自旋三重态对半磁半导体Cd1—xFexTe和Cd1—xFexSe的基态精细结…

本文在强场图象下推导了３ｄ＾４／３ｄ＾６离子在三角晶场中包括自旋－轨道相互作用的哈密顿矩阵公式，采用双ＳＯ轨道模型计算了Ｆｅ＾２＋在Ⅱ－Ⅵ半磁半导体ＣｄＴｅ和ＣｄＳｅ中的基态精细结构分裂（ＦＳＳ），理论计算的ＦＳＳ和实验结果符合很好，并且发现自旋三重态对基态折ＦＳＳ起着重要的影响。     

Cd1—xMnxTe的巨大法拉第旋转效应

测量了半磁半导体Cd_(1x)Mn_xTe单晶的巨大法拉第旋转效应,并研究了Cd_(1-x)Mn_xTe法拉第旋转随组分x及温度的变化规律。局域的Mn~(2+)离子与导带类s电子及价带类P电子之间的自旋—自旋相互作用引起了Cd_(1-x)Mn_xTe中反常大的塞曼分裂,从而导致巨大法拉第效应的产生。激子跃迁在半磁半导体法拉第效应中起主导作用。     

用RAS模型估算半磁半导体Cd1—xMnxTel富碲溶液蒸汽压

Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ富磅溶液的平衡蒸汽压是设计优化生长装置和获得最佳生长条件所不可缺少的，本文用缔合规则模型估算了Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ富碲溶液的平衡蒸汽压，并且和实验结果进行了定性比较。     

稀磁半导体Cd＿（1－x）Mn＿xTe，Cd＿（1－x）Fe＿xTe的巨法拉第效应

用消光法、交替磁场法和磁光调制法测量了不同温度下、不同组分的稀磁半导体Ｃｄ＿（１－ｘ）Ｍｎ＿ｘＴｅ和Ｃｄ＿（１－ｘ）Ｆｅ＿ｘＴｅ的巨法拉第效应。实验表明：对较高组分的，法拉第旋转角为负，用单振子模型能很好地描述实验结果。稀磁半导体Ｃｄ＿（１－ｘ）Ｆｅ＿ｘＴｅ表现出与Ｃｄ＿（１－ｘ）Ｍｎ＿ｘＴｅ同量级的巨法拉第效应，当组分较低时，法拉第旋转角随入射光子能量出现由正到负的变化，必须用多振子模型才能很好解释实验结果。当样品很薄或磁场较低时，磁光调制法以其很高的测量精度显示出巨大的优越性。     

Fex（In2O3）1—x颗粒膜磁性的研究

报道了“铁磁金属－半导体基体”Ｆｅｘ（Ｉｎ２Ｏ３）１－Ｘ颗粒膜的磁性研究。根据低场磁化率Ｘ（Ｔ）温度关系和不同温度下的磁滞回线研究表明：膜中的Ｆｅ颗粒有大小不同的两种尺度,随温度降低,颗粒膜的磁特性由超顺磁态转变为超顺磁和铁磁的混磁态,最后在１０Ｋ变为类反铁磁态;在截止温度以上,其ＭＳ（Ｔ）关系符合Ｂｌｏｃｈ的Ｔ＾３／２定律。     

新型稀磁半导体Zn＿（1－x）Co＿xS光谱特性的实验研究

在７３～３００Ｋ温度范围内，首次测量了不同组分的新型稀磁半导体Ｚｎ＿（１－ｘ）Ｃｏ＿ｘＳ（ｘ＝０．００１，０．０１，０．０３，０．０４８，０．０５３，０．０６３）的近红外和可见区的吸收光谱和磁圆二色谱。观测到一系列吸收峰和磁圆二色谱峰，两者互相对应，其峰位与样品组分ｘ值无关。它们分别对应于Ｃｏ￣（２＋）离子在Ｔ＿ｄ对称的晶体场中不同能级间的跃迁。     

稀磁半导体Zn1—xCoxS光谱的理论解释

以Co^2 自由离子的3d电子径向波函数为基础,对Zn1-xCoxS中的电子去延伸效应进行了理论研究,引入了电子云延伸效应系数k,得到了Zn1-xCoxS中Co^2 离子的最优化3d电子径向波函数,并由此得到了Zn1-xCoxS的光谱。结果表明：应用晶体场理论,考虑到电子云延伸效应的修正,对于研究稀磁半导体的光谱性质是方便有效的。同时也从物理学本质上解释了电子云延伸效应。     

