，ｎ）Ｂ．用严格的分波法计算反质子能量为４６．８ＭｅＶ和１７９．７ＭｅＶ的１６Ｏ（ｐ－，ｎ－）１６Ｎ到达１－，３－态和１７Ｆ（ｐ－，ｎ－）１７Ｏ到达Ｏ＋，２＋态的微分截面．讨论了同位旋相似态跃迁和非相似态跃迁微分截面的差别．     

Fe-P-N 合金中的 Snock-Kê-Kster峰

研究了变形Ｆｅ－Ｐ－Ｎ合金的内耗和沉淀，发现含置换元素磷的三元系铁的ｈｈＳＫＫ／ｈＳ比值不是给定值，而是磷含量的函数．在ｃＮ≤０．００３质量百分数％，ｃＰ≤０．０６４质量百分数％时，存在关系式ｈｈＳＫＫ／ｈＳ＝Ｋ１ｃ（－２／３）Ｐ＋Ｋ２，截距Ｋ２产生的原因是由于固溶合金基体中存在磷原子对和气团．     

强子物理中核磁子与同位旋—自旋耦合

费米强子磁矩与磁子都是在强子发射源中产生的，玻尔源半径ａＢ取重整化群紫外固定点（β（ｅ※Ｒ，ｇ※Ｒ）＝０）的值，ａＢ＝ｈ／２αｓＭｐＣ，且μｈ／μＮ＝ａＢｃ＋２αＩ·Ｊ＋δ（ｇ※Ｒ，ｅ※Ｒ），强电相互作用关系（ｇ※Ｒ＋ｂｅ※Ｒ）２成立（（α※ｓ＝０．４０７，ＱＣＤ；α※ｅ＝１／１３７，ＱＥＤ）．     

掺铋钇铁石榴石法拉第效应的增强机理研究

采用ＤＶ－Ｘα方法计算了ＹＩＧ及Ｂｉ－ＹＩＧ薄膜的电子结构，在能态密度的基础上，得出了导致法拉第效应的两种电荷转移跃迁，Ｂｉ＾３＋离子的掺入，增大了跃迁的振子强度，Ｂｉ６ｐ与Ｆｅ３ｄ形成具有较大自旋－轨道相互作用的耦合轨道，它们是Ｂｉ＝ＹＩＧ的法拉第旋转角增大的原因。