简单沉淀法制备氢氧化镧纳米棒及其结构表征

以硝酸镧为原料、氨水为沉淀剂,采用简单低温沉淀法成功制备了氢氧化镧纳米降．利用X射线衍射（XRD）、热分析（TG-DSC）、扫描电子显微镜（SEM）以及透射电子显微镜（TEM）对纳米棒的相结构和形貌等进行了表征．在此基础上探讨了氢氧化镧纳米棒的生长机制以及温度对其形貌的影响．研究结果表明．六方相氢氧化镧沿C轴方向组装成棒状．且随着合成温度的升高．氢氧化镧纳米棒的长径比增大。结晶更完整．     

氧化石墨烯制备及其结构表征

本文以不同类型的石墨为原料,采用密闭氧化法制备了氧化石墨,并通过超声剥离得到氧化石墨烯,利用氨肼还原法将氧化石墨烯还原得到石墨烯。讨论了不同类型石墨原料对所制备氧化石墨烯微观形貌的影响,并且利用高分辨率扫描电子显微镜（SEM）和X射线衍射仪（XRD）对所制备的氧化石墨烯和石墨烯进行了结构表征,结果表明,在以不同类型石墨为原料所制备的氧化石墨烯中,50目天然鳞片制备的氧化石墨烯的微观形貌最好,呈波浪褶皱状。     

水热法制备ZnO纳米棒阵列及其表征

采用两步低温水热法在Si片衬底上制备形貌规整的ZnO纳米棒阵列,纳米棒长度约为5μm.利用扫描电镜(SEM)、PL光谱测试对ZnO纳米棒的微观表面形貌和光学特性进行表征分析.探究制备过程中两次水热的生长液浓度对ZnO纳米棒形貌的影响,通过表征对比获得最优的生长液浓度范围.实验首先利用提拉退火等工序在衬底上获得ZnO的晶种层,再经过两次水热反应制备出分布均匀、有序生长、取向一致的较为理想的纳米棒阵列.     

纳米镓粒子的超声制备与表征

文章主要研究了纳米金属镓粒子的制备技术与稳定分散技术,以聚乙烯吡咯烷酮（PVP）为稳定剂,采用超声将碎法制备出均匀分散的纳米镓粒子,并借助于TEM、FT-IR、XPS分析手段对纳米粒子的微观结构进行表征。TEM表明超芦20min即可制得粒径约为40～50nm的纳米镓粒子;FT-IR、XPS表明在超声辐射下,PVP中的N原子和O原子实现了与纳米钧粒子表面原子的配位作用,使纳米稼粒子得到稳定。     

石墨电化学氧化制备纳米粒子及其表征

利用电化学氧化，在氨介质中将石墨氧化剥离。通过光子相关光谱（PCS）、透射电镜（TEM）、选区电子衍射（SAD）、粉末X射线衍射（XRD）、傅立叶红外转换光谱（FTIR）、X射线光电子能谱（XPS）等分析表征，表明电解过程中石墨被剥离成50nm左右的颗粒，这些纳米颗粒以无定型的多层和单层结构并存。层片上含有石墨氧化后产生的含氧官能团，赋予其良好的亲水性并可稳定地分散于水介质中。     

蒲公英状氧化镓纳米线的制备与表征

在1 200℃对Ga2O3粉末和Au覆盖的Si(111)基片加热不同时间,利用热蒸发法制备Ga2O3纳米线。实验中我们发现了一个新的成核过程,用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)技术对样品进行了结构、形貌的表征。SEM显示,在整个样品表面形成大量直径约200~300 nm的蒲公英状纳米线。能量色散谱(EDS)显示,样品为纯净的Ga2O3。由分析可知,生长时间对样品的形态和微观结构有一定的影响。最后,简要讨论了这种奇特结构的生长机制。     

金纳米棒的制备及表征

通过种子生长法制备金纳米棒,并采用暗场系统检测其局域表面等离激元共振(LSPR)消光峰,最后使用原子力显微镜进行验证.实验证明了AgNO₃的增加和pH值的减少会使金纳米棒的长径比增大,LSPR消光峰红移.从而为控制金纳米棒的长径比提供了一些方法,并为暗场系统提供合适的样品.     

热蒸发制备SnO2纳米棒及结构表征

以SnO粉末为原料,在镀有金的硅衬底上通过热蒸发的方法获得了SnO2纳米短棒,且通过改变退火时间再现了纳米材料的生长过程．用SEM,XRD,EDS,红外吸收和拉曼光谱对产物的形态和结构进行了分析．结果表明,所合成的产物为具有四方金红石结构的SnO2．最后讨论了SnO2纳米短棒的生长机制．     

ZnSe纳米棒的一步水热法制备及其表征

采用一步水热法,由氢氧化钠、单质硒粉与乙酸锌反应,在EDTA存在的条件下,成功制备了立方相ZnSe纳米棒.对所得样品分别通过X射线衍射和透射电子显微镜进行了物相鉴定与形貌观察.在190 ℃,1.2 MPa条件下得到的纳米棒直径约为40～70 nm,长度为360～460 nm.温度超过200 ℃时,形成的为ZnSe纳米颗粒.讨论认为在纳米棒的形成过程中,EDTA起络合剂的作用,并形成了胶束状软模板.该方法为ZeSe及其它半导体纳米棒的合成提供了一种简单易行的方法.     