Mn掺杂A1N半导体的半金属铁磁性质

使用基于局域自旋密度泛函理论的第一性原理方法对Mn掺杂闪锌矿A1N半导体的电磁性质进行了研究。结果发现：Al0.96875Mn0.03125N合金显示出明显的半金属铁磁性,晶胞的总磁矩为4．0μB,主要来自于磁性金属Mn原子,其近邻N原子也有微弱贡献。这一研究对在半导体工业中实现自旋载流子的注入具有一定的理论价值。     

稀磁半导体Zn1-xNixO的制备、结构和磁性

用溶胶凝胶法合成Zn1-xNixO(x=0.03,0.05,0.10)系列化合物,利用X-射线衍射、磁强计对该系列化合物进行了结构和磁性表征.结果表明一定量的Ni离子进入ZnO的晶格中,形成稳定的纤锌矿型固溶体,空间群为P63 mc,晶胞参数随Ni掺入量稍有变化.该系列化合物表现为铁磁性,其居里-外斯温度随其成分稍有变化,并且表现出磁性离子的轨道磁矩并未完全淬灭.     

Zn1—xMnxSe中Mn^2＋电子自旋翻转能级的光致发光谱

用光致发光谱（PL）方法研究不同温度下Zn1-xMnxSe中Mn^ 内部3d壳层电子^4T1(^4G)→^6A1(^6S)跃迁的发光特性。实验结果表明,随着温度的升高,Zn1-xMnxSe(x=0.11,0.17)的发光谱的发光峰位置产生蓝移,这一变化规律主要是由于温度升高引起晶格膨胀,从而削弱配位场效应所造成的。     

N—Ga1—xAlxAs的低温光伏特性

报道了Ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ低温光伏的异常特性，在暗条件下降温的样品，其低温光钛的初始强度比受光照的样品的光伏初始强度大得多，对这两种不同初始条件，当样品加热到大约１００～１５０Ｋ时，其低温光伏强度发生跳跃，这些异常特性归因于Ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ（ｘ〉０．２２）中的ＤＸ中心的电荷态变化。     

用RAS模型估算半磁半导体Cd_（1－x）Mn_xTe富碲溶液蒸汽压

Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ富碲溶液的平衡蒸汽压是设计优化生长装置和获得最佳生长条件所不可缺少的．本文用缔合规则溶液（ＲＡＳ）模型估算了Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ富碲溶液的平衡蒸汽压，并且和实验结果进行了定性比较．     

红外光谱法检测LPEIn1—xGalxAsyP1—y晶体质量优劣的研究

通过红外光谱检测ＬＰＥＩｎＧａＡｓＰ材料带边发光强度和光谱线型的空间分布检测材料带边辐射复合效率和均匀性，对引起光致发光强度衰减及半谱半宽度起伏的物理原因进行了分析，并用Ｘ－射线双晶衍射的测量结果进行了对比，二者具有很好的一致性，实验结果证明，光致发光方法是判断ＬＰＥ晶体质量简单而有效的方法。     

多元合金异质InxGa1—xAs／InxAl1—xAs的价带偏移

采用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ能带计算法，研究了三元合金ＩｎｘＧａ４－ｌＡｓ４和ＩｎｌＡｌ４－ｌＡｓ４的能带结构和平均键能Ｅｍ；在此基础上，将原子集团展开与平均键能方法结合起来计算了ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＩｎｘＡｌ１－ｘＡｓ异质结的价带偏移ΔＥｖ值。     

电泳法SrTi1—xMgxO3—δ膜的制备

利用电泳机理，成功的实现了电泳沉积ＳｒＴｉ１－ｘＭｇｘＯ３－δ膜的制备，并对影响沉积ＳｒＴｉ１－ｘＭｇｘＯ３－δ膜的各种因素进行了讨论。     

Zn1-xCrxO稀磁半导体薄膜的制备及磁性研究

采用磁控交替溅射方法和真空退火处理制备了Zn1-xCrxO薄膜,利用全自动X射线衍射仪和物理性质测量仪对样品的结构、晶粒尺寸及磁性等进行了测量和标度,得到了具有室温磁性的掺Cr的氧化锌基稀磁半导体.