弃九法简史初探

弃九法是一种常见的检验整数间运算结果的方法。对弃九法及其相关衍生算法的产生、演化和传播脉络进行了梳理。10世纪阿拉伯数学家发明了弃九法,13世纪斐波那契将相关算法传入欧洲,17世纪初欧洲传教士将其传入中国。     

铁磁180°畴层结构中的畴层振动模

本文探讨了具有反平行磁化矢量的铁磁层状结构的磁畴振动谱,给出了普遍的色散方程.当外加磁场为零,整个分布成180°畴层状态时,给出了一般的色散曲钱.理论预言可能同时存在一种具有二维铁磁性和一维反铁磁性的新型磁有序材料.     

《畴人传》及其续编“西洋附”初探

《畴人传》及其续编西洋附整理、收录了明清时期所介绍的西方天文学家及数学家的传记.在梳理各编西洋附内容的基础上,比较了其中的编撰特点与得失,分析了编撰思想的变化,揭示出受19世纪50年代以来新译著的影响,《三编》、《四编》对西方科技的认识态度依然发生了些许转变.     

K-场畴壁解

通过考虑五维平直时空中非正则的标量场K-场,得到了解析的单扭结和双扭结K-场畴壁解.然后采用Yukawa耦合机制研究五维费米子在单扭结和双扭结K-场畴壁上的局域化,发现四维零质量的手征费米子可以局域化在K-场畴壁上.最后通过对比费米子在两种扭结畴壁上的有效势,发现双扭结畴壁情况的有效势具有双阱的特征,表明双扭结畴壁具有更加丰富的内部结构.     

晶体畴反转过程中畴壁运动与极化电流特性研究

为了解晶体畴反转的动力学过程,利用马赫-曾德干涉实验系统,研究了外电场极化下掺镁铌酸锂和纯净铌酸锂晶体在畴反转过程中的畴壁运动和极化电流特性。实时记录了掺镁7 mol%、掺镁5 mol%铌酸锂和纯净铌酸锂晶体在畴反转过程中的畴壁特征和极化电流变化情况,发现离散的畴壁速度脉冲伴随着离散的极化电流脉冲,连续的畴壁速度脉冲对应着连续的极化电流脉冲。掺镁铌酸锂晶体正向反转和纯净铌酸锂反向反转的畴壁速度变化和极化电流变化比较尖锐,而掺镁铌酸锂晶体反向反转和纯净铌酸锂正向反转的畴壁速度变化和极化电流变化比较缓和。最后对实验现象进行了解释。     

分次Gamma—模范畴

本文引进分次Γ-环及其分次Γ-环上的分次Γ-模的概念,建立了分次Γ-环的基础理论,刻划了Γ-环与其左、右算子环之间的联系,探讨了几个范畴之间的关系,从而证明了分次Γ-模范畴是Grothendieck范畴。     

磁畴的三维成像

自P.-E.Weiss一个多世纪前理论推测存在磁畴以来,磁畴一直是科学家的重要研究目标。但迄今为止,由于缺少合适的实验方法,体磁性材料的三     

枝状畴的形状与硬磁畴种类的对应关系

本文用“低直流偏场法”研究了枝状畴的形状与硬磁畴种类的对应关系。     

磁畴形成的原理探索

本文运用量子力学和固体物理学分析铁磁物质及其磁畴形成的原理     

微型薄膜磁阻传感元件的磁畴和畴壁状态的转变过程

用Ｂｉｔｅｒ粉纹技术研究了长×宽为４０μｍ×３００μｍ，厚度为４０ｎｍ的微型ＮｉＦｅ磁阻元件，在难轴方向反磁化过程中曲折状磁畴的转变过程，观察和分析了曲折状畴形成、Ｎｅｅｌ壁合并、封闭畴和钩形畴转变及Ｎｅｅｌ壁状态转变等一系列过程     

非晶态合金的磁畴结构

用毕特粉紋技术研究了軋辊淬火法制备的非晶态(Fe_xNi_(1-x))_(78)Si_5B_(14)和Fe_(40)Ni_(40)P_(14)B_6合金的磁畴結构,在这些合金样品表面观察到畴壁垂直軋向的磁畴。畴結构主要与从熔态合金淬火过程产生的不均勻单軸各向异性有关。这种各向异性是通过正磁致伸縮与样品的内应力间的磁弹性耦合产生的。样品經退火或磁退火后,这种类型畴的数量随退火温度增加而减少,导致磁化率和剩磁增加。在非晶态Fe_(40)Ni_(40)P_(14)B_6合金样品表面还观察到少量指紋状“迷陣”畴。内应力对磁畴結构影响非常明显。我們观察了針孔和剪口附近的畴結构。     

畴壁运动的量子效应

本文用规范交换和热力学平均的办法，讨论畴壁运动的能量变化，发现低温下畴壁运动是由零点振动所决定的，并且这个量子效应与畴壁参数有关，特别与阻尼有关．     

磁畴形成的原理探索

本运用量子力学和固体物理学分析铁磁物质及其磁畴形成的原理。     

对偶弱Rigid Monoidal模范畴

讨论了弱rigid monoidal范畴C上的模范畴M.将M对偶以后得到的对偶范畴M~∨和~∨M□通过验证发现对偶范畴也具有C模范畴结构□并且最后证明了模范畴M经过二次对偶以后得到的~∨田M~∨■与M作为C-模范畴的同构定理.     

畴层波的色散性质

本文通过理论计算,分析了畴层界面振荡对畴层波的作用.计算得出了不同条件下界面振荡对所在界面的表面波的色散关系影响的结果.     

面内场对枝状畴形成的IID畴壁中VBL链的影响

实验研究了面内场作用下枝状畴形成的第2类哑铃畴(IID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)链的解体过程.发现存在一个与材料参量有关的临界面内场范围[H(0)ip对应IID畴壁中垂直布洛赫ip,H(1)ip],其中H(0)线链保持稳定的最大临界面内场,H(1)ip对应IID畴壁中垂直布洛赫线链完全解体的最小临界面内场.此外,实验发现不同低直流偏场下产生的枝状畴在面内场作用下的软化过程相同,且在这个临界面内场范围内畴壁中的VBL是逐步丢失的.同时实验结果也证明了枝状畴畴壁中VBL是随机分布的.     

n次微分分次Poisson模范畴

给出了左n次微分分次Poisson模的定义.令A是n次微分分次Poisson代数,根据A构造了一个新的微分分次代数B.同时证明了A上的左n次微分分次Poisson模范畴同构于B上的左微分分次模范畴.     

铁电体电畴转动的电极化过程

本文提出了铁电体电矩转动振动和伸縮振动的运动方程,由方程解出单畴铁电体的电极化率χ_(?)(ω)和χ_(?)(ω),据此討論了铁电体的谐振型和弛豫型的介电色散和吸收。由电晶各向異性埸的考虑,论証了钙钛矿型铁电材料的介电常数与材料晶相的关系。將这一理论应用到Pb(Zr,Ti)O_2系铁电陶瓷中去,成功地解釋了一系列重要的实驗現象。     

枝状畴形成的哑铃畴在系列脉冲偏场作用下的一些行为

实验研究了由多枝畴收缩而成的哑铃畴（ＩＤ，ＩＤ）在系列脉冲偏场作用下的一些旋转行为以及丢失ＶＢＬ的现象．