硼酸镁镓纳米棒的制备与稀土掺杂

荧光材料是重要的研究课题,稀土掺杂的硼酸盐在制备新型发光材料方面具有潜在的应用价值,而纳米发光材料是当前研究的热点之一。本文用化学气相沉积法制备了硼酸镁镓（GaMg—BO4）纳米棒,探讨了其生长机制。对GaMgBO4纳米棒进行稀土Eu3＋掺杂后,所得产物具有光致发光效应。     

纳米氧化钐的制备与表征

以3-硝基苯甲酸和硝酸钐为原料采用分解法制备了纳米氧化钐粒子,采用X-射线粉末衍射(XRD)和透射电镜(TEM)对其结构和分散性进行了表征,并考察了焙烧温度,焙烧时间以及表面活性剂对合成产物的影响.结果表明,焙烧温度420 ℃,焙烧时间为1 h,加入表面活性剂OP-10合成的纳米粒子分散性最好,且平均粒径在10 nm左右.     

Ce掺杂ZnO纳米棒的水热法制备及其性能表征

采用水热法制备了稀土铈(Ce)掺杂的ZnO纳米棒,并利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光谱(PL)对样品进行表征.结果表明:Ce成功的掺入到ZnO中,掺杂的ZnO纳米棒有较好的结晶质量,直径约为8 nm.另外,随着Ce的掺入,紫外峰峰位发生红移,这是因为掺杂后带隙变窄,从而导致了紫外峰的红移.     

还原法制备银纳米粒子/氧化石墨烯的纳米复合物及其表征

基于聚乙烯亚胺高分子链上富含氨基这一特性,用绿色还原法制备了聚乙烯亚胺/石墨烯(PEI/GO)纳米复合材料,然后利用未反应的氨基对银离子的还原作用和银纳米粒子的保护作用,将银纳米粒子固载到PEI/GO纳米复合物表面,制备了AgNPs/PEI/GO复合物.研究了反应时间和银离子浓度对所制备的银纳米复合材料的影响,并利用红外光谱、紫外光谱、XRD、TEM等手段对所制备的AgNPs/PEI/GO复合物进行了表征.结果表明,PEI被成功地修饰到了GO表面,Ag+被还原并固载到了GO表面,且所制备的银纳米粒子具有良好的晶型结构及导电性质.     

纳米结构CoNiCrAlY粉末的制备及其氧化行为

利用行星球磨技术制备了纳米结构CoNiCrAlY粉末,采用XRD,SEM等方法对传统结构粉末和纳米结构粉末在1 000℃时的氧化行为进行了研究.结果表明,行星球磨技术能制备出纳米结构粉末,球磨30h后,粉末的平均晶粒尺寸为11.2nm.纳米结构提高了CorANiClY粉末的抗氧化性能,在1 000℃恒温静态氧化100h的过程中,纳米结构粉末只生成α-Al2O3氧化膜,而传统结构粉末除α-Al2O3外还生成了尖晶石氧化物和少量θ-Al2O3.     

羟基氧化镓菱形截面棒状粉体的制备与表征

用GaCl3溶液和NH3.H2O反应成功制备了羟基氧化镓（GaOOH）菱形截面棒状粉体。用X射线衍射（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FESEM）对产物进行了表征,并探讨了GaOOH晶体的生长机理。结果表明：GaOOH粉体表现为分散性较好的短棒状,长度分布在2~4μm,绝大多数粉体的长径比为4左右;菱形截面是由{110}晶面族的（110）、（1-1 0）、（-1 1 0）以及（-1-1 0）四个等效晶面分别沿着[-4 1 0]、[-4-1 0]、[410]和[4-1 0]晶体学方向均匀长大而成。     

MnO2纳米棒的水热制备及表征

以MnCl2·4H2O和KMnO4为主要反应物,通过简单的水热方法合成了MnO2纳米棒,所得产物用粉末X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）进行了表征。在水热反应过程中,反应时间和反应浓度对纳米棒的形成有重要的作用,在MnO2纳米棒催化过氧化氢降解亚甲基蓝过程中表明其具有催化性能。     

Ag2S纳米棒的制备与表征

本文以N-十二酰丙氨酸(LAA)在乙醇/水溶液中形成的水凝胶为模板,硫代乙酰胺(TAA)为硫源,在水凝胶体系中利用离子的原位自组装合成Ag2S纳米棒,并用透射电子显微镜及X射线粉末衍射仪对Ag2S纳米棒进行了表征.     

掺锑二氧化锡纳米棒的制备及表征

以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料,采用化学共沉淀法制得纳米级掺锑二氧化锡(ATO)的前驱物,经1000～1100°C焙烧1～3h,成功制备了直径为10～40nm,长为60～500nm的金红石结构的ATO纳米棒。运用热重分析(TGA)、X-射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、电子衍射(ED)及比表面仪(BET法)对棒结构和形貌进行了表征,研究了掺锑量、焙烧温度及焙烧时间等对其形貌结构的影响。并对ATO纳米棒形成机理进行了探讨。     

二氧化钛纳米棒薄膜的水热法制备及表征

以钛酸四丁酯为原料,采用水热法在透明导电玻璃FTO上制备了Ti O2纳米棒薄膜。利用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对样品的结构和形貌进行了分析和表征,研究了反应液浓度和水热温度对薄膜结构和形貌的影响。结果表明,所制备的纳米棒薄膜均匀、致密、无可视缺陷。水热条件的改变,直接或间接影响了纳米棒晶体的初期成核和后期生长过程,最终形成不同结构和形貌的Ti O2纳米棒薄膜。由于Ti O2纳米棒薄膜稳定性好,光催化效率高和不产生二次污染,具有广泛的应用前景。